专利名称：抛光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种抛光装置，尤其是涉及一种将诸如半导体晶片一类的工件进行平整镜面加工的抛光装置。本发明同时还涉及一种对所述抛光装置进行调节的方法。
背景技术：
由于近年来半导体日趋集成化，因此电路之间的相互连接变得更为精密，同时这些电路连接之间的距离变得很小。对于影印技术而言，其形成的相互连接至多为0.5微米宽，由于一光学系统聚焦的深度相当地小，因此这就需要通过一分节器使得图像聚焦的平面尽可能的平整。为了获得所述这种半导体晶片，人们已经使用一种抛光装置以实施化学机械抛光(CMP)。
这种类型的抛光装置包括一个其上连接有一抛光垫(抛光布)的抛光台面，以及一个用于支撑诸如半导体晶片一类的需被抛光工件，以使其抛光面面向所述抛光台面的顶环。所述抛光垫具有一个用作抛光表面的上表面。在这种抛光装置中，所述抛光台面以及所述顶环各自独立转动，同时一种研磨液(浆)被提供给所述抛光垫，通过所述顶环施加的一定的压力，一工件被压靠在所述抛光台面上之所述抛光垫上。因此，所述工件的一个面得以被实施平整镜面加工。
当使用这样一种抛光装置对一工件进行抛光时，为了获得所预期的抛光性能，这就需要在抛光期间对所述部件在所述顶环中的垂直位置予以调整。通常，块规被用于调节所述部件在所述顶环中的垂直位置。具体地说，具有一定厚度的块规被放置在所述抛光面以及所述部件之间，随后所述顶环下降直至其与在所述抛光面上的所述块规相接触。因此，在抛光时，所述块规能够对所述部件之所述垂直位置予以调整。
但是，按照传统的方法，需要手工调节所述块规，以便于调节所述部件的垂直位置。因此，按照传统的方式，对所述部件在所述顶环中的垂直位置的调整繁琐且耗时。此外，对于块规未对其垂直位置予以调整的工件而言，一旦这种部件被磨损，则按照传统的方式，所述部件的垂直位置则无法再被调节。
发明内容
本发明基于上述的缺陷而提出。因此，本发明的一个目的是提供一种抛光装置，所述抛光装置能够在短期内自动地调节所述部件在所述顶环中的位置，并且能够防止所述抛光面的磨损。
本发明的另一个目的是提供一种抛光装置的调节方法，其中所述抛光装置能够在短期内自动地调节所述部件在所述顶环中的位置，并且能够防止所述抛光面的磨损。
按照本发明的第一方面，其提供了一种抛光装置，所述抛光装置具有一个其上连接有一抛光面的抛光工作台以及一个使得一工件得以压靠于所述抛光面上的顶环。所述顶环具有一个壳体以及一个可在所述壳体中垂直移动以支撑所述工件之外周缘的限位环。所述抛光装置具有一个可使得所述顶环垂直移动的移动机构，一个可连同所述顶环垂直移动的支架，一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架之下移的挡块以及一个用以检测所述挡块以及所述支架之间距离的传感器。所述抛光装置还包括一个控制总成，当所述限位环与所述抛光面接触、同时所述顶环之一下表面距离所述抛光面一预定的高度时，所述控制总成能够对所述挡块的垂直位置予以调整，从而使得所述挡块以及所述支架之间的距离和抛光时所述壳体之所述下表面距所述抛光面之间的高度与所述预定高度之间的差相等。当所述壳体相对于所述限位环移动至一最高位置时，所述预定的高度最好被定义为所述顶环之所述壳体的高度。
通过采用上述的布置，即使所述抛光面，例如一抛光垫变的很薄，所述挡块之所述垂直位置也能够被自动地再调节，从而使得所述顶环之所述壳体处于一具有一预期之跨接高度的位置处。这样一来，在短期内自动调节所述跨接高度便成为可能。而按照传统的方法，如果在所述顶环中的一个可伸展的诸如限位环的部件受到磨损，则所述跨接高度无法再予以调节。按照本发明，即使所述这种可伸展的部件受到磨损，所述跨接高度也可按照上述的方式予以再调节。
