专利名称：一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于半导体材料加工的研磨液，特别是一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液。
背景技术：
半导体材料加工是指将半导体单晶棒制作成晶片的过程，具体工艺流程为单晶、滚圆、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光。由于拉制好的单晶在直径和表面质量不能满足设计要求，因此需要通过滚圆加工使单晶在外形和直径上达到需求。滚圆加工的作用就是去除单晶棒表面的毛刺以及单晶表面存在的扁平或突起的棱线。滚圆加工是一种研磨工艺，目前市场上还没有专门用于半导体材料滚圆加工的滚磨液。
发明内容本发明的目的是针对上述需求，提供一种高效的、用于半导体材料滚圆加工的滚磨液。
本发明的技术方案一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，其特征在于由磨料、PH值调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为磨料5～20％；PH值调节剂20～40％；表面活性剂0.1～1％；螯合剂0.1～1％；去离子水为余量。
本发明所述磨料为SiO2、Al2O3、CeO2、TiO2或碳化硼。
本发明所述PH调节剂为氢氧化钠、氢氧化钾、多羟多胺和胺中的一种或其组合。
本发明所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙稀醚或烷基醇酰胺。
本发明所述螯合剂为EDTA、EDTA二钠、羟胺、胺盐和胺中的一种或其组合。
本发明所提供的滚磨液的优点是采用无金属离子的表面活性剂和螯合剂，减少了滚圆加工中金属离子沾污；具有高效复合性，高浓缩度和良好的润滑散热性能；用较强的化学腐蚀作用取代部分机械作用，减少应力、降低损伤，有利于设备防护和提高刀具寿命。本发明有效解决了在微电子工艺中普遍存在的金属杂质沾污、损伤层深、加工应力大，影响刀具寿命等技术问题。
具体实施方式
实施例1一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，由Al2O3磨料、氢氧化钾、烷基醇酰胺、六羟基丙基丙二胺和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为Al2O3磨料10％；氢氧化钾20％；烷基醇酰胺0.3％；六羟基丙基丙二胺0.6％；去离子水为余量。将上述滚磨液与去离子水按1∶100稀释，在滚磨机上做实验，滚圆加工效果良好。
实施例2一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，由碳化硼磨料、三乙醇胺、脂肪醇聚氧乙稀醚、四羟基乙基乙二胺和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为碳化硼15％；三乙醇胺40％；脂肪醇聚氧乙稀醚0.4％；四羟基乙基乙二胺0.9％；去离子水为余量。将上述滚磨液与去离子水按1∶100稀释，在滚磨机上做实验，滚圆加工效果良好。
权利要求
1.一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，其特征在于由磨料、PH值调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为磨料5～20％；PH值调节剂20～40％；表面活性剂0.1～1％；螯合剂0.1～1％；去离子水为余量。
2.根据权利要求1所述用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，其特征在于磨料为SiO2、Al2O3、CeO2、TiO2或碳化硼。
3.根据权利要求1所述用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，其特征在于PH调节剂为氢氧化钠、氢氧化钾、多羟多胺和胺中的一种或其组合。
4.根据权利要求1所述用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，其特征在于表面活性剂为脂肪醇聚氧乙稀醚或烷基醇酰胺。
5.根据权利要求1所述用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，其特征在于螯合剂为EDTA、EDTA二钠、羟胺、胺盐和胺中的一种或其组合。
全文摘要
一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，其特征在于由磨料、pH值调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为磨料5～20％；pH值调节剂20～40％；表面活性剂0.1～1％；螯合剂0.1～1％；去离子水为余量。本发明所提供的滚磨液的优点是采用无金属离子的表面活性剂和螯合剂，减少了滚圆加工中金属离子沾污；具有高效复合性，高浓缩度和良好的润滑散热性能；用较强的化学腐蚀作用取代部分机械作用，减少应力、降低损伤，有利于设备防护和提高刀具寿命。本发明有效解决了在微电子工艺中普遍存在的金属杂质沾污、损伤层深、加工应力大，影响刀具寿命等技术问题。
文档编号B24B5/00GK101092551SQ20061001441
公开日2007年12月26日 申请日期2006年6月23日 优先权日2006年6月23日
发明者仲跻和, 刘玉岭 申请人:天津晶岭电子材料科技有限公司