技术总结
本发明提供了一种硅晶圆的正面激光内切割方法，所述方法包括：将蓝膜贴在所述硅晶圆背面；将所述硅晶圆正面沟道作为定位基准，对所述硅晶圆进行定位划线；根据所述硅晶圆厚度设置所述激光的内切割焦点位置，利用所述激光沿所述定位划线对所述硅晶圆进行切割，使得所述硅晶圆内部形成N个爆裂点；根据所述N个爆裂点将所述硅晶圆分离成单一的芯片晶粒；如此，利用激光在所述硅晶圆的正面进行切割，无需在背面制作切割定位线，减少了制作工序及操作时间；并且采用激光内切割方法对硅晶圆进行切割，避免了崩边过大的问题，提高了芯片的收益率。
技术研发人员：杨秋松;李立坤;盛建雄;欧阳磊;李帅;王斐;吴佳妮
受保护的技术使用者：武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司
文档号码：201611234705
技术研发日：2016.12.28
技术公布日：2017.06.13