按照本发明的第二方面，其提供了一种抛光装置，所述抛光装置具有一个其上连接有一抛光面的抛光工作台以及一个使得一工件得以压靠于所述抛光面上的顶环。所述顶环具有一个用以支撑所述工件之外周缘的限位环以及一个垂直可移动的用以使得所述工件位于其一下表面上的卡板。所述抛光装置具有一个可使得所述顶环垂直移动的移动机构，一个可连同所述顶环垂直移动的支架，一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架之下移的挡块以及一个用以检测所述挡块以及所述支架之间距离的传感器。所述抛光装置还包括一个控制总成，当位于所述可垂直移动之卡板下表面上的所述工件与所述抛光面接触、同时所述顶环之所述限位环的一下表面距离所述抛光面一预定的高度时，所述控制总成能够对所述挡块的垂直位置予以调整，从而使得所述挡块以及所述支架之间的距离和抛光时所述限位环之所述下表面距所述抛光面之间的高度与所述预定高度之间的差相等。当所述限位环相对于所述卡板移动至一最高位置时，所述预定的高度最好被定义为所述顶环之所述限位环的高度。
通过上述的这种布置，所述挡块之垂直位置的自动调节成为可能，从而所述顶环之所述限位环能够位于一所期望的位置处。所述工件能够在所述限位环位于所述抛光面上方的情形下被抛光，从而防止所述抛光面为所述限位环所磨损。
按照本发明的第三方面，其提供了一种抛光装置，所述抛光装置具有一个其上连接有一抛光面的抛光工作台以及一个使得一工件得以压靠于所述抛光面上的顶环。所述抛光装置具有一个可使得所述顶环垂直移动的移动机构，一个可连同所述顶环垂直移动的支架以及一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架之下移的挡块。所述抛光装置还包括一个使得所述挡块在垂直方向的位置得以调节的控制总成。
按照本发明的第四方面，其提供了一种抛光装置，所述抛光装置具有一个其上连接有一抛光面的抛光工作台以及一个使得一工件得以压靠于所述抛光面上的顶环。所述顶环具有一个壳体以及一个可在所述壳体中垂直移动以支撑所述工件之外周缘的限位环。所述抛光装置具有一个可使得所述顶环垂直移动的移动机构，一个可连同所述顶环垂直移动的支架、一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架之下移的挡块以及一个用以检测所述挡块以及所述支架之间距离的传感器。所述抛光装置还包括一个基于来自所述传感器的一个距离信号而使得所述挡块在垂直方向的位置得以调节的控制总成。
按照本发明的第五方面，其提供了一种调节一抛光装置的方法。其中所述抛光装置具有一个其上连接有一抛光面的抛光工作台以及一个使得一工件得以压靠于所述抛光面上的顶环。所述顶环具有一个壳体以及一个可在所述壳体中垂直移动以支撑所述工件之外周缘的限位环。当所述顶环之所述壳体的下表面距离所述抛光面一预定的高度时，所述限位环与所述抛光面接触。所述挡块以及所述支架之间的距离被检测。所述挡块在垂直方向的位置被调节以使得所述挡块以及所述支架之间的距离和抛光时所述限位环之所述下表面距所述抛光面之间的高度与所述预定高度之间的差相等。当所述壳体相对于所述限位环移动至一最高位置时，所述预定的高度最好被定义为所述顶环之所述壳体的高度。
按照本发明的第六方面，其提供了一种调节一抛光装置的方法。其中所述抛光装置具有一个其上连接有一抛光面的抛光工作台以及一个使得一工件得以压靠于所述抛光面上的顶环。所述顶环具有一个用以支撑所述工件之外周缘的限位环以及一个垂直可移动的用以使得所述工件位于其一下表面上的卡板。当所述顶环之所述限位环的一下表面距离所述抛光面一预定的高度时，位于所述可垂直移动之卡板下表面上的所述工件与所述抛光面接触。所述挡块以及所述支架之间的距离被检测。所述挡块在垂直方向的位置被调节以使得所述挡块以及所述支架之间的距离和抛光时所述限位环之所述下表面距所述抛光面之间的高度与所述预定高度之间的差相等。当所述限位环相对于所述卡板移动至一最高位置时，所述预定的高度最好被定义为所述顶环之所述限位环的高度。
