专利名称：沉积室遮挡装置及相应的沉积室壁的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造装置，特别是涉及一种沉积室壁的结构。
背景技术：
沉积室为许多半导体工艺提供了反应环境，例如离子刻蚀、物理气相沉 积(PVD)及化学气相沉积(CVD)等。然而，无论何种反应都会对沉积室壁 造成污染，而对以后的反应造成不良影响，为此，需要对沉积室进行预防保养 (PM)。
以离子刻蚀工艺为例，每次刻蚀之后，沉积室壁上都会沉积许多聚合物； 故需要定期对沉积室壁进行清理，即预防保养。然而沉积室壁无法拆卸，其内 表面并不平整，为清理过程带来了很多不便，所以每次预防保养都妾花费很长 时间。而某些工艺流程(如自对准连接(Self Alignment Contact)工艺)达到一 定的时数，将会在沉积室壁上形成很厚的聚合物，单纯的擦拭无法清理千净， 于是便要采用刮沉积室壁的手段来实现清理。但是，刮下的聚合物会到处乱飞， 一旦落入沉积室的角落，将很难清理到，而这样的环境可能会导致集成电路缺 陷等问题的出现。
例如，图1便示出了现有的一种沉积室的部分截面示意图。此示例性的沉 积室包括盖组件100、侧壁200以及底座(图中未示)，以界定出一个与外界隔 离的反应空间300。而反应空间300内便设置有反应所需的极板、靶以及晶片支 撑装置等。例如，图中示出了支撑装置400和上极板500等，其中支#装置400 用以置放晶片并通过弹簧(或螺柱)600等装置安装于底座上，以调整晶片于反 应空间300的高度。在对晶片的处理过程中，部分聚合物便沉积在侧壁200上， 而侧壁200通常并非筒单的直筒状设计，其内表面往往设计有向内突出的部分 201 ，而且为了^f更于^f企测沉积室内的反应情况，也往往在侧壁200上开设;险测窗 口 203等端口，这些都为侧壁200的清理带来了不便，而侧壁200又无法拆卸，使得每次预防保养都需要花费很长的时间，降低了设备保养的效率。同时，当 聚合物沉积到需要刮掉的程度时，刮下的聚合物将会到处乱飞，落在角落处的 聚合物得不到清理时，将会影响到沉积室内所进行的反应，从而导致集成电路 缺陷等问题的出现。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是通过一种可拆卸的结构来方使沉积室壁 的清理，减少其清理时间，提高预防保养的效率。
为解决以上技术问题，本实用新型提供一种沉积室遮挡装置，包括第一 环状部与第二环状部，其中第 一环状部的外径大于第二环状部的外径。 进一步的，第一环状部的内径等于第二环状部的内径。 进一步的，第一环状部与第二环状部为一体成型。
本实用新型另提供一种沉积室壁，包括固定壁，包括第一环状部与第 二环状部，且第一环状部的内径大于第二环状部的内径；遮挡壁，包括第三 环状部与第四环状部，且第三环状部的外径大于第四环状部的外径；其中遮挡 壁的第四环状部嵌入固定壁的第二环状部所确定的反应空间内。
进一步的，第三环状部的外表面与第一环状部的内表面相贴合；且第四环 状部的外表面与第二环状部的内表面相贴合。
进一步的，第 一环状部与第二环状部的内径之差等于第三环状部与第四环 状部的外径之差。
进一步的，第三环状部的内径等于第四环状部的内径。
综上所述，以上的沉积室遮挡装置的外表面形状是才艮据现有沉积室内壁形 状而设计，将其置入沉积室内，使其内表面直接与反应空间相接触，从而使沉 积室内反应所产生的聚合物大部分沉积在遮挡装置内表面上。这样，每次预防 保养时，可以仅将遮挡装置取出更换，由于此时沉积室内壁沉积的聚合物很少， 对其清理过程简单，无需进行刮内壁的操作，因此避免了聚合物的乱飞现象， 减少了预防保养的时间并降低了集成电路缺陷等问题的出现几率。
