专利名称：消除机加工应变的设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种消除机加工应变的设备，该设备通过抛光一工件的处理后的表面消除该表面上的机加工应变。本发明尤其涉及但不限于一种消除机加工应变的设备，该设备通过抛光一半导体晶片的背面消除该背面的机加工应变，该晶片在其表面上有许多电路，该机加工应变由磨削加工生成。
背景技术：
在半导体芯片制作工艺中，在一半导体晶片的表面上由布置成格状的行列分隔成许多长方形区，每一长方形区中布置一半导体电路。然后沿行列将该半导体晶片分割成长方形芯片。为了使半导体芯片紧凑并减轻其重量，通常在沿行列将半导体晶片分割成单个长方形小块前磨削半导体晶片的背面，从而减小半导体晶片的宽度。在另一种称为先切块后磨削的方法中，沿行列在一半导体晶片的正面上切割出一定深度的凹槽，然后磨削半导体背面，使得磨削深度超过该凹槽下表面，从而减小半导体晶片的厚度并得到单个长方形小块。一般用一转动磨削工具对半导体晶片进行磨削加工，该磨削工具包括用树脂之类的适合粘接剂粘结金刚石磨粒而成的磨削件或磨削轮。
但是，在磨削半导体晶片背面时，在半导体晶片的背面上造成机加工应变，大大减小半导体晶片的抗弯强度。为了消除半导体晶片背面上的机加工应变并避免抗弯强度下降，此前的做法是使用自由磨粒抛光半导体晶片磨削后的背面；使用含有硝酸和氢氟酸的蚀刻液化学蚀刻半导体晶片磨削后的背面；或用等离子体对半导体晶片磨削后的背面进行物理蚀刻。
使用自由磨粒进行抛光存在的问题是，对于自由磨粒的供应和回收需要许多繁琐的程序，造成抛光效率低下；大量使用的自由磨粒必须作为工业废料废弃。化学蚀刻和物理蚀刻的问题是，需要很昂贵的设备；蚀刻很难做到足够均匀。
如由本申请人申请的日本专利申请No.2001-93397(发明名称为“抛光工具”)所述，使用特别是包括由毛毡和散布在毛毡中的磨粒构成的抛光件的抛光工具对半导体晶片背面进行抛光可有效消除机加工应变。使用这一抛光工具进行抛光不会产生必须作为工业废料予以废弃的大量废料。
发明内容
本发明的一个主要目的是提供一种新颖和优良的消除机加工应变的设备，它通过使用一抛光工具对一工件的处理后的表面，例如一半导体晶片的磨削的背面进行抛光可高效、高质量地消除该处理后的表面或磨削后的背面上的机加工应变。
按照本发明，为实现上述主要目的，提供一种消除机加工应变的设备，它通过抛光一工件的处理后的表面消除该表面上的机加工应变，包括暴露处理后的表面的同时保持该工件的吸盘装置；工件输入/输出装置，其用于将要从该处理后的表面上消除机加工应变的工件输入到该吸盘装置上和将已从该处理后的表面上消除机加工应变的工件从该吸盘装置上的一位置输出；以及对保持在吸盘装置上的工件的处理后的表面进行抛光的抛光装置，其中吸盘装置可有选择地位于一工件输入/输出区和一抛光区，当吸盘装置位于工件输入/输出区时，具有处理后的表面消除机加工应变的工件输入到吸盘装置上，然后将吸盘装置传送到抛光区，用抛光装置对保持在吸盘装置上的工件的处理后的表面进行抛光，消除处理后的表面的机加工应变，然后吸盘装置回到工件输入/输出区后工件从吸盘装置上该位置输出；以及抛光装置包括一转轴和一安装在该转轴上的抛光工具，转动中的抛光工具压靠工件的处理后的表面，从而对处理后的表面抛光。