通过下面参照附图对其中的本发明之最佳实施方式的描述，本发明之上述以及其他的目的、特征以及有益效果将变得更为显而易见。
附图1是按照本发明第一实施例之一抛光装置的示意图；附图2是附图1所示抛光装置顶环的剖视图；
附图3是附图1所示抛光装置在其中的一挡块在垂直方向的位置被调节时的示意图；附图4是附图1所示抛光装置在其中的一晶片被抛光时的示意图；附图5是按照本发明第二实施例之一顶环的剖视图；以及附图6是附图5所示顶环在一晶片被抛光时所处状态的示意图。
具体实施例方式
下面将参照附图1-6对按照本发明第一实施例之一抛光装置予以描述。在附图1-6中，类似或相应的部件采用相同的附图标记并且不再重复描述。
附图1示出了按照本发明第一实施例之一个抛光装置的示意图。正如附图1所示，所述抛光装置具有一个其上连接有一抛光垫10的抛光台面12，一个支撑轴14，一个连接于所述支撑轴14之一上端部的顶环架16，一个安装于所述顶环架16之一自由端的顶环轴18，以及与所述顶环轴18相连的顶环20。例如，所述顶环20成圆盘结构。所述抛光台面12通过一台面轴12a与位于其下方的电机(未示出)相连。因此，当所述电机工作时，所述抛光台面12绕所述台面轴12a转动。所述抛光装置具有一个位于所述抛光台面12上方的抛光液供给喷嘴22。所述抛光液供给喷嘴22向位于所述抛光台面12上的所述抛光垫10提供一种抛光液。
所述顶环架16具有一个安装于其上表面上的一个转动电机24。所述转动电机24具有一个通过位于所述顶环架16中的一个皮带(未示出)与所述顶环轴18相连的轴。因此，当所述转动电机24工作时，所述顶环轴18通过所述皮带的带动而转动，从而使得所述顶环20绕所述顶环轴18转动。所述顶环架16安装于所述支撑轴14的上端，以便于绕所述支撑轴14枢转。所述支撑轴14具有一个与其下端部相连的枢轴运动电机26。因此，当所述枢轴运动电机26工作时，所述顶环架16在所述支撑轴14上的一个水平面上枢转。
所述顶环轴18可垂直移动以便于使得所述顶环20升降。所述顶环轴18具有一个位于所述顶环轴18之上部的支架28。所述支架28可连同所述顶环轴18一起垂直移动。所述顶环架16具有一个与所述支架28的一部分相连的气缸30。所述气缸30用作一个垂直移动机构，其通过所述支架28而使得所述顶环轴18以及所述顶环20相对于所述顶环架16垂直移动。因此，所述气缸30的工作使得所述顶环20得以在垂直方向移动。
所述顶环架16具有一个位于其中的控制总成34以及一个与所述控制总成34相连的挡块32。所述挡块32的布置使得其垂直位置能够为所述控制总成34所调节。所述控制总成34控制所述挡块32的垂直位置。当所述支架28与所述挡块32之一上表面接触时，所述挡块32阻止所述顶环20之进一步的下移。所述支架28具有一个传感器36，所述传感器36用于检测所述挡块32之一上表面与所述支架28之间的距离。
附图2是附图1所示之顶环20的剖视图。所述顶环20使得诸如一晶片W的一工件压靠于所述抛光垫10上。正如附图2所示，所述顶环20具有一个与所述顶环轴18之一低端相连的壳体40，一个位于所述壳体40中的可垂直移动的副机架42以及一个位于所述晶片W之一圆周部的限位环44。所述限位环44用以支撑所述晶片W之所述外周缘。所述限位环44位于所述壳体40之所述圆周部40a以及所述副机架42之间。
所述副机架42通过一个上隔膜46以及一下隔膜48安装于所述壳体40上。所述隔膜46以及48为弹性膜。因此，所述上下隔膜46、48能够使得所述副机架42相对于所述壳体40垂直移动。所述限位环44具有一个与所述下隔膜48相连的上部，并且可以借助所述下隔膜48相对于所述壳体40垂直移动。
