用于制造存储介质的方法

专利名称：用于制造存储介质的方法
技术领域：
本发明涉及用于制造存储介质的方法。
背景技术：
在可以记录及再现信息的存储装置中所使用的存储介质各个都可以
例如通过以下步骤制作在衬底(substrate)上形成磁性膜；将润滑剂 (lubricant)涂布到所得到的叠置体(stack);以及对涂布了润滑剂的叠 置体进行平坦化(planarize)。执行平坦化是为了提高在磁记录装置操作 期间的磁头悬浮稳定性(floating stability),并且使得磁头不会被附着到 磁记录介质表面的异物所损害。日本实用新型登记申请特开昭No. 60-60014公开了这种存储介质、存储装置以及用于制造存储介质的方法。

发明内容
根据实施方式的一个方面， 一种用于制造存储介质的方法包括以下 步骤提供引导组件及用于形成存储介质的介质板(mediumplate)组件； 设置所述介质板组件及所述引导组件，使得所述介质板组件与所述引导 组件彼此靠近，并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成 基本上公共的平面；将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导 到所述引导组件的表面上；以及将所述引导组件上的所述抛光组件滑动 (slide)到所述介质板组件上，以对所述介质板组件的表面进行抛光。


图1A到IF是例示了根据本发明的实施方式的用于制造存储介质的 方法的示意性截面图2示出了在准备其具有记录层的介质板组件的步骤中所准备的介质板组件的示例的示意性平面图及示意性截面图3是示出了在准备其具有记录层的介质板组件的步骤中所准备的 介质板组件的另一示例的示意性截面图4是示出了在排布引导组件和介质板组件的步骤中引导组件及介 质板组件的排布结构及形状的示例的示意性平面图5是示出了在排布引导组件和介质板组件的步骤中引导组件及介 质板组件的排布结构及形状的另一示例的示意性平面图6A到6C是例示了在根据本发明的实施方式的用于制造存储介质 的方法中使抛光组件与引导组件相接触的步骤的截面图7A到7D是示出了在根据本发明的实施方式的用于制造存储介质 的方法中抛光组件、引导组件与附着到介质板组件表面的异物之间的位 置关系的示意性截面图8A到8C是示出了在根据现有技术的用于制造磁记录介质的方法 的过程中抛光组件与附着到介质板组件表面的异物之间位置关系的示意 性截面图9是示出了在实验性示例1中所制作的磁记录介质内瑕疵位置与 瑕疵数量之间关系的条形图IOA到IOD是例示了在实验性示例1中的最外周处的瑕疵的生成 机制的示意性截面图IIA到11C是例示了在实验性示例2中用于制造磁记录介质的方 法的示意性截面图12A到12C是例示了在对比示例1中用于制造磁记录介质的方法 的示意性截面图；以及
图13是示出了在对比较示例1中制作的磁记录介质的两个表面中的 瑕疵位置与数量之间关系的条形图。
具体实施例方式
用于对存储介质进行平坦化的典型方法是带抛光(TB， Tape Bumishing)。带抛光包括以下步骤将抛光带压靠旋转磁记录介质的正
面及背面；然后，将抛光带在磁记录介质的表面上进行滑动，以去除介 质表面上的突起。为了提高磁记录介质表面的平坦性并且去除磁记录介 质表面上的异物，通常在磁记录介质制造工艺的最后步骤中执行带抛光。
不利的是，带抛光会导致磁记录介质中的瑕疵，因而不利地影响磁 记录及再现性能。瑕疵集中在磁记录介质中抛光带首先与该介质接触的 部分。抛光带和磁记录介质之间的较小接触区域将减少瑕疵数量。然而 在该情况下，会降低抛光效率。
本发明提供了一种用于制造记录介质的方法，该方法包括对存储介 质进行平坦化，而不产生会不利地影响信息记录及再现性能的瑕疵。
图1A到1F是例示了作为根据本发明的用于制造存储介质的方法的 实施方式的用于制造磁记录介质的方法的示意性截面图。
根据实施方式的用于制造磁记录介质的方法包括以下步骤提供介 质板组件的步骤(图1A);设置介质板组件和引导组件使得介质板组件 与引导组件彼此靠近并且介质板组件的表面与引导组件的表面形成基本 上公共的平面的步骤(图1B);将用于对介质板组件进行抛光的抛光组 件引导到引导组件的表面上的步骤(图1C到1D);以及将引导组件上的 抛光组件滑动到介质板组件上以对介质板组件的表面进行抛光的步骤
(图1D到1F)。
下面将参照附图来描述根据实施方式的用于制造磁记录介质的方法 的步骤。
1、准备介质板组件的步骤
