荫罩和具有该荫罩的淀积装置的制作方法

文档序号:3245055阅读:219来源:国知局
专利名称:荫罩和具有该荫罩的淀积装置的制作方法
技术领域
本发明涉及荫罩(shadowmask)和具有该荫罩的淀积装置。
背景技术
近来,已经开发出能够在短时间内处理大容量存储数据的信息处理 器以及能够将该信息处理器所处理的数据显示为图像的显示装置。
显示装置典型地包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)、 等离子体显示板(PDP)等。
在以上装置中,OLED能够在低电压下工作并且可以制造得较薄。
此外,OLED具有宽的视角和快的响应速度。
此外,OLED可以显示具有与LCD或PDP所提供的显示质量相似 的显示质量的图像,并且还可通过简单的工艺进行制造。
通常,OLED包括设置在透明基板上的透明电极、设置在该透明 电极上的有机发光层、以及设置在该有机发光层上的金属电极。
在它们之中,有机发光层具有包括各种有机材料的多层结构。例如, 有机发光层包括诸如空穴注入层HIL和空穴传输层HTL、发射层EML、 电子注入层EIL和电子传输层ETL的有机层。
通常,通过汽相淀积法形成有机发光层。形成有机发光层的现有技 术汽相淀积装置包括室(chamber)和荫罩。详细地说,现有技术的汽 相淀积装置包括呈圆柱形的室以及呈矩形板形状并具有开口的荫 罩。在室的下表面上设置有具有构成有机发光层的淀积材料的有机 端P 。
有机端口中的淀积材料在升华温度下升华,并且升华的材料通 过荫罩的开口向室的上表面移动。穿过荫罩的淀积材料以预定图案
淀积在室的上表面上设置的基板上。
然而,为了形成有机发光层而从淀积装置的有机端口升华的淀 积材料是通过室与荫罩之间的间隙以及荫罩的开口而提供至基板 的。因此,基板和室的内部容易被污染。

发明内容
本发明一个目的是提供一种能够防止室和基板被污染的荫罩。 本发明的另一目的是提供一种具有能够防止室和基板被污染的荫罩 的淀积装置。
为了实现以上目的,本发明提供了一种荫罩,该荫罩包括罩体, 该罩体的外侧沿室的内侧隔开预定间隔;和开口,该开口透过所述罩体
而形成。
为了实现以上目的,本发明提供了一种淀积装置,该淀积装置包括 室;荫罩,该荫罩将所述室分成上部和下部,并且具有使所述上部和所 述下部相连通的开口;淀积单元,该淀积单元设置在所述室的所述下部,
其中所述淀积单元容纳有淀积材料;和支承部件,该支承部件沿所述室
的内侧设置以支承所述荫罩的边缘。


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图1是根据本发明的一个实施方式的荫罩的平面图2是根据本发明的另一实施方式的荫罩的平面图3是根据本发明的一个实施方式的淀积装置的剖视图4是根据本发明的又一实施方式的图2中所示的荫罩的平面图5是根据本发明的再一实施方式的荫罩的平面图6是示出了根据本发明的另一实施方式的淀积装置的室的平面
图7是示出了荫罩被连接至图6中的淀积装置的状态的平面图; 图8是示出了根据本发明的又一实施方式的淀积装置的室的平面 图;以及
图9是示出了荫罩被连接至图8中的淀积装置的状态的平面图。
具体实施例方式
虽然将参照附图描述根据实施方式的荫罩和具有该荫罩的淀积装 置,但是应该理解,本领域的技术人员能够想到会落入本公开的原理的 精神和范围内的许多其他变型例和实施方式。在附图中,为了本发明的 精确,放大或縮小了室、淀积单元、基板固定单元、荫罩和其他结构的 大小。在本发明中,当描述层形成在…"上"、"上表面上"或"下表面 上"时,意味着所述层直接或间接地形成在室、淀积单元、基板固定单 元、荫罩和其他结构的上表面或下表面上,并且其他室、淀积单元、基 板固定单元、荫罩和结构可以另外形成在基板上。
荫罩
图1是根据本发明的一个实施方式的荫罩的平面图。
参照图1,荫罩10包括罩体12和贯穿罩体12形成的开口 14。
