专利名称：在基片上制造结晶材料的过程的制作方法
有关申请的交叉参照本申请要求2004年5月21日提交的申请号为10/851,038的美国专利申请的优先权，该申请是Couillard等人于2003年7月18日提交的序列号为10/622,606且标题为“Silicon Crystallization Using Self-Assembled Monolayers”的美国专利申请的部分延续申请，该申请已转让给本申请的受让人。要求根据35U.S.C§120的优先权，并且该申请的全部内容都被特别地包括在本文中作为参考。
背景技术：
在许多技术中，将电子元件制造在器件的基片上是很有用的。通常，这些电子器件是由基片上所形成的一层或多层半导体构成的。例如，薄膜晶体管(TFT)常常是由液晶(LC)板或有机发光二极管(OLED)板中的基片上的半导体材料构成。LC板和OLED板分别用在LC显示器(LCD)和OLED显示器中。另外，太阳能电池板常常包括多个单独的电池，这些电池包括由基片上所形成的一层或多层半导体构成的晶体管。
在LCD器件中，使用包括TFT阵列的电子元件来控制电压，而电压可调制液晶材料层。通常，阵列中的晶体管都是金属氧化物半导体(MOS)器件。在太阳能电池板中，MOS器件被用于电荷存储。
LCD显示器常常包括玻璃基片，晶体管被置于玻璃基片上并且位于LC材料层之下。这些晶体管按图形化阵列排布并且由外围电路驱动，以便提供期望的开关电压，从而使LC材料分子按期望的方式取向。此外，该阵列的晶体管常常直接形成于玻璃基片之上，其构成材料是像硅或硅锗(SiGe)这样的半导体材料。
在太阳能电池板中，电荷存储单元可能由MOS基器件的矩阵构成，这些器件都是由玻璃基片上所形成的硅或SiGe制造成。该矩阵可以对光子吸收所产生的光电流进行选择性电荷存储。
因为与非晶相半导体材料中的载流子相比，单晶和多晶半导体材料中的载流子迁移率通常更大，所以在LCD显示器或太阳能电池板的玻璃基片上生长结晶结构是有益的。然后，半导体器件可以由单晶或多晶材料制造，从而产生迁移率相对高的晶体管和期望迁移率较高的其它元件。
尽管已经尝试用各种技术在玻璃基片上形成结晶硅，但总有缺陷。例如，使用已知的制造方法会损坏所要用的基片材料。另外，所得到的材料特性是不能接受的。这样，真正需要的是一种在基片上制造结晶材料的方法，该方法要至少能克服已知技术的缺陷。
发明内容
根据一实施例，一种形成结晶层或多晶层的方法包括提供基片以及在该基片上提供成核材料。该方法还包括在该基片上提供非晶层以及使该非晶层结晶化。
根据一实施例，一种叠层结构包括基片、置于该基片上的结晶层以及置于该基片上的多个成核位点。
当结合附图来阅读下面的详细描述时，可以对本发明作最佳的理解。要强调的是各种特征没必要按比例画出。事实上，为了进行清晰地讨论，可以任意增大或减小各特征的尺寸。
图1a-1c是根据一示例性实施例用于形成结晶材料的说明性制造顺序的横截面图。
图2a-2e是根据另一示例性实施例在玻璃基片上说明性制造顺序结构的横截面图。
图3a-3c是根据另一示例性实施例在玻璃基片上说明性制造顺序结构的横截面图。
图4a-4c是根据另一示例性实施例在玻璃基片上说明性制造顺序结构的横截面图。
图5是根据本发明一示例性实施例在基片表面上的图形化自组装单层的显微顶视图。
图6是根据一示例性实施例在基片上部分结晶化的硅层的微观顶视图。
具体实施例方式
在下面的详细描述中，为了对各实施例作透彻的理解，揭示了特定的细节，其目的在于解释而非限制。然而，本领域的技术人员应该清楚，本发明可以在不含这些特定细节的其它实施例中得以实施。注意到，对公知的器件和方法的详细描述常常省略，以便使本发明的描述更为突出。最后，在实施过程中，相同的标号指代相同的特征。