在该步骤中，准备在衬底上具有磁记录层的介质板组件。在该步骤 中所准备的介质板组件经过平坦化步骤(稍后描述)，以形成磁记录介质 而不会在介质表面上留有不规则体或异物。
图2示出了该步骤中所准备的介质板组件的示例的示意性平面图和 示意性截面图。介质板组件1在衬底11的各个表面上包括:软磁底层12A 及12B，中间层13A及13B，记录层14A及14B，以及保护层15A及15B。 保护层15A及15B的各个表面分别覆盖有润滑剂层16A及16B。介质板 组件1可以具有与目标磁记录介质的形状对应的任意形状，并且通常为
盘形。
衬底ll的形状、结构、尺寸、材料等不受具体限制，而是可以根据 用途而适当地选择。例如，当将磁记录介质合并到磁盘装置中时，衬底 11为盘形。衬底11可具有单层结构或多层结构。可以由从用作磁记录介 质的衬底的已知材料中所选择的材料来构成衬底11。
可以从铝、玻璃、硅、石英、以及在硅表面上形成热氧化膜的Si02/Si ("/"表示对在"/"之前及之后的衬底材料进行叠置)等中选择所述材 料。可以单独使用或组合使用这些材料。可适当地形成衬底11。另选的 是，市场上可获得的衬底可以用作衬底ll。
软磁底层(SUL) 12A及12B中的每一个的形状、结构、尺寸等不 受具体限制，而是可以根据用途而从过去已被使用的那些参数中适当地 选择。软磁底层12A及12B中的每一个优选地可由从Ru、Ru合金、MFe、 FeSiAl、 FeC、 FeCoB、 FeCoNiB及CoZrNb中选择的至少一种材料构成。 可以单独使用或组合使用这些材料。
提供中间层13A及13B，以改进记录层14A及14B的主要在垂直磁 记录介质中的取向性(orientation)。中间层13A及13B中的每一个的形 状、结构、尺寸等不受具体限制，而是可以根据用途而从过去已被使用 的那些参数中适当地选择。中间层13A及13B中的每一个优选地可由从 Ni合金、Ru、 Ru合金、以及包含氧化物的CoCr合金中选择的至少一种 材料构成。
提供记录层14A及14B，以在磁记录介质中记录和再现信息。
用于记录层14A及14B中的每一个的材料不受具体限制，而是可以 根据用途从己知材料中适当地选择。例如，记录层14A及14B中的每一 个优选地可由从Fe、 Co、 M、 FeCo、 FeNi、 CoNi、 CoNiP、 FePt、 CoPt、 及NiPt中选择的至少一种材料构成。可以单独使用或组合使用这些材料。
记录层14A及14B中的每一个的结构(形状)不受具体限制，只要 将这些层都形成为由上述材料构成的磁性膜即可。可以根据用途而适当 地选择结构(形状)。
记录层14A及14B中的每一个的厚度不受具体限制，只要不损害本发明的优点即可。可以对应于记录期间的线性记录密度等而适当地选择 该厚度。
用于形成记录层14A及14B的方法不受具体限制。可以由已知方法 (例如溅射(sputtering)、电淀积(electrodeposition)、或AC镀敷(AC plating))来形成记录层14A及14B。
分别直接在垂直记录层14A及14B的表面上通过已知的形成膜技术 (例如溅射或镀敷)来形成保护层15A及15B。构成保护层15A及15B 中的每一个的材料不受具体限制。例如，优选地使用类金刚石碳(DLC， diamond-like carbon)。
对保护层15A及15B的表面进行清洁(cleaning)处理。为了提高 耐久性及耐蚀性，使用润滑剂16来处理保护层15A及15B的表面，以 生成介质板组件l。例如，将全氟聚醚润滑剂(其是具有有各种极性基的 封端的碳氟化合物润滑剂)用作润滑剂16，并且将其通过浸渍(dipping)、 旋转涂覆(spincoating)、或喷射(spraying)而涂布到保护层15A及15B 上。
在根据本发明的用于制造存储介质的方法中使用的介质板组件的形 状、结构、尺寸、材料等不受具体限制，而是可以根据用途而适当地选 择。例如，如图3中所示，仅在衬底的一面上形成软磁底层12、中间层 13、记录层14、以及保护层15。此外，可用润滑剂16覆盖保护层15。 可适当地形成在用于制造存储介质的方法中使用的介质板组件。另选的 是，可将市场上能获得的介质板组件用作为介质板组件。
2、设置引导组件及介质板组件的步骤
在该步骤中，如图1B中所示，将介质板组件1及引导组件2设置为 使得介质板组件1的表面与引导组件2的表面形成基本上公共的平面。