在一优选实施例中，该工件为其表面上有许多电路的一半导体晶片，该处理后的表面为该半导体晶片的磨削后的背面。该抛光工具具有一包括一毛毡和散布在该毛毡中的磨粒的抛光件。该抛光工具具有一具有圆形支承面的支承件，该抛光件可呈粘结到该支承件的该圆形支承面上的一圆盘。该消除机加工应变的设备最好还包括对抛光件喷射高压气体而对抛光件进行修整的修整装置和对抛光区内的抛光工具和/或工件喷射冷却气体的冷却装置。最好是，当抛光装置对工件的处理后的表明抛光时，吸盘装置围绕一与抛光装置的转轴平行的中心转动轴线转动的同时在与抛光装置转轴大致垂直的方向上来回运动。有利的是，该吸盘装置可沿一与该转轴大致垂直的直的路径运动，吸盘装置可选择地位于工件输入/输出区和抛光区中时的运动以及吸盘装置在工具的处理后的表面受抛光装置的抛光时的来回运动都沿着该直的路径。最好用一防尘盖盖住位于抛光区中的吸盘装置、保持在吸盘装置上的工件和压靠工件的处理后的表面的抛光工具，防尘盖上有一开口以便当吸盘装置从工件输入/输出区运动到抛光区和当吸盘装置从抛光区运动到工件输入/输出区时吸盘装置和保持在吸盘装置上的工件穿过；一用来排出防尘盖中的灰尘的排灰管与该防尘盖连接。此外，抛光装置的转轴可在其中心轴线方向上运动，防尘盖上有一开口以便当抛光工具通过该转轴在其中心轴线方向上移动而移向和移离保持在吸盘装置上的工件时该抛光工具穿过。最好是，该吸盘装置包括一用多孔材料制成并具有一大致平面的吸盘板，工件被吸到该吸盘板上，设置一吸盘板清洗装置清洗该吸盘板。最好是，该吸盘板清洗装置包括一清洗刷和一油石，清洗刷和油石压靠吸盘板表面，并围绕一与吸盘板表面大致垂直的中心轴线转动和在与吸盘板表面大致平行的方向上来回运动。
图1为本发明消除机加工应变的设备一优选实施例的立体图；图2立体图示出一半导体晶片用一安装带装在一架上的情况，该半导体晶片为其处理后的表面上残留有机加工应变的一工件的典型例子；图3立体图示出一半导体晶片装在一支承基片上的情况，该半导体晶片为其处理后的表面上残留有机加工应变的一工件的典型例子；图4立体图示出图1所示消除机加工应变的设备的主要部分未盖防尘盖的情况；图5为使用在图1所示消除机加工应变的设备中的抛光工具的立体图；图6为图5抛光工具从其下表面观察的立体图；以及图7为使用在图1所示消除机加工应变的设备中的防尘盖的立体图。
具体实施例方式
下面结合附图详细说明本发明机消除加工应变的设备的优选实施例。
图1示出本发明消除机加工应变的设备一优选实施例。所示消除机加工应变的设备有一整个用标号2表示的壳体。壳体2有一以拉长方式延伸的长方体形状的主要部分4。主要部分4的后端布置有垂直方向上向上延伸的一直立壁6。壳体2主要部分4的前半部上布置有一匣盒输入区8、一匣盒输出区10、一输送机构12、临时容纳装置14和清洗装置16。用手将容纳有许多工件的匣盒18放置在匣盒输入区8上。
容纳在匣盒18中的工件可为图2所示用安装带22装在架29上的半导体晶片24，也可为图3所示装在一支承基片26上的半导体晶片24。在图2中，由合适金属板或合适塑料制成的架20的中央形成有一安装开口20。半导体晶片24倒置即背面向上地位于架20的安装开口28中。安装带22粘接成以便在架20下表面与半导体晶片24的表面或下表面之间延伸，从而将半导体晶片24装到架20上。在图3中，半导体晶片24倒置即背面向上地粘在由玻璃或陶瓷制成的支承基片26上。支承基片26的轮廓可与半导体晶片24大致相同。可用公知的粘接剂将安装带22与半导体晶片24以及支承基片26与半导体晶片24粘接，以后通过加热或紫外线辐射消除粘性，剥下半导体晶片。用布置成格状的行列(未示出)在半导体晶片24的表面上形成许多长方形区，每一长方形区中形成有一电路(未示出)。为减小半导体晶片24的厚度，半导体晶片的方向向上的背面经过磨削加工。由于该磨削加工，半导体晶片24的背面上残留有机加工应变。