简单地讲，各示例实施例涉及单晶或多晶半导体层的制造过程，这些半导体层具有相对较大的晶粒尺寸并且在同一层上晶粒尺寸基本上均匀。注意到，尽管本文与在玻璃基片上形成单晶或多晶硅(Si)相结合来描述这些说明性的方法，但是这些仅是说明性的应用。即，随着本文的进一步描述，会很清楚地看到，这些示例性方法可用于在基片上制造其它结晶(单晶或多晶)材料层。例如，基片可以是锗(Ge)的氧化物，结晶层可以是锗。或者，玻璃基片可以是硅或锗的氧化物，其上形成有SiGe结晶结构。最后，注意到，在这些示例实施例中，可以在基片上形成多层结晶(单晶或多晶)材料。这将要求重复示例实施例中所选中的制造顺序。
还注意到，这些说明性的方法所形成的装置可以用在LCD显示器、平视显示器或相似的设备中。此外，该装置可以用于有机发光二极管(OLED)显示器、硅上绝缘体(SOI)电子集成电路、或太阳能电池板等应用中。要强调的是，提及的应用都只是说明性的。通常，在那些得益于基片上形成的迁移率相对高的半导体薄膜的器件中，可以实现这些示例实施例的方法和装置，其中使用已知的结晶制造技术(可能需要高温)易使基片受损。
图1a-1c是根据一示例实施例用于形成结构100的说明性制造顺序的横截面图。结构100包括基片101，它可能是适合于上述诸多应用的玻璃材料。示例性材料包括但不限于代码1737和EAGLE2000TM玻璃(由美国纽约州Corning公司制造和销售)以及包括硼硅酸盐和铝硅酸盐玻璃在内的其它玻璃。在示例实施例中，基片101可能用于显示设备；或可能用作太阳能电池板中的基片。
图1a示出了被置于基片101上的可选阻挡层102。阻挡层102用于阻挡基片101中的污染物迁移到各示例实施例的半导体材料和器件中。阻挡层102可以是选自下列中的一层或多层氮化硅、氧化硅或其它可经受各实施例的加工处理的已知阻挡层材料。该层可以通过已知的化学汽相沉积(CVD)技术沉积约50纳米到500纳米的厚度。
接下来，在阻挡层102上形成层103。随着下文的进一步描述，将会更清晰地看到，层103在成核位点的形成过程中很有用，根据各实施例这些成核位点被用于在基片101上制造多晶或单晶半导体层。
层103可以是硅烷层。层103可以是自组装单层(SAM)，也可以是上文提到的Couillard等人的专利申请中所描述的类型和功能。
在一示例实施例中，硅烷层相对较薄，厚度约2纳米到10纳米。注意到，也可以使用厚度大约高达三个单层的硅烷。该硅烷层可以包括一个或多个官能团，它们构成了具有各实施例的成核物质的络合物。可以使用具有乙二胺酸、烯、炔、胺、吡啶、咪唑、腈、硫醇、苯、或苯酚的官能团的硅烷材料。也可以使用具有相似官能团的其它有机金属材料，比如铝化合物、钛化合物和锆化合物。
层103的官能团被选择成使得后面形成的晶种层很容易与溶液(最好是水溶液)功能化的涂层相结合。硅烷层所具有的官能团引入了约1到3层晶种层的原子。官能团是与晶种层(可能是金属)形成键合的活性基团。根据一示例实施例，具有官能团的硅烷层可以是用N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)乙二胺三乙酸或γ-氨基丙基三甲氧基硅烷形成的涂层。最后，络合物或配位化合物是这样一种化学化合物，其中在充当电子受主的金属和充当电子施主的有机化合物之间形成键合。络合物中的有机化合物被称为络合剂或配体。乙二胺四乙酸(EDTA)也可以用作络合剂。
接下来，在层103上沉积晶种层104。如图2b所示，使晶种层104图形化以形成成核位点105，这些成核位点105提供想要的周期性。晶种层104是通过微触点印刷而图形化的。在本示例实施例中，选择成核位点的周期性，使其复制想要在玻璃基片101上形成的结构的周期性。例如，成核位点105的周期性复制了显示器的图像单元(像素)的周期性。
在图2a-2c所示的另一个示例实施例中，在沉积晶种层104之前先使层103图形化，以便形成周期性结构108，其预期的周期性可用于随后制造结晶材料。层103是通过使用微触点印刷、光刻或其它已知的印刷技术来进行图形化的。在本实施例中，在以预期的周期性对层103进行图形化之后，在层103上形成晶种层104。
根据上述各实施例，不管是使晶种层104图形化还是使层103图形化，晶种层104形成成核位点105，图1b和2d中示出了这些成核位点105。如本文所全面解释的那样，成核位点105在相对低的温度下形成结晶材料的过程中很有用，并且具有在各种应用中都有益的材料特征。
