专利名称：一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池的减反射膜，特别是一种太阳能电池的双层 减反射膜加工方法。
背景技术：
以前所使用的普遍方法是采用PECVD (高温气相化学沉积)，直接 在扩散完成后的硅片表面上进行氮化硅沉积，氮化硅相对于较早的Ti02 有明显的改善，因为氮化硅膜中富含[IT]键，可以捕获因表面结构处理 所产生缺陷的电子，减少表面复合中心的数量，提高太阳能电池的输出 电流，但是由于[Hl键不是稳定结构，容易脱离硅片表面，[FT]键脱离 所产生的地方造成缺陷，影响太阳能电池的性能，直观地从数据说，这 就是单层氮化硅减反射膜所造成太阳能电池片输出功率易衰减的主要 原因。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法， 主要解决上述现有单层减反射膜的电池片，功率不稳定，容易衰减的技 术问题，经过双层减反射膜处理，太阳能电池的输出功率的稳定性有了明显的提高。
为解决上述问题，本发明是这样实现的
一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于它包括如下 步骤
第一步，湿氧，即在高温下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜; 第二步，PECVD沉积，即在第一步中做好的二氧化硅膜上进行氮 化硅沉积。
所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该湿氧工 艺的操作流程是
(1) 将扩散好后的硅片放入扩散炉中，等温度升至指定温度；
(2) 开始通入氧气，氧气经过去离子水的容器后，将水带入炉体
内部；
(3) 等反应结束后，将其取出即可； 该湿氧工艺中的主要工艺参数是
氧气流量1.5—1.7L/min;
温度500。C一700。C;
时间4~6 min。
所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该湿氧工 艺中的优选工艺参数是 氧气流量1.6L/min;
温度600 。C;
时间4~"6 min。所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该PECVD
沉积工艺的具体操作步骤是
(1) 进舟；
(2) 慢抽真空；
(3) 快抽真空；
(4) 调压，看炉管内部压力是否稳定；
(5) 备用1，预热硅片；
(6) 检漏；
(7) 调压，检漏后第一次调压；
(8) 调压，检漏后第二次调压；
(9) 淀积，试起辉；
(10) 淀积，开始反应；
(11) 淀积，抽内部反应气体；
(12) 清洗，通氮气；
(13) 清洗，关闭反应气体，继续通氮气；
(14) 抽真空，关闭所有阀门；
(15) 充氮，恢复到大气状态；
(16) 退舟，取片；
该PECVD操作工艺的主要工艺参数是 硅烷氨气=1: 6—1: 8; 温度360°C—440。C;
时间12—13 min。所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该PECVD 操作工艺的优选工艺参数是-
硅烷氨气=1: 7; 温度400°C;
时间12—13 min。
藉由上述方法，本发明与现有技术相比具有如下优点-
1、 本发明方法中的双层减反射膜大大地增加了入射光在硅片表面 反射的次数，进而增加了硅片表面对光子吸收的几率，提高了太阳能电 池的输出电流。
2、 本发明方法中的双层减反射膜增加膜的均匀性。
具体实施例方式
本发明提供了一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其具体工 艺步骤可参阅如下实施例。
实施例一 一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，具体步骤是
第一步湿氧，即先在扩散好后的硅片表面进行湿氧工艺，所谓湿 氧工艺就是在高温下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜。 具体步骤如下
1. 将扩散好后的硅片放入扩散炉中，等温度升至指定温度；
2. 开始通入氧气，氧气经过去离子水的容器后，将水带入炉体内部；
3. 等反应结束后，将其取出即可。 湿氧操作工艺的主要工艺参数是氧气流量1.5—1.7L/min，最佳值1.6L/min; 温度500。C一700。C，最佳值600°C; 时间4~6 min。
第二步PECVD沉积，即在已经做好的二氧化硅膜上进行氮化硅 沉积。
具体步骤如下
1. 进舟；
2. 慢抽真空；
3. 快抽真空；
4. 调压，看炉管内部压力是否稳定；
5. 备用1，预热硅片；
6.检漏；
7.调压，检漏后第一次调压；
8.调压，检漏后第二次调压；
9.淀积，试起辉；
IO.淀积，开始反应；
ll.淀积，抽内部反应气体；
12.清洗，通氮气；
13.清洗，关闭反应气体，继续通氮气;
14.抽真空，关闭所有阀门；15.充氮，恢复到大气状态；
16.退舟，取片。PECVD操作的主要工艺参数是-
硅垸氨气=1: 6—1: 8，最佳值为h 7;
温度360。C一44(TC，最佳值为40CTC; 时间12—13 min。
经过双层减反射膜处理，太阳能电池的输出功率的稳定性有了明显 的提高，平均光电转换效率比以往单层减反射膜高出0.2%，约为0.03w。
综上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明的实 施范围。即凡依本发明申请专利范围的内容所作的等效变化与修饰，都 应为本发明的技术范畴。
权利要求
1、一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于它包括如下步骤第一步，湿氧，即在高温下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜；第二步，PECVD沉积，即在第一步中做好的二氧化硅膜上进行氮化硅沉积。
2、 根据权利要求1所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法， 其特征在于该湿氧工艺的操作流程是(1) 将扩散好后的硅片放入扩散炉中，等温度升至指定温度；(2) 开始通入氧气，氧气经过去离子水的容器后，将水带入炉体内部；(3) 等反应结束后，将其取出即可； 该湿氧工艺中的主要工艺参数是 氧气流量1.5—1.7L/min;温度500。C一700。C; 时间4~6 min。
3、 根据权利要求2所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法， 其特征在于该湿氧工艺中的优选工艺参数是氧气流量1.6L/min; 温度600 。C; 时间4~6 min。
4、 根据权利要求1或2或3所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该PECVD沉积工艺的具体操作步骤是(1) 进舟；(2) 慢抽真空；(3) 快抽真空；(4) 调压，看炉管内部压力是否稳定；(5) 备用1，预热硅片；(6) 检漏；(7) 调压，检漏后第一次调压；(8) 调压，检漏后第二次调压；(9) 淀积，试起辉；(10) 淀积，开始反应；(11) 淀积，抽内部反应气体；(12) 清洗，通氮气；(13) 清洗，关闭反应气体，继续通氮气；(14) 抽真空，关闭所有阀门；(15) 充氮，恢复到大气状态；(16) 退舟，取片；该PECVD操作工艺的主要工艺参数是 硅烷氨气=1: 6—1: 8;温度360。C一440。C; 时间12—13 min。
5、根据权利要求4所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该PECVD操作工艺的优选工艺参数是:硅垸氨气=1: 7; 温度400 °C;时间12—13 min。
全文摘要
本发明涉及太阳能电池的减反射膜，特别是一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法。它包括如下步骤第一步，湿氧，即在高温下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜；第二步，PECVD沉积，即在第一步中做好的二氧化硅膜上进行氮化硅沉积。本发明方法主要解决上述现有单层减反射膜的电池片，功率不稳定，容易衰减的技术问题，经过双层减反射膜处理，太阳能电池的输出功率的稳定性有了明显的提高。
文档编号H01L31/18GK101431121SQ20071004789
公开日2009年5月13日 申请日期2007年11月7日 优先权日2007年11月7日
发明者李文男, 郭文林, 建 陈 申请人:展丰能源技术(上海)有限公司