匣盒输出区10中放置一容纳有工件(即半导体晶片24)的匣盒30(匣盒30可大致与匣盒18相同)，工件的背面如下所述方式抛光。输送机构12将半导体晶片24逐个地从匣盒18输送到临时容纳装置14上。输送到临时接受装置14上的半导体晶片24的背面如下所述抛光以消除机加工应变后输送到清洗装置16。在清洗装置16中，可以是纯水的清洗水喷射到高速转动的半导体晶片24的背面上。从而清洗并干燥半导体晶片24的背面。然后将清洗装置16上的半导体晶片24送入匣盒30中。当容纳在匣盒输入区8上的匣盒18中的所有半导体晶片24都被抽出后，在匣盒输入区8用一容纳有许多半导体晶片24的新匣盒手工更换空匣盒18。当预定数量的半导体晶片24送入匣盒输出区10上的匣盒30中时，手工输出该匣盒30，然后一个空匣盒设置就位。
所示消除机加工应变的设备中的上述结构包括匣盒输入区8、匣盒输出区10、输送机构12、临时接受装置14和清洗装置16大致与例如在日本Disco Corporation销售的、商标名为“DFG841”的磨床中使用的结构相同。因此，这些部件不再赘述。
参见图4与图1，壳体2主要部分4的后半部中形成有一近似长方形下凹部32，吸盘装置34安装在该下凹部32中。吸盘装置34包括一支承件36和一装在支承件36上以便围绕一大致垂直延伸的中心轴线转动的盘形吸盘板38。支承件中布置有一转动吸盘板38的电马达(未示出)。有利的是，该吸盘板38由合适的多孔材料如多孔陶瓷制成。下凹部32上布置有一对如箭头40和42所示与壳体2延伸部的方向大致平行的方向(从而与下述抛光装置的转轴大致垂直)上延伸的导轨(未示出)。吸盘装置34的支承件36可滑动地安装在该对导轨上。下凹部32上还可转动安装有一在箭头40和42所示方向上延伸的螺纹轴(未示出)。吸盘装置34的支承件36中形成有在箭头40和42所示方向上延伸的内螺纹穿孔(未示出)，螺纹轴旋入在内螺纹孔中。一可为脉动电马达的电马达(未示出)的输出轴与该螺纹轴连接。当电马达正转时，吸盘装置34在箭头40所示方向上运动。当电马达反转时，吸盘装置34在箭头42所示方向上运动。吸盘装置34在其运动方向的两边上设有横截面呈内凹槽形的伸缩装置44和46盖住螺纹轴等。伸缩装置44和46可用合适材料如帆布制成。伸缩装置44的前端固定在下凹部34的前表面壁上，而伸缩装置44的后端固定在吸盘装置34的支承件36的前端表面上。伸缩装置46的前端固定在吸盘装置34的支承件36的后端表面上，而伸缩装置46的后端固定在壳体2的直立壁6的前表面上。当吸盘装置34在箭头40所示方向上运动上时，伸缩装置44伸长，伸缩装置46缩短。当吸盘装置34在箭头42所示方向上运动时，伸缩装置46伸长，伸缩装置44缩短。沿一箭头40和42所示方向上延伸的直的路径上运动的吸盘装置34如下详述可有选择地位于一工件输入/输出区50中或一在箭头40和42所示方向上相间距的抛光区52中。(如下详述，吸盘装置34还可在箭头40和42所示方向上在工件输入/输出区50和抛光区52中的预定范围上来回运动)。吸盘装置34的吸盘板38可有选择地通过布置在支承件36和壳体2中的一通道(未示出)与一真空源连通，从而用真空吸持将要抛光的工件即半导体晶片24，这在下文中说明。
