—端与可控硅Ql的阴极连接，另一端与可控硅Ql的控制极连接。
[0039]电容放电控制电路具体为:
[0040]光敏可控硅KFl的阳极通过电阻R2与二极管Dl的阴极连接，电容C2 —端与光敏可控硅KFl的阴极连接，另一端与二极管Dl的阳极连接，电容C2两端并联电阻R4，二极管Dl的阴极串联电阻Rl后接入焊接电源正极。
[0041 ] 装置关闭控制电路包括:
[0042]光耦KF2的光敏三极管发射极与MOS管D3的栅极连接，光敏三极管的集电极依次串联电阻R6和电阻R5后与MOS管D3的源极连接，光敏三极管发射极串联电阻R7后与MOS管D3的漏极连接，MOS管D3的漏极接入焊接电源负极；M0S管D3的源极串接电阻R5后与电容放电控制电路连接。
[0043]MOS管D3的源极串接电阻R5后与二极管Dl的阳极连接，电解电容C3的正极与二极管Dl的阳极连接，负极接入焊接电源负极；二极管D2的阴极与二极管Dl的阳极连接，阳极接入焊接电源负极。
[0044]本发明装置适用于所有熔化极气保焊电源，包括全自动焊接和半自动焊接；特别适合全自动焊接；电容为3300uF，可控硅40A400V，电阻Rl为2 Ω。
[0045]当焊枪开关按下后，控制系统打开光敏可控硅KF1、关闭光耦KF2，可控硅Ql导通，MOS管D3关断，焊机通过可控硅Ql在5ms以内对电解电容C2完成充电，C3充满后Ql自动关闭。
[0046]当焊丝与工件接触后，C3通过二极管Dl放电，极高的电流上升率di/dt引燃电弧。
[0047]电弧引燃后，MOS管D3打开，电容C2的剩余电荷通过电阻R5和MOS管D3组成的回路释放，二极管Dl的漏电流也通过电阻R5和MOS管D3组成的回路释放，这样就有效避免了整套装置对焊接的影响，电流走向为:电容C3正极一〉电阻R5—〉MOS管D3，二极管漏电流走向二极管Dl阴极_> 二极管Dl阳极-> 电阻R5->M0S管D3。保证整个装置的完全关闭，防止其对正常焊接产生影响。
[0048]本发明在引弧前对电容器进行充电，引弧时对电容器进行深度放电，引弧成功后将电容关闭并放电，防止其对正常焊接产生影响。本发明方案可将熔化极气保焊的引弧成功率提升至100%。
[0049]上述虽然结合附图对本发明的【具体实施方式】进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。
【主权项】
1.一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置，其特征是，包括:电容充电控制电路、电容放电控制电路以及装置关闭控制电路； 所述电容充电控制电路包括:第一控制开关与可控硅Ql连接，通过控制第一控制开关的开通使得可控硅Ql导通；第一控制开关、可控硅Ql和电容C2组成闭合回路，用于在可控硅Ql导通的时候，为电容C2充电； 所述电容放电控制电路包括:第一控制开关、电容C2和二极管Dl组成闭合回路，电容C2通过二极管Dl进行放电，为焊接电源提供瞬时电流； 所述装置关闭控制电路包括:第二控制开关与MOS管D3连接，通过第二控制开关控制MOS管D3导通，电容C2和二极管Dl分别与MOS管D3形成电流释放回路，使得整个装置完全关闭。2.如权利要求1所述的一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置，其特征是，所述第一控制开关为第一可控硅KFl，所述第二控制开关为光耦KF2。3.如权利要求2所述的一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置，其特征是，所述电容充电控制电路具体为: 第一可控硅KFl的阳极通过电阻R2与可控硅Ql的阳极连接，第一可控硅KFl的阴极与可控硅Ql的控制极连接，第一可控硅KFl的控制极经过电容Cl与其阴极连接，电阻R3并联在电容Cl两端；电容C2 —端与可控硅Ql的阴极连接，另一端与可控硅Ql的控制极连接。4.如权利要求2所述的一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置，其特征是，所述电容放电控制电路具体为: 第一可控硅KFl的阳极通过电阻R2与二极管Dl的阴极连接，电容C2 —端与第一可控硅KFl的阴极连接，另一端与二极管Dl的阳极连接，电容C2两端并联电阻R4，二极管Dl的阴极串联电阻Rl后接入焊接电源正极。5.如权利要求2所述的一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置，其特征是，所述装置关闭控制电路包括: 光耦KF2的光敏三极管发射极与MOS管D3的栅极连接，光敏三极管的集电极依次串联电阻R6和电阻R5后与MOS管D3的源极连接，光敏三极管发射极串联电阻R7后与MOS管D3的漏极连接，MOS管D3的漏极接入焊接电源负极；M0S管D3的源极串接电阻R5后与电容放电控制电路连接。6.如权利要求5所述的一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置，其特征是，所述MOS管D3的源极串接电阻R5后与二极管Dl的阳极连接，电解电容C3的正极与二极管Dl的阳极连接，负极接入焊接电源负极；二极管D2的阴极与二极管Dl的阳极连接，阳极接入焊接电源负极。7.如权利要求2所述的一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置，其特征是，所述第一可控硅KFl和光耦KF2的开通通过焊机的控制系统控制。8.如权利要求2所述的一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置，其特征是，所述第一可控硅KFl为光敏可控硅。9.一种如权利要求1所述的提高熔化极气保焊引弧性能装置的方法，其特征是，包括: 当焊枪开关按下后，可控硅Ql导通，MOS管D3关断；焊机通过可控硅Ql在设定时间以内对电解电容C3完成充电，电解电容C3充满后可控硅Ql自动关闭； 当焊丝与工件接触后，电解电容C3通过二极管Dl放电，极高的电流上升率引燃电弧； 电弧引燃后，MOS管D3打开，保证整个装置完全关闭。10.如权利要求9所述的提高熔化极气保焊引弧性能装置的方法，其特征是，所述可控硅Ql为光敏可控硅，所述光敏可控硅和光耦KF2的开通通过焊机控制系统控制。
【专利摘要】本发明公开了一种提高熔化极气保焊引弧性能的装置及方法，包括：电容充电控制电路包括：第一控制开关与可控硅Q1连接，通过控制第一控制开关的开通使得可控硅Q1导通；第一控制开关、可控硅Q1和电容C2组成闭合回路，用于在可控硅Q1导通的时候，为电容C2充电；电容放电控制电路包括：第一控制开关、电容C2和二极管D1组成闭合回路，电容C2通过二极管D1进行放电，为焊接电源提供瞬时电流；装置关闭控制电路包括：光耦KF2与MOS管D3连接，通过光耦KF2控制MOS管D3导通，使得整个装置完全关闭。本发明在没有慢送丝的条件下，增大引弧能量和引弧电流上升率di/dt，使得引弧一次成功率达100％。
【IPC分类】B23K9/06, B23K9/173
【公开号】CN105149731
【申请号】CN201510493165
【发明人】张光先, 张汉博, 杨晓杰
【申请人】山东奥太电气有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月12日