另外，根据以上理念改造后的沉积室壁由固定壁和遮挡壁组成，且遮挡壁 的外表面与固定壁的内表面尺寸相应，便于组装与拆洗，减少了预防保养的时间；另外由遮挡壁的内表面与反应空间直接接触，而将刮掉聚合物的操作移至 沉积室外进行，降低了集成电路缺陷等问题的出现几率。
图1为现有的一种沉积室的部分截面示意图； 图2为图1中侧壁的部分截面示意图3为本实用新型一实施例所提供的沉积室遮挡装置的截面示意图； 图4为图3中的沉积室遮挡装置放入沉积室的截面示意图； 图5为本实用新型一实施例所提供的沉积室的部分截面示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的技术特征更明显易懂，
以下结合附图与实施例，对本发 明做进一步的描述。
在现有技术中，沉积室壁不能拆卸，因此各种清理梯:作都在沉积室的反应 空间内进行，将导致清理不便等问题的出现。如果可以引入易于拆装的结构， 将会便于清理，从而提高预防保养的效率。
现有沉积室的反应空间往往不是简单的上下尺寸相同的圓柱状空间，而是 尺寸呈阶梯减小的多段圓柱状空间。例如背景技术图1中的上宽下窄的空间， 而两段空间的内壁衔接处便会形成环形的衔接面Sl (请参考图2,其显示了图1
中的侧壁200的部分截面示意图)，如果引入一个遮挡装置，其外表面同样具有 这样一个衔接面，将会^f吏其易于安装于沉积室的内部并易于从内部取出；同时， 利用该遮蔽装置的内表面直接接触反应空间，将清理从沉积室内部转移，而集 中在这个遮挡装置上，从而转移到反应空间之外进行清理工作，便可以大大节 省清理时间，提高预防保养的效率与可靠性。
于是，根据现有沉积室内壁形状设计一种沉积室遮挡装置。请参考图3，其 为本实用新型一实施例所提供的沉积室遮挡装置的截面示意图。该沉积室遮挡 装置1包括第一环状部11与第二环状部12,且第一环状部的外径R1大于第二 环状部的外径R2，从而于这两部分的衔接处形成一个环形衔接面S2。请参考图 4,将该遮挡装置1置入图2中的沉积室内，环形衔接面S2便与衔接面Sl接触，而使该遮挡装置1固定于此位置，而使其内表面S3直接与反应空间300接触。 于是，大部分多余的聚合物便沉积于该遮挡装置1的内表面S3上。于是，在预 防保养时，仅需将遮挡装置1从沉积室内取出，清理好沉积室后，更换新的遮 挡装置。此时，沉积室内壁沉积的聚合物很少，其清理过程变得简单，无需进 行刮内壁的操作，避免了聚合物乱飞的现象，从而减少了预防保养的时间并降 低了集成电路缺陷等问题出现的几率。当然，取出的遮挡装置1可以在沉积室 外单独进行清理后继续使用，由于在外清理的空间牟支大，且进行刮聚合物的操 作不会影响沉积室内的环境，故提高了预防保养的效率与可靠性。
为了清理方便，遮挡装置1的内表面S3常常设计为平整的结构，'即第一环 状部U的内径rl等于第二环状部12的内径r2。
另外，在制造上，第一环状部11与第二环状部12往往为一体成型，其材 料可以是金属或合金材料，且为了提升遮挡装置1的抗腐蚀性，往往对其表面 进行阳极氧化处理。
请参考图5，其为根据以上理念改造后的沉积室的截面示意图。其中沉积室 内可设置反应所需的极板、靶以及晶片支撑装置等器件，其为本领域技术人员 所熟知，且无关本发明重点，故在此不再赘述。以下将详细叙述沉积室壁的结 构