所述副机架42使得一弹性膜片50位于其一下表面上。所述弹性膜片50在其与所述副机架42之所述下表面之间限定了一个腔室52。所述腔室52中可存储具有一预定压力的液体。通过调节提供给所述腔室52之所述流体的压力，调节所述晶片W压靠于所述抛光垫10上的力变成为可能。所述隔膜46，48，所述副机架42以及所述壳体40之所述圆周部40a构成了一个腔室54，所述腔室54能够接收具有一预定压力之流体。通过调节提供给所述腔室54之流体的压力，所述腔室54中流体压力的调节成为可能。
所述壳体40之所述圆周部40a具有一个沿径向向内延伸的突起部40b，所述限位环44具有一个沿径向向外延伸的突起部44a。当所述限位环44之所述突起部44a与所述壳体40之所述突起部40b的一个上表面接触时，所述壳体40之所述突起部40b能够阻止所述限位环44之进一步的下移。
当采用如此构造的抛光装置时，所述晶片W以如下的方式被抛光。所述气缸30工作而使得所述顶环20下降，从而所述支架28与所述挡块32接触。如此一来，所述顶环20降低至一预定的位置处。所述位置被事先确定以使得所述抛光垫10之一上表面以及壳体40之所述圆周部40a之间的距离BH(参见附图2)保持一预期的值BH10。所述距离BH在下面被称作一跨接高度。
当所述抛光垫10由于重复之抛光工序带来的磨损而变薄时，如果所述顶环20仍保持上述预定的位置处，则所述限位环44以及所述副机架42向下伸出与所述抛光垫10厚度之减少量相一致的一个距离。在这种情况下，所述隔膜46以及48在形状上发生变化。隔膜46以及48的形状对所述晶片之抛光性能具有一定的影响，因此其在抛光过程中是一个重要的参数。因而，在抛光过程中，所述隔膜46以及48的形状需保持不变。
附图2示出了抛光期间所述顶环20之一理想的状态。正如附图2所示，所述限位环44之所述伸出部44a以及所述壳体40之所述伸出部40b的上表面之间具有一间隙L。所述跨接高度一经被确定，则所述间隙L的尺寸能够基于所述限位环44以及所述壳体40之所述伸出部40b的尺寸而自动的确定。按照本实施例，为了使得所述隔膜46以及48的形状得以保持，所述间隙L被调节成一预期的值L0以使得所述跨接高度保持一预期的值BH0。所述预期值L0的确定最好使得抛光期间作为一弹性膜片之隔膜48的反力以及提供给腔室54之流体作用于所述隔膜48上一个力的总和能够实现一预期的抛光性能要求。在本实施例中，所述间隙L以及所述跨接高度BH如下所述而被调节。
首先，根据预先确定的所述跨接高度的预期值BH0计算所述限位环44之所述伸出部44a以及所述壳体40之所述伸出部40b的上表面之间间隙的预期值L0。随后，所述挡块32的垂直位置被调节，从而使得所述限位环44之所述伸出部44a以及所述壳体40之所述伸出部40b的上表面之间的间隙L变成所述预期值L0(预先计算的)。
附图3是当所述挡块32的垂直位置受到调节时所述抛光装置所处状态的示意图。当所述挡块32的垂直位置受到调节时，一加压流体被提供给位于所述限位环44上方的腔室54以使得所述限位环44向下移动，进而使得所述限位环44之所述伸出部44a与所述壳体40之所述伸出部40b的上表面接触。在这一状态下，所述顶环20在所述气缸30不工作的情形下下降，以使得所述限位环44之所述下表面位于所述抛光垫10之所述上表面上。由于所述气缸30未向所述顶环20施压，因此正如附图3所示，所述限位环44之所述伸出部44a仍保持与所述壳体40之所述伸出部40b的上表面接触。在这种状态下，所述顶环20之所述壳体20相对于所述限位环44处于一最高位置处。