工件输入装置54位于壳体2主要部分4的中门部分的一侧上。工件输入装置54设计成在吸盘装置34位于工件输入/输出区50时将放置在临时接受装置14上的工件即半导体晶片24传送到吸盘板38上。输入装置54包括一具有一大致垂直延伸的垂直部和一从该垂直部大致水平延伸的水平部的转动臂56和一装在转动臂56前端上的吸引器58。转动臂56的垂直部可上下运动并围绕一大致垂直延伸的中心轴线转动。吸引器58的下表面上布置有一多孔件。吸引器58可有选择地通过布置在转动臂56和壳体2主要部分4中的一通道(未示出)与一真空源(未示出)连通，从而将半导体晶片24吸持在吸引器58的下表面上。按照转动臂56的上下运动和转动，半导体晶片24被输送到所需位置。工件输出装置60布置在壳体2主要部分4的中间部分的另一侧上。工件输出装置60设计成在吸盘装置34位于工件输入/输出区50时将吸盘板38上的半导体晶片24传送到清洗装置16上。输出装置60也包括一具有一大致垂直延伸的垂直部和一从该垂直部大致水平延伸的水平部的转动臂62和一装在转动臂62前端上的吸引器64。转动臂62的垂直部可上下运动并围绕一大致垂直延伸的中心轴线转动。吸引器64的下表面上布置有一多孔件。吸引器64可有选择地通过布置在转动臂62和壳体2主要部分4中的一通道(未示出)与一真空源(未示出)连通，从而将半导体晶片24吸持在吸引器64的下表面上。按照转动臂62的上下运动和转动，半导体晶片24被输送到所需位置。
下凹部32的一侧上布置有一与工件输入装置54相关联的清洗池65。可以是纯水的清洗流体在清洗池65中循环。如果有灰尘或切屑粘在该下表面上，在将吸持在吸引器58上的工件即半导体晶片24输入到吸盘装置38上之前，工件输入装置54将其上装有半导体晶片24的架20和安装带22的下表面或支承基片的下表面浸入清洗池65中的清洗流体中，除去粘在这些下表面上的灰尘或切屑。
工件输入装置54的吸引器58在抛光之前与半导体晶片24的背面接触而吸持半导体晶片24。因此，布置在吸引器58下表面上的多孔件不受污染。而工件输出装置60的吸引器64在抛光后与半导体晶片24的背面接触而吸持半导体晶片24。因此，布置在吸引器64下表面上的多孔件被抛光切屑污染。因此在所示实施例中，壳体2主要部分4的另一侧上布置有需要时用来清洗工件输出装置60的吸引器64的下表面的吸引器清洗装置66。吸引器清洗装置66包括一固定在壳体2主要部分4下凹部32上的支架68和布置在支架68上互相平行的一毛刷件70和一油石72。大致水平延伸的圆筒形毛刷件70围绕其中心轴线转动。毛刷件70的圆周面上布置有许多可为合成纤维的纤维。可呈板状的油石72在大致水平方向上来回运动。在清洗吸引器64的下表面时，毛刷件70转动，油石72前后运动，吸引器64在预定范围上来回枢转，吸引器64的下表面压靠毛刷件70和/或油石72。毛刷件70刷去多孔件上的抛光切屑，同时油石72磨削多孔件表面，排出渗入多孔件中的抛光切屑并整平多孔件的表面。
在所示实施例中，壳体2主要部分4的中间部分还布置有清洗流体喷射装置74。清洗流体喷射装置74在用下文所述吸盘板清洗装置清洗吸盘板38时将可以是纯水的清洗流体喷射到吸盘装置34上一部位。如图4所示，壳体2主要部分4的下凹部32中形成有一排放孔76以便将从清洗流体喷射装置74喷射的清洗流体引入一排放软管(未示出)。
如图1所示，与吸盘装置34可有选择地位于其上的工件输入/输出区50相关联的壳体2主要部分4上布置有吸盘板清洗装置78。详细说，壳体2主要部分4的两相反侧边上布置有向上延伸的直立支承件80，一大致水平延伸的导杆82固定在支承件80之间。一滑块84装在导杆82上。滑块84中有一供导杆82穿过的穿孔，滑块84可在导杆82上滑动。一大致水平延伸在导轨82下方的螺纹轴86可转动地装在支承件80之间。螺纹轴86旋入形成在滑块84中的内螺纹穿孔中。支承件80之一上安装有一电马达88，电马达88的输出轴与螺纹轴86连接。电马达88正向转动而使螺纹轴86正向转动时，滑块84在箭头90所示方向上运动。电马达88反向转动而使螺纹轴86反向转动时，滑块84在箭头92所示方向上运动。