介质板组件1的中央部固定到轴6。轴6是固定并且旋转介质板组 件1的轴。将介质板组件1及引导组件2设置为，使得安装在固定组件 (未示出)上的引导组件2的表面41与介质板组件1的表面43形成基 本上公共的平面，并且使得引导组件2的表面42与介质板组件1的表面 44形成基本上公共的平面。按照该排布结构，当在后续步骤中使抛光组
件与介质板组件相接触时，在与介质板组件的表面垂直的方向上基本上 不发生抛光组件的运动。因此，使抛光组件与介质板组件的表面相接触， 而不会对介质板组件的表面施加较大的冲击力。因此，抛光组件不太可 能对附着在介质板组件的表面上的异物施加较大的冲击力，这种力可能 会损害介质板组件。因此，按照介质板组件及引导组件的该排布结构， 在由于冲击力所引起的生成瑕疵可以忽略的情况下，抛光组件对这些表 面进行抛光。
将引导组件2设置为在后续步骤中将与引导组件2相接触的抛光组 件平稳地滑动到介质板组件上。
在已知的带抛光中，使抛光组件与介质板组件1直接接触；因此， 由于在它们接触时所产生的冲击力，所以附着在介质板组件表面上的异 物在介质板表面的较大区域内不利地造成瑕疵。这些瑕疵会不利地影响 所得到的磁记录介质的磁记录和再现性能。在本实施方式中，通过使抛 光组件与引导组件2的表面41及42相接触，然后将所接触的抛光组件 滑动到表面43及44上，来消除该问题。将在稍后描述的"将抛光组件 滑动到引导组件及介质板组件上的步骤"中描述细节。
在根据本发明的用于制造存储介质的方法中，表述"基本上公共的 平面"表示优选地这些表面完全地形成一公共平面，然而，这些表面可 以不完全形成公共平面，而是可以形成在可以实现本发明目的的合理范 围内的台阶(step)。换言之，在如下所述的将抛光组件滑动到引导组件 及介质板组件上的步骤中，表面41及表面43可以不完全形成公共表面， 而表面42及表面44可以不完全形成公共表面，只要可以将与引导组件 相接触的抛光组件平稳地滑动到介质板组件上而不会生成针对介质板组 件的较大的冲击力即可。在表面41与43之间及表面42与44之间形成 的台阶高度优选地是35 wm或更小，更优选地是25 um或更小。
图11A到11C是示出以下实施方式的示意性截面图，其中，将介质 板组件1及引导组件2设置为，使得介质板组件1的各个表面与引导组 件2的相应表面形成基本上公共的平面。例如，引导组件2可以具有比 介质板组件1的厚度稍大的厚度，如图11B中所示，以及引导组件2也
可以具有其中表面41及表面43形成公共平面并且表面42及表面44形 成公共平面的排布结构，如图IIA中所示。另选的是，如图IIC中所示， 引导组件2可具有比介质板组件1的厚度稍小的厚度。具体地说，在图 11B及11C中，表面41与表面43之间的距离Wl及表面42与表面44 之间的距离W2中的每一个都可针对抛光组件3的形状、表面面积等而 变化，并且这些距离优选地是35 um或更小，更优选地是25 um或更 小。
优选的是，介质板组件及引导组件具有平坦表面。在下面描述的将 抛光组件滑动到引导组件及介质板组件上的步骤中，介质板组件及引导 组件可以具有不规则表面，只要可以将与弓!导组件接触的抛光组件平稳 地滑动到介质板组件上而不会生成针对介质板组件的较大冲击力即可。 优选的是，介质板组件的表面平行于引导组件的表面，但是可以不完全 平行于引导组件的表面。
引导组件2与介质板组件1之间的厚度差优选地是35 ii m或更小， 更优选地是25 "m或更小，以使得引导组件2的表面41与介质板组件 1的表面43可以形成基本上公共的平面，并且引导组件2的表面42与介 质板组件1的表面44可以形成基本上公共的平面，介质板组件1在衬底 11的两面上具有记录层14A及14B。特别优选的是，引导组件2具有与 介质板组件1基本上相同的厚度。
在引导组件2与介质板组件1之间的厚度差处于上述范围内的情况 下，在将抛光组件滑动到引导组件及介质板组件上的步骤中，在使抛光 组件与介质板组件相接触中所生成的冲击力较小。因而，对介质板表面 进行抛光，同时防止生成瑕疵。
引导组件2的材料不受具体限制，只要当引导组件2与抛光组件相 接触时，引导组件2不会破裂或者轻易变形即可。可使用的材料的示例 包括钨、碳及合金(例如包含钴的硬质合金(cemented carbide)、不锈钢 及黄铜)。
图4是图IB中的介质板组件1及引导组件2的排布结构的示意性平 面图。在本实施方式中，介质板组件l与引导组件2之间的间隔W不受
具体限制。从实现将所接触的抛光组件平稳地滑动到介质板组件上的角
度出发，优选的是，间隔w小于抛光组件的宽度。更优选的是，间隔w