罩体12呈板形。在本实施方式中,罩体12具有与和罩体12相连接
的室16的形状相对应的形状。
荫罩10的罩体12的外侧与室16的内侧隔开预定间隔。
例如,连接至圆柱形的室16的罩体12与室16的内侧隔幵预定间隔,
从而罩体12呈盘形。
可在圆柱室16的内侧设置支承体以支承罩体12。支承体可以为沿
着罩体12的边沿的环形。
图2是根据本发明另一实施方式的荫罩的平面图。
参照图2,荫罩20包括罩体22和贯穿罩体22形成的开口 24。
罩体22呈板形。在本实施方式中,罩体22具有与和罩体22相连接
的室18的形状相对应的形状。
荫罩20的罩体22的外侧与室18的内侧隔开预定间隔。
例如,连接至呈六面体形的室18的罩体22与室18的内侧隔开预定
间隔,从而罩体22呈矩形板形状。
可在呈六面体形的室18的内侧设置支承部件以支承罩体22。支承
部件可以为沿着罩体22的边沿的矩形带形状。在以上实施方式中,室16呈圆柱形,室18呈六面体形,荫罩10呈 盘形,而荫罩20呈矩形板形状。然而,荫罩可以具有各种与室的形状相 对应的形状。
根据以上实施方式,因为荫罩10的外侧与室16的内侧之间的间隔 以及荫罩20的外侧与室18的内侧之间的间隔是固定地形成的,所以从 室16和18产生的有机材料可以通过荫罩10和20的开口 14和24而排 出到室16和18之外。
淀积装置
图3是根据本发明的一个实施方式的淀积装置的剖视图。 参照图3,淀积装置100包括室10、荫罩40、淀积单元20和支承 部件50。
室10为具有容纳空间的三维形状。例如,室10为具有容纳空间的 多面体形或圆柱形。在本实施方式中,室10可呈例如圆柱形。然而,室 10也可呈六面体形或多面体形。
呈例如圆柱形的室10包括下室体12和连接至下室体12的上室体 14。上室体14打开或关闭室10。室IO连接至用于将室的内部压力降低 到大气压以下的真空泵16。真空泵16通过管18而连接至室10。
在室10中设置有淀积单元20。淀积单元20可被设置在室10的底 表面上并且呈槽形。淀积单元20具有容纳空间,并且在其容纳空间中可 以容纳可升华有机材料。
在淀积单元20的外侧设置有加热单元27,用以使容纳在淀积单元 20中的有机材料升华。加热单元27可包括电加热器,并且加热单元27 可使容纳在淀积单元20中的有机材料升华。
在室10上设置有面对淀积单元20的基板固定单元30。基板固定单 元30呈板形,并且在基板固定单元30下方设置有基板34。在本实施方 式中,基板34呈例如长方体板形。呈长方体板形的基板34可应用于例 如具有有机光产生层32的OLED。
有机光产生层32可包括形成在基板34上的空穴注入层、空穴传输 层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。 基板固定单元30例如使用真空压力吸住并固定基板34。然而,基
板固定单元30也可使用静电来固定基板34。
将支承部件50设置在例如下室体12的内侧。支承部件50可呈例如
从下室体12的内侧突出的环形。然而,可以沿着下室体12的内侧以预
定间隔形成多个支承部件50。支承部件50支承荫罩40。此外,支承部
件50向荫罩40施加张力以防止荫罩40弯曲。
图4是根据本发明又一实施方式的图2所示的荫罩的平面图。 参照图4,荫罩40包括罩体44和贯穿罩体44形成的开口 42。 罩体44呈板形。在本实施方式中,罩体44具有与和罩体44相连接
的室10的形状相对应的形状。
荫罩40的罩体44的外侧43与室10的内侧隔开预定间隔。
例如,当室10呈圆柱形时,连接至圆柱形的室10的罩体44与室
10的内侧隔开预定间隔。相应地,当在平面图中观察时,罩体44呈盘形。 将荫罩40设置在室10的内侧设置的支承部件50上。 图5是根据本发明再一实施方式的荫罩的平面图。 参照图5,连接至室10的荫罩60包括罩体64和贯穿罩体64形成
的开口 62。