滑块84正表面上安装有箱94和96。滑块84正表面上形成有大致垂直延伸的导轨98和100。箱94和96的后表面上形成有大致垂直延伸的导槽。通过箱94和96的导槽与导轨98和100相接合，从而将箱94和96安装到滑块84的正表面上以便上下运动。可以是气缸机构的提升装置介于滑块84和每一箱94和96之间。箱94和96由该提升装置升降。箱94中安装有一电马达，其输出轴102向下延伸过箱94。输出轴102大致垂直延伸(因此与吸盘板38表面大致垂直)，输出轴102的下端上固定有一毛刷件104。毛刷件104由一盘形底部和设在底部下表面上的许多可以是合成纤维的纤维构成。箱96中也安装有一电马达，其输出轴106向下延伸过箱96。输出轴106大致垂直延伸(因此与吸盘板38表面大致垂直)，输出轴106的下端上固定有一盘形油石108。
如下文所述，当工件输入到位于工件输入/输出区50中的吸盘装置34上时并当工件从吸盘装置34上输出时，箱94和96升高到非工作位置，滑块84退到壳体2主要部分4的一侧上。另一方面，当从吸盘装置34输出抛光后的工件后需要清洗吸盘装置34的吸盘板38时，滑块84运动到壳体2主要部分4的中央并定位成与吸盘装置34的吸盘板38正对。然后，驱动毛刷件104和油石108转动，箱94和96下降到工作位置，从而转动地驱动毛刷件104和油石108压靠吸盘板38表面。在此过程中，滑块84在箭头90和92所示方向上(因此在与吸盘板38表面平行方向上)在预定范围内来回运动。吸盘装置34转动的同时在箭头40和42所示方向上在预定范围内来回运动。此外，流体溶液从清洗流体喷射装置74喷向吸盘板38。因此，毛刷件104作用在由多孔材料制成的吸盘板38上，刷去抛光切屑，同时油石磨削吸盘板38表面，排出渗入的抛光切屑并整平吸盘板38表面。
参见图4，形成在壳体2主要部分内的下凹部32中布置有与吸盘装置34可有选择地位于其上的抛光区52相关联的冷却装置110。所示实施例中的冷却装置110包括将如空气的冷却气体喷射到抛光区52中保持在吸盘装置34的吸盘板38上的工件或半导体晶片24上的第一喷射装置111和将如空气的冷却气体喷射到抛光区52中作用在工件处理后的表面即半导体晶片24背面上的抛光工具(该抛光工具下文详述)上的第二喷射装置113。需要时，除了冷却装置110，吸盘装置34中还可有合适冷却装置，例如包括冷却介质在其中循环的循环通道的冷却装置，或可用该冷却装置取代冷却装置110。在所示实施例中，布置有与抛光区52相关联的修整装置112。修整装置112将可选择为压空气的高压气体喷射到抛光工具(在下文详述)的抛光件上，在抛光件上起所谓的修整作用。
参见图1和4，特别是图4，抛光装置114布置在壳体2后端直立壁6上。详细说，一对大致垂直延伸的导轨116固定在直立壁6的前表面上。一滑块118可垂直滑动地安装在该对导轨116上。滑块118后面两侧上形成有大致垂直延伸的腿120。腿120中形成的导槽与该对导轨116可滑动地接合。此外，一大致垂直延伸的螺纹轴122由支承件124和126可转动地安装在直立壁6的前表面上。一可选择为一脉动电马达的电马达128安装在支承件124上，马达128的输出轴与螺纹轴122连接。滑块118的后表面上有一连接部(未示出)以如下方式形成即从后表面宽度中央向后伸出。连接部中形成有一垂直延伸的内螺纹穿孔，螺纹轴122旋入该内螺纹穿孔中。因此，当电马达128正向转动时，滑块118下降。当电马达128反向转动时，滑块118升高。