尽可能地小。然而，所以从防止介质板组件1与引导组件2因轴6的偏 心率以及引导组件2的安装误差而相接触的角度出发，优选的是，间隔 W为1 mm或更大。
固定组件(未示出)的形状、结构、尺寸、材料等不受具体限制。 在根据本发明的用于制造存储介质的方法中的设置引导组件及介质 板组件的步骤中，可以将引导组件2设置为，使得引导组件2的至少一 个表面与介质板组件1的相应表面形成基本上公共的平面。例如，在该 步骤中使用在衬底的一面上具有记录层等的介质板组件(如图3所示) 的情况下，可用夹具(jig) 7来设置介质板组件1及引导组件2，使得在 其上设置了介质板组件1的记录层的表面与引导组件2的相应表面形成 基本上公共的平面，如图5所示。夹具7的形状、结构、尺寸、材料等 不受具体限制。
3、使抛光组件与引导组件相接触的步骤
在该步骤中，如图1C及1D中所示，使用于对介质板组件1的表面 进行抛光的抛光组件3与引导组件2相接触。
抛光组件3包括具有固定抛光粉(fixed abrasive grain)的抛光层， 并且可以对介质板组件1的表面进行抛光。抛光层通常具有通过树脂粘 结剂(resinbinder)而固定的抛光粉。
图6A到6C是例示了在根据本实施方式的用于制造存储介质的方法 中的使抛光组件与引导组件相接触的步骤的示例的示意性截面图。如图 6A所示，在介质板组件1的两面上对用作对介质板1的两个表面进行抛 光的抛光组件并且包括设置在薄片(诸如塑料膜)上的抛光层的抛光带 3a及3b (以下，也统称为"抛光带3")进行设置。鉴于以下事实而优选 地使用抛光带3:每当制造一个磁记录介质时，通过分别将抛光带3a及 3b从滚筒31a及31b (以下也统称为"滚筒31")解开(unwind),并且 分别将抛光带3a及3b绕着滚筒32a及32b (以下也统称为"滚筒32") 缠绕(wind),来用未经使用的抛光层对介质板组件1进行抛光。此外，
在将抛光组件滑动到引导组件及介质板组件上的后续步骤中，可以在连
续地从滚筒31解开抛光带3并且绕着滚筒32缠绕抛光带3的同时，执 行滑动。另选的是，可以在抛光带3停止的同时，执行滑动。抛光带3 的从滚筒31到滚筒32的馈送方向不受具体限制，可以是盘形的介质板 组件的径向方向，或者可以是与介质板组件的径向方向相垂直的方向。
塑料膜的厚度通常大约为5到100 Jim。作为抛光粉，例如可以使 用由从铝、金刚石、硅石、二氧化铈、氧化铁、氧化铬、及碳化硅中所 选择的至少一种材料构成并且平均颗粒直径为0.02到5 U m的颗粒。作 为树脂粘结剂，例如可以使用聚酯树脂粘结剂或聚氨酯树脂粘结剂。
在后续步骤中，可以通过使抛光带3与介质板组件1的两面相接触 并且将抛光带3按压在介质板组件1上，来对介质板组件1的表面进行 抛光。用于按压抛光带3的方法不受具体限制，例如可以包括在抛光带 3a及3b的与抛光层相对的各个面上，设置TB衬垫4a及4b (以下也统 称为"TB衬垫4")以及TB头5a及5b (以下也统称为"TB头5")，然 后将力Fa及Fb施加到TB头5a及5b上，以使用TB衬垫4a及4b将抛 光带3a及3b按压在介质板组件l的两个表面上，如图6A中所示。用于 TB衬垫4的材料示例包括各种树脂材料，例如氨酯弹性体(urethane elastomers)、乙烯弹性体(ethylene elastomers)、及非刚性塑料(nonrigid plastic)。用于TB头5的材料示例包括各种合金，例如不锈钢及黄铜。 可以根据要制造的磁记录介质的尺寸来适当地选择TB衬垫4及TB头5 的形状和尺寸。
在本发明的用于制造存储介质的方法中的使抛光组件与引导组件相 接触的步骤中，用于对介质板组件1的表面进行抛光的抛光带3a和3b 可以与引导组件2相接触。例如，在该步骤中使用在衬底的一面上具有 记录层等的介质板组件(如图3所示)的情况下，可以使用以下方法 在介质板组件1的一面上排好拋光带3、 TB衬垫4及TB头5，然后将力 F施加到TB头5，以使用TB衬垫4将抛光带3按压在介质板组件1的 一个面上，如图6B所示。
作为按压抛光带3的另一方法，例如，可以使用通过向抛光带3的