在一示例实施例中，晶种层含镍。通过层103在镍溶液(比如含硝酸或乙酸的镍盐的水溶液)中的浸涂，可以在层103上沉积镍层。用像去离子(DI)水这样的溶剂清洗基片101便可以除去未与图形化的层108键合的多余的镍。因此，包括成核位点105的图形化镍层形成于SAM涂层或薄层硅烷涂层(层103)的顶部，并且具有与所形成的结构的周期性相似的周期性。
晶种层105的材料很容易从溶液中键合到层103的官能团，从而产生厚度为几个单层的成核位点。注意到，在各示例实施例中，不同氧化态(0，+1或+2)的镍可以用于成核位点。镍最常见的氧化态是+2或Ni(II)。Ni(II)到Ni(0)的还原可能是没必要的。如果需要的话，在沉积非晶硅期间Ni(II)可以原位还原到Ni(0)，因为硅通常是在还原气氛中沉积的。在沉积非晶硅之前，也可以使Ni(II)易位还原到Ni(0)。例如，在氢含量为6％的氮氢混合气体中，在300℃下对带有Ni(II)基晶种层104的基片101加热10分钟，从而形成Ni(0)。
在硅烷被用作层103的示例实施例中，注意到带官能团(这些官能团与Ni(II)一起构成有机金属络合物)的硅烷可以用于形成示例实施例中的成核位点。为此，Ni与良好的电子施主材料形成络合物。这样，官能团可以包括含氮的基团，比如胺、硝基化合物、嘧啶、咪唑、腈。然而，其它官能团也可以与镍形成络合物，比如羧酸酯、硫醇、乙二胺、烯、炔、乙醇、乙醚、硫醚、酯、酮、醛、以及芳香族化合物。
需要强调的是，镍只是举例说明的成核材料。充当硅结晶化的成核位点的其它金属或非金属层也可以使用。其它举例说明的成核位点材料包括但不限于铂、钯和结晶硅纳米颗粒，比如钴、铁、钼、钯、铬和铝。
在图形化层103是SAM层的示例实施例中，通过用化学或物理方法来改变SAM涂层上初始的官能团(例如乙烯基团)，也可以产生官能团。乙烯基封端的SAM涂层可以被转换为羧基封端的SAM涂层。将甲基封端的SAM暴露于UV-臭氧或氧等离子体中，便可以产生含氧的表面，该表面可与镍形成络合物。
注意到，许多带有镍络合形成的官能团的硅烷材料都是亲水性的。有益的做法是，首先用疏水性硅烷材料使基片101图形化，然后将该硅烷材料转换为与镍的亲和势更好的官能团。首先，与用亲水性硅烷材料使玻璃基片101图形化相比，用疏水性硅烷材料使玻璃基片图形化更容易，因为在图形化过程中亲水性硅烷材料倾向于在基片上扩散，导致图形不太精确。其次，亲水性硅烷材料倾向于与其亲水基团处的基片发生反应，从而使接下来镍层喷涂可用的官能团更少了。和其它情况相比，亲水性硅烷的转换准许使用由更经济、稳定、易得的材料构成的起始层。
如图1b和2d所示，在形成成核位点105之后，非晶半导体层106沉积在成核位点105周围和/或上面。非晶半导体层106是用半导体加工领域一般技术人员所熟知的低温沉积技术形成的。如本文更全面地描述那样，处理非晶半导体层106以便形成多晶半导体或单晶半导体材料层107，像图1c和2e所示的那样。
在一示例实施例中，当图形化层104包括Ni时，非晶半导体层106是非晶硅并且形成硅的多晶半导体层107。有益的是，在温度相对较低退火周期较短的热退火过程中，图形化的Ni层通过形成NiSi2或Ni2Si的成核中心，来诱导非晶硅的结晶化过程。所需退火温度大约小于600℃，或大约小于550℃。在这些温度下，镍成核中心的存在使非晶硅膜结晶化所需的时间从大约超过72小时减小到大约8小时左右。
作为特征的是，半导体层107具有相对大的晶粒尺寸，且基本上均匀，还具有相对高且均匀的迁移率。注意到，与已知的显示器和太阳能电池板相比，各示例实施例的单晶或多晶半导体具有更大的电子迁移率，该特征有益地提供了更细小的信号线路以及每一个单独的子像素处尺寸更小的单个晶体管，从而可以提供更明亮的显示场或更低的功耗。
图3a-3c示出了另一个示例实施例。在本实施例中，层103是疏水涂层，比如由带有碳氢化合物链或碳氟化合物链的硅烷构成。另外，疏水硅烷材料可以是十八烷基三氯硅烷或全氟癸基三氯硅烷。疏水层103是通过微触点印刷技术图形化的，以便形成具有空缺或开口109的周期性结构108。接下来，如图3b所示，晶种层104形成于基片101上。本实施例的晶种层104是水溶液(亲水性的)。