滑块118前表面上形成有一向前伸出的支承部130，一箱132安装在该支承部130上。一大致垂直延伸的转轴134可转动地安装在箱132中。箱132中还安装有一电马达(未示出)，该电马达的输出轴与转轴134连接。转轴134的下端向下延伸过箱132的下端，一抛光工具136安装在转轴134的下端上。详细说，一盘形安装件138固定在转轴134的下端上。安装件138圆周间隔的位置上分布有许多穿孔(未示出)。如图5和6所示，抛光工具136由盘形支承件140和类似的盘形抛光件142构成。在支承件140中，其圆周间隔的位置上分布有许多从其上表面向下延伸的攻丝盲孔144。支承件140的下表面构成一圆形支承面，抛光件142用如环氧树脂粘接剂的合适粘接剂粘在支承件140的圆形支承面上。抛光件142最好由毛毡和散布在毛毡中的许多磨粒构成。抛光件142本身的结构的详细说明见日本专利申请No.2001-93397的说明书和附图。因此，抛光件142不再赘述，其详情见该说明书中的说明和附图。抛光工具136位于固定在转轴134下端上的安装件138的下表面上。夹紧螺栓146经安装件138中的穿孔旋入抛光工具136的支承件140的攻丝盲孔144中。由此，抛光工具136安装在安装件138上。
当要在抛光区52中对保持在吸盘装置34的吸盘板38表面上的工件的处理后的表面即半导体晶片24的背面抛光时，降下滑块118，使转动驱动的抛光工具136的抛光件142压靠半导体晶片24的背面。吸盘装置34围绕大致垂直延伸(从而与抛光件114的转轴134平行延伸)的中心轴线转动并在箭头40和42所示方向上在预定范围内来回运动。以此方式，使得抛光件142作用在半导体晶片24的背面上，从而对半导体晶片24的背面抛光而消除残留的机加工应变。在该抛光过程中，冷却气体从构成冷却装置110的第一喷射装置111和第二喷射装置113喷出，从而冷却半导体晶片24和抛光件142。抛光完成后，滑块118稍稍升高，抛光件142与半导体晶片24的背面分开。然后，高压气体从修整装置112喷向抛光件142，消除抛光件142堵塞或负载。
下面结合图7和1与4作进一步说明。在所示实施例中，布置一防尘盖148以便盖住压靠工件处理后的表面即半导体晶片24的背面的抛光工具136以及位于抛光区52中的吸盘装置34。防尘盖148总的呈匣盒形，具有一上壁150、一前壁152和侧壁154。防尘盖148具有紧贴直立壁6的后边并固定在图1所示位置上。防尘盖148的两侧壁154在其上下方向上中间部分各有一面向下的台阶表面156。侧壁154下半部紧贴下凹部32的侧表面，台阶表面156紧贴壳体2主要部分4侧边的上表面。防尘盖148的前壁152中形成有一供吸盘装置34穿过的长方形开口158。防尘盖148的上壁150中有一供抛光装置114和抛光工具136的支承件140穿过的圆开口160。防尘盖148的上壁150的一部分由一可开/可关的门162限定。门162包括具有一边与一侧壁154的上边铰接的第一枢转件164和具有一边与第一枢转件164的前边铰接的第二枢转件166。第二枢转件166的自由边上形成有一限定半个圆孔160的半圆形凹口。第二枢转件166的外表面上还形成有一可用手指钩住的下凹部168。门162通常位于图1和7中实线所示关闭位置，但当修理或更换抛光工具136时，可用手指钩住下凹部168将门打开到图7中双点划线所示的打开位置。防尘盖148上壁150上设有一从圆开口160周边向上延伸的圆柱形件161。圆柱形件161由两个半圆柱形件构成，其中之一固定在上壁150的主要部分上，另一半圆柱形件固定在门162的第二枢转件166上，并与第二枢转件166一起打开或关闭。防尘盖148的上壁150上设有一供防尘盖148内部的气体排出的排气管170。排气管170装有合适的排气装置(未示出)，在由抛光工具136对半导体晶片24的背面抛光时排出用防尘盖148包围的抛光区52中的气体。