与抛光层相反的一面鼓入压縮空气40来将抛光带3按压在介质板组件1 的表面上的方法，如图6C所示。在与力F方向相反的方向上，通过任何 手段来施加与力F大小相同的力(在图6B及6C中未示出)。 4、将抛光组件滑动到引导组件及介质板组件上的步骤 在该步骤中，如图1D到1F中所示，将与引导组件2相接触的抛光 组件3滑动到引导组件2及介质板组件1上，以抛光介质板组件1的表 面。将抛光组件3从设置在介质板组件1的边缘侧上的引导组件2朝介 质板组件1的内周滑动。然而，如果需要，可以在径向方向上使抛光组 件3往返(shuttle)。通常，在滑动期间通过使轴6旋转来使介质板组件 l旋转，由此更加均匀地对这些表面进行抛光。在抛光组件3是如图6A 到6C所示的抛光带的情况下，可以在滑动期间持续地馈送抛光带3或者 停止抛光带3。
图7A到7D是示出了在根据本实施方式的用于制造磁记录介质的方 法的过程中抛光组件、引导组件、与附着在介质板组件表面上的异物之 间位置关系的示意性截面图。图7A示出了恰在抛光组件与引导组件相接 触之前抛光组件、引导组件、介质板组件与异物之间的位置关系。图7B 示出了恰在抛光组件与引导组件相接触之后抛光组件、引导组件、介质 板组件与异物之间的位置关系。图7C及7D各个都示出了在将与引导组 件相接触的抛光组件朝着介质板组件的内周滑动期间的抛光组件、引导 组件、介质板组件与异物之间的位置关系。
在某些情况下，当使抛光带3与附着有异物21的引导组件2的表面 相接触时，在接触瞬间所施加的冲击力会造成按照异物21的形状的瑕疵， 如图7B所示。在朝着介质板组件1的内周滑动期间，嵌入在瑕疵中的异 物21不会造成介质板组件1的表面瑕疵。
介质板组件1的表面与引导组件2的相应表面形成基本上公共的平 面。因而，当抛光组件3与介质板组件相接触时，在与介质板表面垂直 的方向上基本上不发生抛光组件的运动。因此，使抛光组件与介质板组 件的表面相接触，而不会生成针对介质板组件表面的较大冲击力。因此， 即使当附着在引导组件表面上的异物21附着到抛光带表面上的同时执行
滑动，异物21也不会经受冲击力，使得抑制了在介质板组件1的表面上 生成瑕疵。而且，在滑动期间附着到介质板组件1上的异物22不会经受 冲击力，因此不会在介质板组件1中造成瑕疵。
异物21及异物22是在准备介质板组件1的步骤中在形成构成介质 板组件1的各个层时从淀积在制造装置内的细微颗粒得到的细微颗粒。 在当前环境下，在介质板组件1中造成瑕疵的异物的尺寸大约是10 li m 或更大。
在本实施方式中，为了提高介质板组件1的表面抛光效率，可以增 大抛光组件3与介质板组件1之间的接触面积。即使当减小抛光组件3 与介质板组件1之间的接触面积时，仍然可以获得如本实施方式中的相 同效果。然而，抛光效率降低了。
图8A到8C是示出了在根据现有技术的用于制造磁记录介质的方法 的过程中抛光组件3与附着在介质板组件表面上的异物之间位置关系的 示意性截面图，该方法包括在没有引导组件的情况下使抛光组件'3与介 质板组件1相接触的步骤。图8A示出了恰在抛光组件与介质板组件相接 触之前抛光组件、介质板组件与异物之间的位置关系。图8B示出了恰在 抛光组件与介质板组件相接触之后抛光组件、介质板组件与异物之间的 位置关系。图8C示出了在与介质板组件接触的抛光组件从内周向外缘滑 动期间的抛光组件、介质板组件与异物之间的位置关系。当抛光带3与 其上附着有异物22的介质板组件1表面相接触时，在某些情况下，在接 触瞬间施加的冲击力会造成按照异物22的形状的瑕疵，如图8B中所示。 为了提高抛光效率而增加在抛光组件3与介质板组件1之间的接触面积， 这会增加将异物夹(sandwich)在抛光组件3与介质板组件1之间的概率， 从而容易生成瑕疵。在朝着介质板组件1的外缘滑动期间，嵌入在瑕疵 中的异物22不会造成介质板组件1的表面瑕疵。在与介质板组件的表面 垂直的方向上基本上不发生抛光组件的运动，使得抛光组件不会在介质 板组件的表面上施加较大的冲击力。因此，即使当异物附着到带表面的 同时执行滑动，仍然抑制了在除了抛光组件3与介质板组件1表面相接 触的部分P (图8B及8C)之外的介质板组件1的其它表面部分上的瑕
疵生成。
在上述步骤之后，如果必要，可以将由泡沫材料(foam)、机织织物 (woven fabric)、非机织织物(nonwoven fabric)、植绒织物(flocked fabric)、或突起织物(raised fabric)形成的带，按压在旋转衬底的两面上 的软铁底层的表面上，以擦拭软磁底层的表面，由此去除异物(诸如在 抛光期间附着到软磁底层表面上的抛光灰尘)。此外，在抛光之后，可通 过向介质板组件1的表面上鼓入水或空气，来去除异物(诸如在使用固 定抛光粉进行抛光期间附着到软磁底层表面上的抛光灰尘)。
