1.一种硅晶圆的正面激光内切割方法，其特征在于，所述方法包括：
将蓝膜贴在所述硅晶圆背面；
将所述硅晶圆正面沟道作为定位基准，对所述硅晶圆进行定位划线；
根据所述硅晶圆厚度设置所述激光的内切割焦点位置，利用所述激光沿所述定位划线对所述硅晶圆进行切割，使得所述硅晶圆内部形成N个爆裂点；
根据所述N个爆裂点将所述硅晶圆分离成单一的芯片晶粒。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光包括：近红外激光、绿色激光或紫外激光。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光的脉冲宽度包括：纳秒级、皮秒级或飞秒级。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内切割焦点位于所述硅晶圆厚度的40％-60％位置处。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述爆裂点的纵向长度为所述硅晶圆厚度的10％-20％。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光的切割线宽小于10μm。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述近红外激光的波长为1064nm或1030nm。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述绿色激光的波长为532nm或515nm。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，紫外激光的波长为355nm或343nm或266nm。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅晶圆的厚度为50-200μm。