当在平面图中观察时,罩体64呈矩形板形状。在本实施方式中,罩 体64具有与和罩体64相连接的室10的形状相对应的形状。
荫罩60的罩体64的外侧与室10的内侧隔幵预定间隔。
当室10呈六面体形时,连接至室10的罩体64与室10的内侧隔开 预定间隔。相应地,罩体64呈矩形板形状。
可以沿着六面体形的室10的内侧将支承部件50设置在室10中,以 支承罩体64。
在图4和5中,室IO呈圆柱形或六面体形,荫罩40呈盘形,而荫 罩60呈矩形板形状。然而,荫罩40和60可具有各种与室的形状相对应 的形状。
在下文中,将参照附图描述根据本发明的淀积装置的操作。 参照图3至5,打幵室10的上室体14,然后将具有淀积材料25 (例
如可升华有机材料)的淀积单元20设置在室10中。
在本实施方式中,可升华有机材料可包括构成空穴注入层的空穴注 入材料、构成空穴传输层的空穴传输材料、构成有机发光层的有机发光 材料、构成电子传输层的电子传输材料、以及构成电子注入层的电子注 入材料。
在将具有淀积材料25的淀积单元20设置在室10内的状态下,将荫 罩40安装在设置在室10内的支承部件50上,其中荫罩40的外侧沿着 室10的内侧隔开预定间隔。
将基板34固定到室10中的基板固定单元30上,以在像素区32上 形成有机光产生层。通过真空压力或静电将基板34固定到基板固定单元 30上。
在将基板34固定到基板固定单元30上之后,将上室体14连接至下 室体12,从而使室10密封。
然后,通过真空泵16的工作,在密封的室10内部形成真空压力, 并且通过由加热单元27所产生的热而使淀积单元20中容纳的淀积材料 25升华。
从淀积单元20升华的淀积材料向室10的上部移动,从而到达荫罩 40。然后,淀积材料穿过荫罩40的开口 42而淀积在基板34上形成的像 素区32上。
因为荫罩40的外侧与室10的内侧隔开了预定间隔,所以从淀积单 元20升华的淀积材料通过形成在荫罩40中的开口而淀积在基板34上的 指定位置(例如像素区32)上,而不会从荫罩40和室IO的内侧之间穿 过。
图6是示出了根据本发明的另一实施方式的淀积装置的室的平面 图,而图7是示出了荫罩被连接至图6中的淀积装置的状态的平面图。
参照图6,淀积装置100包括室10、淀积单元20和遮挡部件80, 并且在淀积装置100中设置有图6和7所示的荫罩60。
室io为具有容纳空间的三维形状。例如,室10为具有容纳空间的 多面体形或圆柱形。在本实施方式中,室10可呈例如圆柱形。
如图3所示,呈圆柱形的室10包括下室体12和连接至下室体12的 上室体14。上室体14打开或关闭室10。室10连接至用于将室的内部压 力降低到大气压以下的真空泵16。真空泵16通过管18而连接至室10。 在室10中设置有淀积单元20。淀积单元20可被设置在室10的底 表面上并且呈槽形。淀积单元20具有容纳空间,并且在其容纳空间中容 纳有可升华有机材料。
在淀积单元20的外侧设置有加热单元27,用以使淀积单元20中的 有机材料升华。加热单元27可包括电加热器,加热单元27使容纳在淀 积单元20中的有机材料升华。
在室10上设置有面对淀积单元20的基板固定单元30。基板固定单 元30呈板形,基板34设置在基板固定单元30下方。在本实施方式中, 基板34呈例如长方体板形。呈长方体板形的基板34可应用于例如具有 有机光产生层32的OLED。
有机光产生层32可包括形成在基板34上的空穴注入层、空穴传输 层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
基板固定单元30使用例如真空压力吸住并固定基板34。然而,基 板固定单元30也可使用静电来固定基板34。
参照图6,荫罩60包括罩体64和贯穿罩体64形成的开口 62。 当在平面图中观察时,罩体64呈板形。在本实施方式中,当在平面 图中观察时,罩体64呈矩形板形状。即,在本实施方式中,室10呈圆 柱形,并且荫罩60呈矩形板形状。