本发明不限于上述示例性实施方式。旨在将任何具有基本上与本发 明所附权利要求中所描述的相同的技术思想并且提供相同效果的等同物 包含在本发明的技术范围中。
例如，在本实施方式中，磁记录层用作记录层。然而，在本发明的 存储介质中，用于记录及再现信息的记录层足以用作记录层。记录层不 限于磁记录层。
根据上述实施方式，抛光组件不是在具有记录层的介质板组件上而 是在引导组件上施加较大的冲击力。此外，引导组件的与抛光组件相接 触的表面与介质板组件的表面形成基本上公共的平面，使得在与介质板 组件表面垂直的方向上基本上不发生抛光组件的运动。因此，将抛光组 件滑动到介质板组件上，而不会对介质板组件的表面上施加较大的冲击 力。另外，可以增加在抛光组件与介质板组件之间的接触面积。因此， 提供了不会不利地影响记录及再现信息性能的平稳存储介质。
实验性示例1
通过在厚度为0.635 mm及直径为65 mm的玻璃衬底的各个表面上 进行溅射，按照以下顺序形成了由从Ru或Ru合金中所选择的反铁磁 性材料构成的软磁底层；由从Ni合金、Ru合金及包含氧化物的CoCr合 金中所选择的材料构成的中间层；由从Co、 Ni、 Fe、 Co合金、Ni合金 及Fe合金中所选择的铁磁材料构成的记录层；以及由类金刚石碳(DLC) 构成的保护膜。软磁底层、中间层、记录层及保护膜各个都具有亚微米 级的厚度。将包括叠置的软磁底层、中间层、记录层及保护膜的玻璃衬底浸入在润滑剂(其是具有全氟聚醚及例如羟基和苯基的端基所构成的
主链的有机液体)中，以将润滑剂(其厚度为0.8nm)涂布到保护膜上， 由此提供直径为65mm的圆盘形介质板组件，如图2中所示。介质板组 件的总厚度是0.635 mm。
将所得到的介质板组件安装在带抛光装置(市场上可获得的抛光器) 的轴上。图IIA是示出了在带抛光装置中所设置的介质板组件与引导组 件之间的位置关系的示意性截面图。带抛光装置具有其厚度与介质板组 件1的总厚度相同的引导组件2，并且该带抛光装置被设计为将介质板组 件1及引导组件2设置为，使得介质板组件l的表面43与引导组件2的 表面41形成基本上公共的平面，并且介质板组件1的表面44与引导组 件2的表面42形成基本上公共的平面，介质板组件1安装在轴6上。
介质板组件与引导组件之间的间隔(图4中的间隔W)固定为1 mm。 带抛光装置包括抛光带(由Mipox International Corp.所制造)；用于将 抛光带按压在介质板组件上并且由聚氨酯(商用名Rubycdl，由 Toyopolymer Co., Ltd.所制造)构成的TB衬垫；以及由硬质合金(G2) (钨、碳、钴)构成的TB头，这些组件如图6A中所示而设置。持续地 从滚筒31解开抛光带3并且绕着滚筒32缠绕抛光带3。抛光带3从滚筒 31到滚筒32的馈送方向是与圆盘形的介质板组件的径向方向垂直的方 向。
在带抛光装置中，使抛光带3与引导组件2相接触。抛光带3到引 导组件2的表面的接触速度设置为0.5 mm/s。
通过在以恒定的转数旋转介质板组件1的同时朝着介质板组件1的 内周滑动与引导组件2相接触的抛光带3，来执行对介质板组件1的表面 的抛光，由此提供磁记录介质。抛光带3向引导组件及介质板组件1施 加恒定的载荷。滑动速度(横向速度)设置为3 mm/s。开始施加载荷的 位置设置在引导组件2的表面上。结束施加载荷的位置设置在位于介质 板组件1的表面上并且距离介质板组件1的中心12 mm远的位置处。在 滑动期间，不绕着滚筒32缠绕抛光带3。
根据上述方法，制造十个磁记录介质。假设对各具有10 "m或更
大宽度的瑕疵进行计数，使用显微镜来观察在所得到的磁记录介质的表
面中的瑕疵位置及瑕疵数量。图9示出了在磁记录介质的两个表面中的 瑕疵位置及瑕疵数量的观察结果。图9中的条图的横轴表示到介质板组 件中心的距离R(mm)。例如，沿着横轴位于31.5到32.5 mm处的条形 表示在距离介质板组件中心31.5到32.5 mm的部分中的瑕疵总数量。
图9中的条图的纵轴表示在十个磁记录介质的两个表面中的瑕疵的 总数量N。在图9中，"LP"表示开始对介质板组件1施加载荷的位置(载 荷位置)，而"SD"表示滑动方向。在距离磁记录介质中心30.5到32.5 mm 的部分中观察到五个瑕疵。在磁记录介质表面的其它部分没有观察到瑕 疵。因为通常距离最外缘大约1到2mm的部分不用作记录区域，所以通 常可以忽略这些瑕疵。