因为晶种层104形成于层103上，所以它被疏水结构108排斥并且被置于开口109中。因此，形成了一层分立的成核位点105。层103的图形必须提供能复制在基片101上形成期望的结构所需的周期性的开口109。即，成核位点105必须提供用于期望的结构的周期性图形。因此，图3b的晶种层104被置于层103的图形的开口109中，并且所得的成核位点105位于所要求的周期性结构中。
根据一示例实施例，周期性结构108是疏水涂层，比如碳氢硅烷或碳氟硅烷层。例如，将基片101浸入亲水性(溶于水的)镍的水溶液中。将基片101浸入亲水性镍溶液将只涂覆除去疏水性硅烷涂层的区域(即开口109)。
如图3c所示，在形成成核位点105之后，可以除去周期性结构108，并且非晶半导体层106可以沉积在成核位点105四周。通过使用结合上述实施例描述过的方法，该层106经处理可形成多晶半导体或单晶半导体材料层。
在各示例实施例中，在形成成核位点之后，可选择性地除去层103和结构108。例如，如果使用硅烷或有机SAM层，则通过在大约350℃到550℃的空气中进行退火便可以除去层103。这将留下镍成核位点(例如，点105)而不带任何有机材料。然而，注意到，剩余的有机单层通常并不会干扰所形成的多晶或单晶层。这样，这些除去步骤可能是不可避免的。
注意到，各示例实施例的成核位点105在数目和尺寸方面都受到控制。例如，根据一示例实施例，镍原子簇中心的数目是受到控制的。这限制了所形成的晶核的数目，并且可以控制多晶半导体晶粒的大小。例如，在一示例实施例中，镍簇的大小和图形是通过使功能性硅烷涂层图形化而得到控制的。这控制了晶核尺寸以及晶核之间的间隔。根据一示例实施例，晶核大小介于大约10纳米到50纳米的范围中，而该范围中的晶核与晶核之间的间隔大约介于1微米到100微米的范围中。这种大小和间隔的成核位点的形成可以用上述微触点印刷使硅烷图形化来实现。此外，微触点印刷可以产生亚微米量级的特征，与镍原子簇中心的期望大小和间隔一致，以便于大晶粒多晶硅的生长。
或者，也可以使用光刻方法来产生图形化的硅烷表面。例如，可以将十八烷基三乙氧基硅烷涂覆在带有阻挡层102的玻璃基片101上，以便形成SAM涂层。然后，通过使用部分地保护SAM涂层的光刻掩模，将涂覆过的基片暴露于氧等离子体或UV臭氧中，便可以形成图形。
有益的是，各示例实施例所形成的多晶半导体材料具有相对高的载流子迁移率，大约大于100cm2/Vs。作为特征的是，这需要大约大于1.0微米的晶粒大小，并且可以大至2.5微米。此外，多晶硅层上的晶粒大小是均匀的，在层107上其差异约小于±10％，并且可能约小于±1％。
有益的是，在各示例实施例中，多晶半导体材料相对大的晶粒尺寸提供了相对高的载流子迁移率，从而导致从中构成的电子器件的性能得以改善。此外，半导体上晶粒大小的均匀性促进了从该半导体层中构造出的相似的电子元件(例如TFT)的性能均一性。各示例实施例的方法和装置的这些及其它益处对于从本文中获益的本领域技术人员而言将是很容易看清楚的。
图4a-4c示出了根据一示例实施例的制造方法和所得的产品。因为本实施例与图1a-1c、2a-2d和3a-3c的各实施例有许多共同的特征，所以共同的方法、材料和特征将不再重复，以便凸显本示例实施例的描述内容。
在图4a中，阻挡层102被置于基片101上。接下来，非晶半导体层106被置于阻挡层102上，而层103则被置于非晶半导体层上。最后，晶种层104被置于层103上。
如图4b所示，可以用上文所述的方法形成分立的成核位点图形105。其后，执行退火步骤(如上文所述)以使非晶层结晶化成结晶层107，从而完成了图4c所示的结构100。
很容易看到，在晶体生长顺序之前，图4a-4c的制造顺序提供了在非晶层之上的成核位点。可能有益的是，在某些情况下根据图4a-4c的示例实施例在基片上制造结晶材料。如果在形成结晶层之后必须除去成核位点105，则这种说明性的顺序可以促进这种除去。