下面结合图1和4简述所示消除机加工应变的设备的抛光作用的一例。当吸盘装置34位于工件输入/输出区50中时，其背面残留有机加工应变从而待抛光以消除机加工应变的半导体晶片24从接受装置14上的位置由工件输入装置54输入到吸盘装置34上，半导体晶片24的背面面向上。此时半导体晶片24被吸持在吸盘板38上。然后，吸盘装置34在箭头40所示方向上运动到抛光区52。在抛光区52中，保持半导体晶片24的吸盘板38转动，同时，转动驱动抛光工具136的抛光件142压靠吸盘板38上的半导体晶片24。此外，吸盘装置34在箭头40和42所示方向上在预定范围内来回运动。因此，抛光件142对半导体晶片24的背面进行干燥抛光以便消除残留机加工应变。在此过程中，冷却气体从第一喷射装置111喷向半导体晶片24，同时冷却气体从第二喷射装置113喷向抛光件142。此外，启动设置在排气管170中的排气装置，排出防尘盖148中的灰尘。
抛光一旦完成，抛光工具136向上与半导体晶片24的背面分开，吸盘装置34在箭头42所示方向上运动到工件输入/输出区50。然后，工件输出装置60将半导体晶片24从吸盘装置34的该位置上输出到清洗装置16。然后，需要时用吸盘板清洗装置78清洗吸盘板38。详细说，滑块84运动到壳体2主要部分4的中央并定位成与吸盘装置34的吸盘板38正对。转动驱动毛刷件104和油石108，箱94和96下降到工作位置，使得转动驱动的毛刷件104和油石108压靠吸盘板38表面。滑块84在箭头90和92所示方向上在预定范围内来回运动，吸盘装置34转动并也在箭头40和42所示方向上在预定范围内来回运动。此外，清洗流体从清洗流体喷射装置74喷向吸盘板38。清洗完吸盘板38后，箱94和96升高到非工作位置，滑块84退到壳体2主要部分4的一侧。然后，由工件输入装置54将位于接受装置14上的下一片半导体晶片24传送到吸盘装置34上。在吸盘板清洗区50清洗吸盘板38的同时需要时可用吸引器清洗装置66清洗工件输出装置60的吸引器64。
以上结合附图详细说明了本发明优选实施例。但是，应该指出，本发明不限于这些实施例，而是可在本发明精神和范围内作出种种改型和变型。
权利要求
1.一种消除机加工应变的设备，该设备通过抛光一工件的处理后的表面消除该表面上的机加工应变，包括在暴露处理后的表面的同时保持该工件的吸盘装置；工件输入/输出装置，其用于将要从该处理后的表面上消除机加工应变的工件输入到该吸盘装置上和将已从该处理后的表面上消除机加工应变的工件从该吸盘装置上的一位置输出；以及对保持在吸盘装置上的工件的处理后的表面进行抛光的抛光装置，其中，吸盘装置可有选择地位于一工件输入/输出区和一抛光区，当吸盘装置位于工件输入/输出区时，具有处理后的表面待消除机加工应变的工件输入到吸盘装置上，然后将吸盘装置传送到抛光区，用抛光装置对保持在吸盘装置上的工件的处理后的表面进行抛光，消除处理后的表面的机加工应变，然后吸盘装置回到工件输入/输出区后工件从吸盘装置上该位置输出；以及抛光装置包括一转轴和一安装在该转轴上的抛光工具，转动中的抛光工具压靠工件的处理后的表面，从而对处理后的表面抛光。
2.如权利要求1所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，该工件是具有在其一表面上形成有许多电路的一半导体晶片，该处理后的表面为该半导体晶片的磨削后的背面。
3.如权利要求1所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，该抛光工具具有一包括毛毡和散布在该毛毡中的磨粒的抛光件。