随后，所述控制总成34基于来自所述传感器36的一个距离输出信号移动所述挡块32并调节所述挡块32的垂直位置，从而使得由所述传感器36所检测的所述挡块32以及所述支架28之间的所述距离如附图3所示等于所述间隙的预期值L0。在抛光时，所述挡块32被调节的位置确定了所述顶环20之一垂直位置。所述挡块32被调节的位置存储于所述控制总成34内的一个存储装置中。
附图4是当所述晶片被抛光时所述抛光装置所处状态的示意图。正如附图4所示，当一晶片被抛光时，所述气缸30工作以使得所述顶环20下降直至所述支架28与所述挡块32之所述上表面接触。此时，随着所述限位环44与所述抛光垫10接触，所述顶环20由附图所示的状态向下移动所述距离L0。因此，所述限位环44之所述伸出部44a以及所述壳体40之所述伸出部40b的上表面之间能够形成一预期间隙值L0。因此，所述壳体40之所述圆周部40a的下表面得以处于所述预期的跨接高度BH0处。
如上所述，在本实施例中，所述挡块32之垂直位置受到调节，从而使得如附图3所示的所述挡块32以及所述支架28之间的距离等于抛光时所述壳体之所述下表面距所述抛光垫10的高度(BH0)与附图3所示的所述壳体40之所述下表面的高度，即所述距离L0之间的差值。通过这种布置，即使所述抛光垫10变薄，所述挡块32的位置也能够被自动地再调节，从而使得所述顶环20之所述壳体40位于具有一预期之跨接高度的位置处。因此，所述跨接高度有可能在短期内被自动的调节。而按照传统的方法，如果位于所述顶环20上的诸如所述限位环40一类的可延展部件受到磨损，则所述跨接高度无法被再调节。按照本发明，即使位于所述顶环20上的这样一种可延展部件受到磨损，则所述跨接高度也可按照上述的方式而被再调节。
本发明并不局限于上述形式的顶环20，其他类型的顶环也可以被采用。例如，本发明可采用如附图5所示的一种顶环120。附图5所示的顶环120具有一个与一顶部环轴18相连的壳体140，一个位于所述壳体140中的可垂直移动的卡板142以及一个与所述壳体140之一底部圆周端相连的限位环144。
所述卡板142通过一个由弹性膜片制成的隔膜146与所述壳体140相连。所述卡板142可相对于所述壳体140以及所述限位环144垂直移动。所述隔膜146在所述壳体140以及所述卡板142之间限定了一个腔室148。所述腔室148可以接收具有一预定压力之流体。通过调节提供给所述腔室148之所述流体的压力，所述卡板142有可能相对于所述壳体140以及所述限位环144垂直移动。
所述卡板142支撑在其一下表面上的一个弹性模片150。所述弹性膜片150在其与所述卡板142之所述下表面之间限定了一个腔室152。所述腔室152可以接收具有一预定压力之流体。通过调节提供给所述腔室152之所述流体的压力，所述晶片W压靠所述抛光垫10的力有可能得以调节。
所述卡板142具有一沿径向向外延伸的伸出部142a。当所述卡板142之所述伸出部142a与所述限位环144之一上表面接触时，所述限位环144阻止所述卡板142之进一步的下移。所述壳体140可以具有一沿径向向内延伸的圆周部以防所述卡板142之进一步的下移。
当所述挡块32的垂直位置受到调节时，一加压流体被提供给位于所述卡板142上方的腔室148以使得所述卡板142下移，并进而使得所述卡板142之所述伸出部142a与所述限位环144之所述上表面接触。在这种状态下，所述顶环120在所述气缸30不工作的情况下下降，从而使得在所述卡板142之所述下表面上的一个晶片W位于所述抛光垫10的表面上。由于所述气缸30未向所述顶环120施压，因此所述卡板142之所述伸出部142a仍保持与所述限位环144之所述上表面接触。在这种状态下，所述顶环120之所述壳体140以及所述限位环144相对于所述卡板142处于一最高位置处。随后，所述控制总成34基于来自所述传感器36的一个距离输出信号移动所述挡块32并调节所述挡块32的垂直位置，从而使得由所述传感器36所检测的所述挡块32以及所述支架28之间的所述距离等于所述间隙的预期值L0(参见附图6)。在抛光时，所述挡块32被调节的位置确定了所述顶环20之一垂直位置。所述挡块32被调节的位置存储于所述控制总成34内的一个存储装置中。