示例下文提供具体的示例来举例说明行文至此所描述过的各示例实施例。
在第一示例中，通过使用微触点印刷，用十八烷基三氯硅烷(OTS)使康宁代码1737玻璃基片图形化。然后，将该基片浸入0.0003M硝酸镍水溶液中。
图5示出了在OTS图形化基片上硝酸镍301的图形。硝酸镍仅覆盖亲水区域，该区域是不带OTS的区域。硝酸镍之间的疏水区域302具有大约250微米的节距，硝酸镍覆盖区域大约200微米宽，而OTS覆盖区域则大约50微米宽。在500℃烧掉硅烷的有机部分和硝酸盐并在400℃的氮氢混合气体中将Ni(II)还原为Ni(0)之后，用等离子体增强型化学汽相沉积(PECVD)沉积了80纳米厚的非晶硅。
接下来，如图6所示，在600℃下退火8小时之后，多晶硅被置于镍图形化玻璃上。该多晶硅具有上述多个有益的特点。注意到，在本示例中，故意使硅膜部分结晶化，以便示出非晶区和结晶区的存在。结晶区可以被视为反映了分立成核位点的原始图形。
在第二示例中，将2％γ-氨基丙基三甲氧基硅烷施加到干净的表面上，从而形成氨基官能表面。然后，将带氨基官能团的玻璃基片浸入1％硝酸镍(II)水溶液10分钟。然后清洗掉多余的镍，留下镍单层。该清洗过程也将镍从裸露的玻璃区域中除去。因此，形成了图形化的镍层。在500℃加热1小时烧掉硅烷，并且用PECVD沉积厚度为100纳米的非晶硅。600℃下长达8个小时的退火步骤使非晶硅结晶化，从而产生具有上述诸特征的多晶硅。
在第三示例中，用0.02M的11-氰基十一烷基三甲氧基硅烷在环己烷中的溶液进行微触点印刷，氰基封端的硅烷使玻璃基片的表面图形化。该顺序导致SAM涂覆点的直径大约2微米，其间隔大约2微米。接下来，将图形化的基片浸入1％的硝酸镍(II)水溶液中10分钟，之后加以清洗以便除去多余的镍并形成图形化的岛状镍单层。在500℃下加热该基片1小时以便除去有机单层，并且通过PECVD沉积100纳米厚的非晶硅膜。600℃下长达8个小时的退火步骤形成了具有上述诸多特点的多晶硅。
在第四示例中，用含镍的溶液对带有非晶硅层的基片进行微触点印刷。退火步骤使非晶硅在600℃下结晶化并持续8个小时，从而获得多晶硅。
在第五示例中，通过使用微触点印刷，用N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)乙烯基二胺三乙酸的镍盐使基片图形化。接下来，通过PECVD在图形化的基片上沉积非晶硅。600℃下长达8个小时的退火使非晶硅结晶成多晶硅。
注意到，本文所描述的各种方法和设备可以由需要在基片上制造单晶和多晶材料(比如，半导体)的各种技术领域中的各种方法来实现。在其它种种限制中，这些基片可能是无法在半导体制造过程中加热到某一温度以上的材料。此外，各种方法和参数是仅作为示例被包括在此的，并不具有任何限制的意思。因此，所描述的各实施例是解释说明性的，并且在提供这些有益的半导体层的过程中很有用。根据本文，本领域的技术人员可以在确定他们自己的技术和所需的设备时实施各种示例设备和方法从而实现这些技术，而同时仍在所附权利要求书的范围之内。
权利要求
1.一种在基片上制造单晶或多晶材料的方法，所述方法包括提供一基片；在所述基片上形成一个层；在所述层上形成成核位点；在所述基片上形成非晶层；以及使所述非晶半导体层结晶。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片是玻璃。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成核位点具有与所述基片上形成的结构的周期性基本上相同的周期性。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶层是从硅、锗和硅-锗中选出的半导体。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的层包括硅烷。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的层是自组装单层(SAM)。