4.如权利要求3所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，该抛光工具具有一具有圆形支承表面的支承件，该抛光件是一粘接到该支承件的圆形支承表面上的圆盘形状。
5.如权利要求3所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，其还包括通过在该抛光件上喷射高压气体来对抛光件进行修整的修整装置。
6.如权利要求1所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，其还包括在抛光区中的抛光工具和/或工件上喷射冷却气体的冷却装置。
7.如权利要求1所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，当抛光装置对工件的处理后的表面抛光时，该吸盘装置围绕一与抛光装置的转轴平行延伸的中心转动轴线转动并还在与该抛光装置转轴大致垂直的方向上来回运动。
8.如权利要求7所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，该吸盘装置可沿一与该转轴大致垂直的直的路径运动，该吸盘装置有选择地位于工件输入/输出区和抛光区中时的运动以及吸盘装置在工具的处理后的表面由抛光装置抛光时的来回运动都沿着该直的路径上。
9.如权利要求1所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，布置一防尘盖包围位于抛光区中的吸盘装置、保持在吸盘装置上的工件和压靠工件的处理后的表面的抛光工具，该防尘盖上形成有一开口，当该吸盘装置从工件输入/输出区运动到抛光区和当吸盘装置从抛光区运动到工件输入/输出区时吸盘装置和保持在吸盘装置上的工件穿过该开口；一用来排出防尘盖中的气体的排气管与该防尘盖连接。
10.如权利要求9所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，该抛光装置的转轴可在其中心轴线方向上运动，防尘盖上形成有一开口，当抛光工具由该转轴在其中心轴线方向上运动而移向和移离吸持在吸盘装置上的工件时该抛光工具穿过该开口。
11.如权利要求1所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，该吸盘装置包括一由多孔材料制成并具有一大致平面的吸盘板，工件被吸到该吸盘板上，布置一吸盘板清洗装置清洗该吸盘板。
12.如权利要求11所述的消除机加工应变的设备，其特征在于，该吸盘板清洗装置包括一清洗刷和一油石，该清洗刷和油石分别压靠吸盘板表面，并分别在围绕一与吸盘板表面大致垂直延伸的中心轴线转动并在与吸盘板表面大致平行的方向上来回运动。
全文摘要
一种消除机加工应变的设备，它通过使用一抛光工具对一工件的处理后的表面例如一半导体晶片的磨削后的背面进行抛光从而高效、高质量地消除该处理后的表面或磨削后的背面上的机加工应变。该设备包括处理后的表面的同时保持该工件的吸盘装置和对保持在吸盘装置上的工件的处理后的表面进行抛光的抛光装置。该抛光装置包括一抛光工具，使得转动中的抛光工具压靠工件的处理后的表面，从而抛光该处理后的表面。
文档编号B24B53/017GK1407605SQ0212985
公开日2003年4月2日 申请日期2002年8月19日 优先权日2001年8月17日
发明者沟本康隆, 山中聪, 土井功达, 森俊, 鸿田隆 申请人:株式会社迪斯科