在距离中心30.5到32.5 mm的部分中生成瑕疵的原因推测如下。图 10A到10D是示出了在实验性示例1中在最外缘中生成瑕疵的机制的示 意性截面图。图10A是在使抛光带3与引导组件2相接触之前引导组件 2、抛光带3、 TB衬垫4与TB头5的形状及彼此间的位置关系的示意性 截面图。图10B是在使抛光带3与引导组件2接触之后引导组件2、抛 光带3、 TB衬垫4与TB头5的形状及彼此间的位置关系的示意性截面 图。图10C是在抛光带3滑动的过程中当边缘9^及9bi到达引导组件2 与介质板组件1之间的间隙时，介质板组件l、引导组件2、抛光带3、 TB衬垫4与TB头5的形状及彼此间的位置关系的示意性截面图。图10D 是在抛光带3滑动的过程中当边缘9a,及9b,到达介质板组件1的最外缘 时，介质板组件l、引导组件2、抛光带3、 TB衬垫4与TB头5的形状 及彼此间的位置关系的示意性截面图。
如图10B所示，恰在开始抛光带3的滑动之后，抛光带3保持施加 到引导组件2的恒定载荷。此时，TB衬垫4受到来自抛光带3及TB头 5的载荷。这些载荷使得将TB衬垫4保持在比在使抛光带3与介质板组 件1相接触之前的状态(图10A)更被压紧的状态。
如图IOC所示，当抛光带3的端部9&及9bi到达引导组件2与介质 板组件1之间的间隙时，分别减轻施加到与抛光带3的端部9a!及9bi靠
近的TB衬底4的端部9&及9b2的载荷，由此使TB衬垫4的端部膨胀。 在继续滑动的情况下，如图10D所示，TB衬底4的端部9a2及9b2 的膨胀导致当抛光带3的端部9a,及9b,到达介质板组件1的最外缘时抛 光带3的端部9ai及9b,相对于介质板组件1的表面突出。当在该状态下 继续滑动时，抛光带3的端部9ai及9b,使得介质板组件l过载，由此造 成介质板组件l中的瑕疵。
当进一步继续滑动时，TB衬底4的端部9a2及9b2被再次压紧，使 得由抛光带3的端部9a,及9b!施加到介质板组件1上的载荷恢复正常。 因此，在除了最外缘之外的其它部分中没有观察到瑕疵。 实验性示例2
在介质板组件最外缘处的瑕疵生成率与介质板组件及引导组件的厚 度差异之间的关系
为了对在介质板组件最外缘处的瑕疵生成率与介质板组件及带抛光 装置的引导组件的厚度差异之间的关系进行评估，将制造下面描述的磁 记录介质A、 B及C。
如在实验性示例1中一样，制造各具有与介质板组件相同的层结构、 形状及尺寸的十三个磁记录介质。这些磁记录介质称为"磁记录介质A"。 图11A是示出了当将介质板组件1安装在轴6上时，介质板组件1与引 导组件2之间的位置关系的截面图。
将实验性示例1中所使用的带抛光装置修改为，使得引导组件2具 有比介质板组件l厚度大50 ym的厚度，并且将介质板组件l设置为， 使得安装在轴6上的介质板组件1的每一个表面与引导组件2的相应表 面之间的距离(间隔)(图11B中的W1及W2)为25 um。图UB是 示出了当将介质板组件1安装在该带抛光装置的轴6上时，介质板组件1 与引导组件2之间的位置关系的示意性截面图。除了使用了该装置之外， 和在实验性示例1中一样制造十三个磁记录介质。这些磁记录介质称为 "磁记录介质B"。
接下来，将实验性示例1中所使用的带抛光装置修改为，使得引导 组件2具有比介质板组件1厚度小50 n m的厚度，并且将介质板组件1
设置为，使得安装在轴6上的介质板组件1的每一个表面与引导组件2 的相应表面之间的距离(间隔)(图11C中的W1及W2)为25 um。图 11C是示出了当将介质板组件1安装在该带抛光装置的轴6上时，介质板 组件1与引导组件2之间的位置关系的示意性截面图。除了使用了该装 置之外，和在实验性示例1中一样制造十三个磁记录介质。这些磁记录 介质称为"磁记录介质C"。
针对磁记录介质A、 B及C中的每一个磁记录介质的两个表面，来 计数距离中心31.5到32.5 mm的部分中所具有瑕疵的表面数量，并且计 算瑕疵生成率((具有瑕疵的表面数量/26) X100 (%))。对位于距离每 一个磁记录介质中心31.5到32.5 mm的部分中的瑕疵进行评估的原因在 于，在从引导组件2朝向介质板组件1的中心滑动期间在介质板组件1 的最外缘中生成瑕疵。
在磁记录介质A中，具有瑕疵的表面数量是二十六个中有一个，瑕 疵生成率是4 %。在磁记录介质B中，具有瑕疵的表面数量是二十六个 中有三个，瑕疵生成率是12%。在磁记录介质C中，具有瑕疵的表面数 量是二十六个中有两个，瑕疵生成率是8%。磁记录介质A(其中每一个 都具有其厚度与介质板组件1的总厚度相同的引导组件2)中的瑕疵生成 率是最低的，等于或小于磁记录介质B及C中的每一个的瑕疵生成率的 一半。
对比示例1