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的层是具有官能团的含镍的硅烷层。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述官能团是从胺、硝基化合物、嘧啶、咪唑、腈、羧化物、硫醇、乙二胺、烯、炔、醇、醚、硫醚、酯、酮、醛、以及芳香族化合物中选出的络合剂。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成核层是从镍、铂、钯、钴、铁、钼、铬、铝、以及结晶硅纳米颗粒中选出的材料。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶层是在所述成核层下面形成的。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成核位点的形成过程还包括使所述层图形化；以及在所述层上沉积晶种层。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成核位点的形成过程还包括在所述层上形成晶种层；以及使所述晶种层图形化。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的层是疏水层。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述成核位点的形成过程还包括使所述的层图形化以便具有多个开口；提供包括加晶材料的水溶液；以及在所述开口中形成所述成核位点。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结晶过程还包括在比所述基片的熔点低的温度下进行退火。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成核位点能降低所述半导体材料的结晶温度。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结晶层形成于所述成核位点之上。
18.一种多层结构，它包括基片置于所述基片上的结晶层；以及置于所述基片上的多个成核位点。
19.如权利要求18所述的多层结构，其特征在于，所述结晶层要么是单晶的，要么是多晶的。
20.如权利要求18所述的多层结构，其特征在于，所述结晶层选自硅、硅-锗、以及锗。
21.如权利要求18所述的多层结构，其特征在于，所述基片是玻璃。
22.如权利要求18所述的多层结构，其特征在于，包括硅烷的层被置于所述基片之上。
23.如权利要求16所述的多层结构，其特征在于，多个电子器件是从所述结晶层中形成的。
24.如权利要求23所述的多层结构，其特征在于，所述电子器件包括金属氧化物半导体器件。
25.如权利要求23所述的多层结构，其特征在于，所述结构是显示设备的元件。
26.如权利要求23所述的多层结构，其特征在于，所述结构是太阳能电池板的元件。
27.如权利要求25所述的多层结构，其特征在于，所述显示设备是液晶显示(LCD)设备，而所述电子器件是薄膜晶体管。
28.如权利要求20所述的多层结构，其特征在于，所述的硅是多晶的，其晶粒大小介于大约大于1.0微米到2.5微米的范围中。
29.如权利要求28所述的多层结构，其特征在于，在所述多晶硅层上晶粒大小基本上是均一的，在所述多晶硅层上各晶粒大小的差别大约从小于±10％变到小于±1％。
30.如权利要求29所述的多层结构，其特征在于，所述多晶硅层的载流子迁移率大约大于100cm2/V-s。
全文摘要
一种形成结晶层或多晶层的方法包括提供一基片以及在该基片上形成图形。该方法还包括提供成核材料以及在该成核材料上形成结晶层。位于基片上的结晶材料可以是单晶的或多晶的。
文档编号C23C16/02GK1957446SQ200580016448
公开日2007年5月2日 申请日期2005年5月19日 优先权日2004年5月21日
发明者J·G·库亚尔, K·P·加德卡尔, Y·施 申请人:康宁股份有限公司