专利名称：双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法
技术领域：
本发明属于太阳电池技术领域，特别是涉及一种双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法。
背景技术：
目前，传统工艺的减反射膜氧化钛/氧化硅，其退膜用氢氟酸溶液。但该方法不能对三氧化二钛/三氧化二钇膜进行退膜，达不到技术规范要求。因此，无法处理现有的不合格三氧化二钛/三氧化二钇膜电池。
发明内容
本发明为解决现有技术存在的问题，提供了一种双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法。
本发明的目的是提供一种操作方便、工艺过程简单、质量易控制的氧化钛/氧化钇双层膜退膜方法。
本发明采用如下技术方案双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，将双层减反射膜浸入酸后，再用水清洗，其特征是退膜方法包括以下工艺过程(1)将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入硫酸中退膜，然后，用去离子水冲洗；(2)再浸入体积比HF∶H2O＝1∶4-1∶10的氢氟酸中退膜，退膜时间为3-10秒，然后，用去离子水冲洗；(3)电池脱水干燥。
本发明还可以采用如下技术措施上述的双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，其特点是将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入浓度为95％以上的浓硫酸中退膜，退膜时间为2-6秒。
上述的双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，其特点是退膜时间3-5秒。
上述的双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，其特点是将双层反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入浓度为95％以上的浓硫酸中退膜后，用去离子水冲洗6-8遍。
上述的双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，其特点是氢氟酸的体积比为1∶6-1∶8，退膜时间为6-9秒。
上述的双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，其特点是氢氟酸退膜后，用去离子水冲洗6-8遍。
上述的双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，其特点是电池脱水干燥采用酒精棉球擦拭后风干方式或烘干方式。
本发明具有的优点和积极效果双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，由于采用了本发明的技术方案，既能完全将氧化钛/氧化钇双层减反射膜退除干净，又不影响电池的重新镀膜使用，而且工艺操作简单、易控制、成本低，产品质量稳定可靠。
减反射蒸镀为硅太阳电池单体制作工艺的最后一道工艺，本发明可用于由于充氧阀失效或人为原因未开充氧阀而造成的不合格氧化钛/氧化钇膜电池退膜。
图1是本发明的双层减反射膜氧化钛/氧化钇电池结构示意图。
具体实施例方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹列举以下实例并进行详细说明如下实施例1参照附图1，电池的结构自上而下依次为负电极1、氧化钇膜2、氧化钛膜3、硅4和正电极5。
双层减反射膜氧化钛/氧化钇电池的退膜方法，将减反射膜蒸镀由于充氧阀失效造成的不合格氧化钛/氧化钇膜电池TDB24.5×40.2，先浸入浓度为98％的市售浓硫酸4秒钟，取出后用去离子水冲洗7遍；再浸入体积比HF∶H2O＝1∶7的氢氟酸8秒钟，然后用去离子冲洗7遍；最后用酒精棉球擦拭并扇干。
经过以上工艺加工，即可完成双层减反射膜氧化钛/氧化钇电池的退膜过程，得到合格的退膜硅太阳电池。
权利要求
1.双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，将双层减反射膜浸入酸后，再用水清洗，其特征在于退膜方法包括以下工艺过程(1)将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入硫酸中退膜，然后，用去离子水冲洗；(2)再浸入体积比HF∶H2O＝1∶4-1∶10的氢氟酸中退膜，退膜时间为3-10秒，然后，用去离子水冲洗；(3)电池脱水干燥。
2.根据权利要求1所述的退膜方法，其特征在于将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入浓度为95％以上的浓硫酸中退膜，退膜时间为2-6秒。
3.根据权利要求2所述的退膜方法，其特征在于退膜时间3-5秒。
4.根据权利要求2所述的退膜方法，其特征在于将双层反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入浓度为95％以上的浓硫酸中退膜后，用去离子水冲洗6-8遍。
5.根据权利要求1所述的退膜方法，其特征在于氢氟酸的体积比为1∶6-1∶8，退膜时间为6-9秒。
6.根据权利要求1所述的退膜方法，其特征在于氢氟酸退膜后，用去离子水冲洗6-8遍。
7.根据权利要求1所述的退膜方法，其特征在于电池脱水干燥采用酒精棉球擦拭后风干方式或烘干方式。
全文摘要
本发明属于太阳电池技术领域。双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法，包括以下工艺过程(1)将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入浓度为95％以上的浓硫酸2－6秒退膜，然后，用去离子水冲洗6－8遍；(2)再浸入体积比HF∶H
文档编号C23C14/08GK1512598SQ0215914
公开日2004年7月14日 申请日期2002年12月30日 优先权日2002年12月30日
发明者刘汉英 申请人:中国电子科技集团公司第十八研究所