当一晶片被抛光时，所述气缸30工作以使得所述顶环120下降直至所述支架28与所述挡块32之所述上表面接触。附图6示出了此时所述顶环120所处的状态，正如附图6所示，在所述晶片W能够在所述限位环144距所述抛光垫10一预定的高度H0时被抛光。具体地说，所述晶片W能够在所述限位环144位于所述抛光垫10上方的状态下被抛光，以防由所述限位环144造成的所述抛光垫10的磨损。
在上述的实施例中，所述抛光垫10之所述上表面作为一抛光面，其与所述半导体晶片W滑动接触。但是，所述抛光面并不局限于所述抛光垫之所述上表面。例如，所述抛光面可以由一固定磨料构成。所述固定磨料形成一平板，所述平板具有由粘结剂固定的研磨粒子。通过采用所述固定磨料进行抛光，所述抛光程序通过由所述固定磨料自生成的研磨粒子而实施。所述固定磨料包括研磨粒子、一种粘结剂以及孔隙。例如，一种平均粒子半径为0.5微米或更小的二氧化铈可用作一种研磨粒子，同时一种环氧树脂可用作一种粘结剂。这样一种固定磨料形成了一较硬的抛光面。所述固定磨料包括一固定磨料垫，所述固定磨料垫采用由一薄层固定磨料以及一与其下表面相连之一弹性抛光垫构成的两层结构。
尽管上面已示出了本发明之最佳实施例并且对其进行了描述，但是应当明白的是，在不脱离权利要求所要求保护之范围的情况下，本领域的普通技术人员能够作出各种改进和变形。
工业实用性本发明适用于将诸如半导体晶片的工件进行平整镜面加工处理的抛光装置。
权利要求
1.一种抛光装置，所述抛光装置包括一个其上具有一抛光面的抛光工作台；一个使得一个工件得以压靠于所述抛光面上的顶环，所述顶环具有一个壳体以及一个可在所述壳体中垂直移动以支撑所述工件之外周缘的限位环；一个可使得所述顶环垂直移动的垂直移动机构；一个可连同所述顶环垂直移动的支架；一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架之下移的挡块；一个用以检测所述挡块以及所述支架之间距离的传感器；以及一个控制总成，当所述限位环与所述抛光面接触、同时所述顶环的所述壳体之下表面距离所述抛光面一预定的高度时，所述控制总成能够对所述挡块的垂直位置予以调整，从而使得所述挡块和所述支架之间的距离等于抛光时所述壳体之所述下表面距所述抛光面之间的高度与所述预定高度之间的差。
2.如权利要求1所述的抛光装置，其特征在于所述预定的高度被定义为当所述壳体相对于所述限位环移动至最高位置时，在所述抛光面上方之所述壳体的高度。
3.一种抛光装置，所述抛光装置包括一个其上具有一抛光面的抛光工作台；一个使得工件得以压靠于所述抛光面上的顶环，所述顶环具有一个用以支撑所述工件之外周缘的限位环以及一个垂直可移动的用以使得所述工件位于其一下表面上的卡板；一个可使得所述顶环垂直移动的垂直移动机构；一个可连同所述顶环垂直移动的支架；一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架之下移的挡块；一个用以检测所述挡块以及所述支架之间距离的传感器；以及一个控制总成，当位于所述可垂直移动之卡板下表面上的所述工件与所述抛光面接触、同时所述顶环之所述限位环的下表面距离所述抛光面一预定的高度时，所述控制总成能够对所述挡块的垂直位置予以调整，从而使得所述挡块和所述支架之间的距离等于抛光时所述限位环之所述下表面距所述抛光面之间的高度与所述预定高度之间的差。
4.如权利要求3所述的抛光装置，其特征在于所述预定的高度被定义为当所述限位环相对于所述卡板移动至最高位置时，在所述抛光面上方之所述限位环的高度。