当如上所述室10呈圆柱形并且荫罩60呈矩形板形状时,在荫罩60 的外侧与室IO之间形成了隔开的空隙。因此,从淀积单元20升华的有 机材料从荫罩60的外侧与室10的内侧之间以及荫罩60的开口 62穿过, 从而室10和基板34会被污染。
遮挡部件80防止有机材料从室10的内侧与荫罩60的外侧之间穿过。
艮口,遮挡部件80与荫罩60的边缘部分重叠,从而防止了有机材料 从室10的内侧与荫罩60的外侧之间穿过。因此,当在平面图中观察时,
通过遮挡部件80而在室10中形成了这样的矩形开口,该矩形开口实际
上与荫罩40的外形相同。
虽然室10的形状与荫罩60的形状不同,但是通过遮挡部件80可以 防止有机材料从室10与荫罩60之间穿过。
在本实施方式中,将遮挡部件80设置成可从室10拆下,将固定部 件(未示出)的一部分设置在遮挡部件80上并将该固定部件的其余部分 连接到室IO的内侧部分,以将遮挡部件80固定到室IO的内侧部分。
图8是示出了根据本发明的又一实施方式的淀积装置的室的平面 图,而图9是示出了荫罩被连接至图8中的淀积装置的状态的平面图。
图8所示的淀积装置100包括室10、淀积单元20和遮挡部件90。 将图8和9所示的荫罩40设置在图3所示的淀积装置100上。
室10为具有容纳空间的三维形状。例如,室10为具有容纳空间的 六面体形。
如图3所示,呈六面体形的室10包括下室体12和连接至下室体12 的上室体14。上室体14打开或关闭室10。室10连接至用于将室10的 内部压力降低到大气压以下的真空泵16。真空泵16通过管18而连接至 室10。
在室10中设置有淀积单元20。淀积单元20可被设置在室10的底
表面上并且呈槽形。淀积单元20具有容纳空间,并且在其容纳空间中容 纳有可升华有机材料。
在淀积单元20的外侧设置有加热单元27,用以使淀积单元20中的 有机材料升华。加热单元27可包括电加热器,并且加热单元27使容纳 在淀积单元20中的有机材料升华。
在室10上设置有面对淀积单元20的基板固定单元30。基板固定单 元30呈板形,基板34设置在基板固定单元30下方。在本实施方式中, 基板34呈例如长方体板形。呈长方体板形的基板34可应用于例如具有 有机光产生层32的OLED。
有机光产生层32可包括形成在基板34上的空穴注入层、空穴传输 层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
基板固定单元30使用例如真空压力吸住并固定基板34。然而,基 板固定单元30也可使用静电来固定基板34。
参照图9,荫罩40包括罩体44和贯穿罩体44形成的开口 42。
当在平面图中观察时,罩体44呈板形。在本实施方式中,当在平面 图中观察时,罩体44呈盘形。即,在本实施方式中,室10呈六面体形, 并且荫罩40呈盘形。
当如上所述室10呈六面体形并且荫罩40呈盘形时,在荫罩40的外 侧与室IO之间形成了隔幵的空隙。因此,从淀积单元20升华的有机材 料从荫罩40的外侧与室10的内侧之间以及荫罩40的开口 42穿过,从 而室10和基板34会被污染。
遮挡部件90防止有机材料从室10的内侧与荫罩40的外侧之间穿过。
艮口,遮挡部件90与荫罩40的边缘部分重叠,从而防止了有机材料 从室10的内侧与荫罩40的外侧之间穿过。因此,当在平面图中观察时, 通过遮挡部件90而在室10中形成了这样的圆形开口,该圆形开口实际 上与荫罩40的外形相同。
虽然室10的形状与荫罩40的形状不同,但是遮挡部件90可以防止 有机材料从室10与荫罩40之间穿过。
在本实施方式中,将遮挡部件90设置成可从室10拆下,将固定部 件(未示出)的一部分设置在遮挡部件卯上并将该固定部件的其余部分 连接到室10的内侧部分,以将遮挡部件90固定到室10的内侧部分。
根据如上所述的本发明,防止了从淀积单元升华的淀积材料从荫罩 的开口以外的地方穿过荫罩,从而防止了室的内部被污染,从而提高了 薄膜淀积装置的工作能力。此外,可以防止附于室的内侧的淀积材料与 室分离,从而淀积材料不会成为颗粒。