准备其与实验性示例1中所使用的介质板组件的层结构、形状及尺 寸相同的介质板组件。
如图12A所示，将介质板组件1安装在实验性示例1中所使用的带 抛光装置中的轴6上。
如图12B所示，使带抛光装置中的抛光带3 (由Mipox International Corp.所制造)与介质板组件1相接触。抛光带3到介质板组件1表面的 接触速度设置为0.5mm/s。
如图12C所示，通过在以恒定的转数旋转介质板组件1的同时朝着 介质板组件1的最外缘滑动与介质板组件1相接触的抛光带3，来执行对
介质板组件1的表面43及44的抛光，由此提供磁记录介质。抛光带3 向介质板组件施加恒定的载荷。滑动速度(横向速度)设置为3 mm/s。 开始施加载荷的位置设置在距离介质板组件的中心12.0 mm远的位置处。 结束施加载荷的位置设置在距离介质板组件的中心32.5mm远的位置处。 在滑动期间，不绕着滚筒32缠绕抛光带3。
根据上述方法，制造十个磁记录介质。假设对各具有10 Pm或更 大宽度的瑕疵进行计数，使用显微镜来观察在所得到的磁记录介质的表 面中的瑕疵位置及瑕疵数量。图13示出了在磁记录介质的两个表面中的 瑕疵位置及瑕疵数量的观察结果。和图9的条图一样，图13的条图的横 轴表示到介质板组件中心处的距离R (mm)。纵轴表示在十个磁记录介 质的两个表面中的瑕疵的总数量N。在图13中，"LP"表示开始对介质 板组件1的施加载荷的位置(载荷位置)，而"SD"表示滑动方向。仅在 抛光带开始向磁记录介质施加载荷的LP处观察到瑕疵。
权利要求
1、一种用于制造存储介质的方法，该方法包括以下步骤提供引导组件及用于形成存储介质的介质板组件；设置所述介质板组件及所述引导组件，使得所述介质板组件与所述引导组件彼此靠近，并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成基本上公共的平面；将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导到所述引导组件的表面上；以及将所述引导组件上的所述抛光组件滑动到所述介质板组件上，以对所述介质板组件的表面进行抛光。
2、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述介质板组件具有记录层， 以将信息记录在所述记录层上并且从所述记录层再现信息。
3、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述引导组件具有基本上与 所述介质板组件相同的厚度。
4、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述介质板组件具有衬底并 在所述衬底的两侧具有记录层，以将信息记录在所述记录层上并且从所 述记录层再现信息。
5、 根据权利要求4所述的方法，该方法还包括以下步骤将用于对所述介质板组件进行抛光的另一抛光组件引导到所述引导组件的另一表面上；以及将所述引导组件上的所述另一抛光组件滑动到所述介质板组件上， 以对所述介质板组件的所述另一表面进行抛光。
6、 根据权利要求5所述的方法，其中，同时滑动所述抛光组件与所 述另一抛光组件。
7、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述介质板组件及所述引导 组件被设置为，使得在与将所述抛光组件滑动到所述介质板组件上的方 向平行的方向上，所述介质板组件与所述引导组件之间的距离小于所述 抛光组件的宽度。
全文摘要
本发明涉及用于制造存储介质的方法。根据实施方式的一个方面，一种用于制造存储介质的方法包括以下步骤提供引导组件及用于形成存储介质的介质板组件；以及设置所述介质板组件及所述引导组件，使得所述介质板组件与所述引导组件彼此靠近，并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成基本上公共的平面。该方法还包括以下步骤将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导到所述引导组件的表面上；以及将所述引导组件上的所述抛光组件滑动到所述介质板组件上，以对所述介质板组件的表面进行抛光。
文档编号B24B29/02GK101377930SQ200810213348
公开日2009年3月4日 申请日期2008年8月27日 优先权日2007年8月27日
发明者奥村浩祥, 山川荣进 申请人:富士通株式会社