5.一种抛光装置，所述抛光装置包括一个其上具有一抛光面的抛光工作台；一个使得工件得以压靠于所述抛光面上的顶环；一个可使得所述顶环垂直移动的垂直移动机构；一个可连同所述顶环垂直移动的支架；一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架之下移的挡块；以及一个使得所述挡块在垂直方向的位置得以调节的控制总成。
6.一种抛光装置，所述抛光装置包括一个其上具有一抛光面的抛光工作台；一个使得工件得以压靠于所述抛光面上的顶环，所述顶环具有一个壳体以及一个可在所述壳体中垂直移动以支撑所述工件之外周缘的限位环；一个可使得所述顶环垂直移动的垂直移动机构；一个可连同所述顶环垂直移动的支架；一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架之下移的挡块；一个用以检测所述挡块和所述支架之间距离的传感器；以及一个基于来自所述传感器的一个距离信号而使得所述挡块在垂直方向的位置得以调节的控制总成。
7.一种调节一抛光装置的方法，所述方法包括使得可在一个顶环之壳体中垂直移动的限位环与一个抛光面接触，同时使得所述顶环之所述壳体的一个下表面距所述抛光面一预定的高度；检测可随同所述顶环一起垂直移动的支架和垂直位置可被调节以防所述支架进一步下移的挡块之间的距离；以及调节所述挡块在垂直方向的位置，从而使得所述支架和所述挡块之间的距离等于抛光时所述壳体之所述下表面距所述抛光面的高度与所述预定高度之间的差值。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于所述预定的高度被定义为当所述壳体相对于所述限位环移动至最高位置时，所述壳体在所述抛光面上的高度。
9.一种调节一抛光装置的方法，所述方法包括使得一个工件位于一顶环的可垂直移动之卡板的下表面上；使得位于所述可垂直移动之卡板的所述下表面上的所述工件与一抛光面接触，同时使得支撑所述工件之外周缘的一顶环之限位环的下表面距所述抛光面一预定的高度；检测可随同所述顶环一起垂直移动的一支架和一垂直位置可被调节以防所述支架进一步下移的一挡块之间的距离；以及调节所述挡块在垂直方向的位置，从而使得所述支架和所述挡块之间的距离等于抛光时所述限位环之所述下表面距所述抛光面的高度与所述预定高度之间的差值。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述预定的高度被定义为当所述限位环相对于所述卡板移动至最高位置时，所述限位环在所述抛光面上方的高度。
全文摘要
本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置具有一个其上具有一抛光面(10)的抛光工作台(12)和一个使得一个工件(W)得以压靠于所述抛光面(10)上的顶环(20)。所述顶环(20)具有一个壳体(40)和一个可在所述壳体(20)中垂直移动以支撑所述工件(W)之外周缘的限位环(44)。所述抛光装置具有一个可使得所述顶环(20)垂直移动的移动机构，一个可连同所述顶环(20)垂直移动的支架(28)，一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架(28)之下移的挡块(32)以及一个用以检测所述挡块(32)和所述支架(28)之间距离的传感器(36)。所述抛光装置还包括一个基于来自所述传感器(36)之距离信号调节所述挡块(32)之所述垂直位置的控制总成(34)。
文档编号B24B37/07GK1708378SQ20038010240
公开日2005年12月14日 申请日期2003年11月4日 优先权日2002年11月5日
发明者叶山卓儿, 井上正文, 樱井邦彦 申请人:株式会社荏原制作所