虽然已参照本发明的多个说明性实施方式而描述了实施方式,但是 应该理解,本领域的技术人员可以想到将落入本公开的原理的精神和范 围内的许多其他变型例和实施方式。
权利要求
1、一种荫罩,该荫罩包括罩体,该罩体的外侧沿室的内侧隔开预定间隔;和开口,该开口贯穿所述罩体而形成。
2、 根据权利要求1所述的荫罩,其中,所述室呈圆柱形并且所述罩 体呈盘形。
3、 根据权利要求1所述的荫罩,其中,所述室呈六面体形并且所述 罩体呈矩形板形状。
4、 一种淀积装置,该淀积装置包括 室;荫罩,该荫罩将所述室分成上部和下部并且具有开口,所述上部通 过所述开口与所述下部相连通; .淀积单元,该淀积单元设置在所述室的所述下部,其中所述淀积单 元容纳有淀积材料;和支承部件,该支承部件沿所述室的内侧设置以支承所述荫罩的边缘。
5、 根据权利要求4所述的淀积装置,其中,所述室呈圆柱形并且所 述荫罩呈盘形。
6、 根据权利要求4所述的淀积装置,其中,所述室呈六面体形并且 所述荫罩呈矩形板形状。
7、 根据权利要求4所述的淀积装置,其中,所述支承部件沿着所述 室的内侧呈闭合环形突出。
8、 根据权利要求4所述的淀积装置,其中,所述支承部件包括从所 述室的内侧突出预定长度的突起。
9、 根据权利要求4所述的淀积装置,其中,在所述室的上部设置有基板固定单元以固定基板。
10、 一种淀积装置,该淀积装置包括 荫罩,该荫罩具有开口;室,在该室中具有所述荫罩;淀积单元,该淀积单元设置在所述室的下部,其中所述淀积单元容纳有淀积材料;和遮挡部件,该遮挡部件介于所述室的内侧与所述荫罩的外侧之间, 用以防止所述淀积材料从所述室的内侧与所述荫罩的外侧之间穿过。
11、 根据权利要求10所述的淀积装置,其中,所述荫罩呈矩形板形 状并且所述室呈圆柱形。
12、 根据权利要求ll所述的淀积装置,其中,所述遮挡部件遮住所 述荫罩的侧面与所述室的曲面之间的空隙。
13、 根据权利要求10所述的淀积装置,其中,所述荫罩呈盘形并且 所述室呈六面体形。
14、 根据权利要求13所述的淀积装置,其中,所述遮挡部件遮住所 述荫罩的曲面与所述室的内侧之间的空隙。
15、 根据权利要求10所述的淀积装置,其中,所述遮挡部件还包括 设置在所述室的内侧的拉伸单元,以对所述荫罩施加张力以防止所述荫 罩弯曲。
16、 根据权利要求10所述的淀积装置,其中,所述遮挡部件与所述 荫罩的边缘重叠。
17、 根据权利要求10所述的淀积装置,其中,在所述淀积单元周围 设置有加热单元,用以对所述淀积单元进行加热。
18、 根据权利要求17所述的淀积装置,其中,所述加热单元包括电 加热器。
19、 根据权利要求10所述的淀积装置,其中,在所述室的内侧设置 有支承部件,以支承所述遮挡部件。
全文摘要
本发明公开了荫罩和具有该荫罩的淀积装置。该淀积装置包括荫罩,该荫罩具有开口;室,在该室中具有所述荫罩;淀积单元,该淀积单元设置在所述室的下部,其中所述淀积单元容纳有淀积材料;和遮挡部件,该遮挡部件介于所述室的内侧与所述荫罩的外侧之间,用以防止所述淀积材料从所述室的内侧与所述荫罩的外侧之间穿过。防止了从淀积单元升华的淀积材料从荫罩的开口以外的地方穿过荫罩,从而防止了室的内部被污染,从而提高了薄膜淀积装置的工作能力。可以防止附于室的内侧的淀积材料与室分离,从而淀积材料不会成为颗粒。
文档编号C23C14/12GK101096746SQ20071012690
公开日2008年1月2日 申请日期2007年6月29日 优先权日2006年6月30日
发明者李在允, 李相根, 金廷炫 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社
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