本实施例中的沉积室壁由固定壁20和遮挡壁30组成，其中固定壁20包括 环状部21和环状部23，且环状部21的内径r21大于环状部23的内径r23;遮 挡壁30包括环状部31与环状部33，且环状部31的外径R31大于环状部33的 外径R33;且遮挡壁30的环状部33嵌入固定壁20的环状部23所确定的反应空 间内。其不同于现有技术的沉积室壁，是一种可拆装的结构由于遮挡壁30的 环状部31与33的外径尺寸不同，而于外表面衫f接处形成环形衔接面32;同样 由于固定壁20的环状部21与23的内径尺寸不同，而于内表面衔接处形成环形 衔接面22。当组装遮挡壁30与固定壁20时，遮挡壁30便固定于衔接面32与 22相合的位置；从而遮挡壁30的内表面34便与反应空间300直接接触，于是 多余的聚合物便大多沉积于遮挡壁30的内表面34上。预防保养时，'将遮挡壁 30取出，于沉积室外进行清理工作，清理空间较大，方便快捷，且将刮掉聚合 物的操作移至沉积室外进行，降低了集成电路缺陷等问题的出现几率。通常，为了使遮挡壁30与固定壁20之间的结合更加稳定，常常将遮挡壁 30的环状部31的外径R31尺寸设计为固定壁20的环状部21的内径r21尺寸； 且将遮挡壁30的环状部33的外径R33尺寸设计为固定壁20的环状部23的内 径r23尺寸；则遮挡壁30的环状部31与33的外径之差等于固定壁20的环状部 21与23的内径之差。从而，遮挡壁30的环状部31的外表面36与固定壁20的 环状部21内表面26相贴合；且遮挡壁30的环状部33的外表面38与固定壁20 的环状部23的内表面28相贴合。使得遮挡壁30与固定壁20结合后，仅可在 竖直方向上向上运动。
另外，为了清理方便，遮挡壁30的内表面34常常设计为平整的结构，即 环状部31的内径r31等于环状部33的内径r33。为了便于监测沉积室内的反应 情况，常常在沉积室固定壁20上开设有监测窗40;对应的也可在遮挡壁30上 设置监测窗50或利用透明材料制成遮挡壁。
以上仅为举例，并非用以限定本实用新型，本实用新型的保护范围应当以 权利要求书所涵盖的范围为准。
权利要求1. 一种沉积室遮挡装置，其特征是，包括第一环状部与第二环状部，其中所述第一环状部的外径大于第二环状部的外径。
2. 根据权利要求1所述的沉积室遮挡装置，其特征是，其中所述第一环状 部的内径等于第二环状部的内径。
3. 根据权利要求1所述的沉积室遮挡装置，其特征是，其中所述第一环状 部与第二环状部为 一体成型。
4. 一种沉积室壁，其特征是，包括 固定壁，包括第 一环状部与第二环状部，且第 一环状部的内径大于第二环状部的内径；遮挡壁，包括第三环状部与第四环状部，且第三环状部的外径大于第四环状部的外径；其中遮挡壁的第四环状部嵌入固定壁的第二环状部所确定的反应空间内。
5. 根据权利要求4所述的沉积室壁，其特征是，其中， 所述第三环状部的外表面与第一环状部的内表面相贴合；且所述第四环状部的外表面与第二环状部的内表面相贴合。
6. 根据权利要求4所述的沉积室壁，其特征是，其中所述第一环状部与第 二环状部的内径之差等于第三环状部与第四环状部的外径之差。
7. 根据权利要求4所述的沉积室壁，其特征是，其中所述第三环状部的内 径等于第四环状部的内径。
专利摘要本实用新型揭露了一种沉积室遮挡装置及相应的沉积室壁。该沉积室遮蔽装置的外表面形状是根据现有沉积室内壁形状而设计，将其置入沉积室内，使其内表面直接与反应空间相接触，从而使沉积室内反应所产生的聚合物大部分沉积在遮挡装置内表面上。这样，每次预防保养时，仅需将遮挡装置取出更换，此时沉积室内壁沉积的聚合物很少，对其清理过程简单，无需进行刮内壁的操作，避免了聚合物的乱飞现象，减少了预防保养的时间并降低了集成电路缺陷等问题的出现几率。以上沉积室遮挡装置包括第一环状部与第二环状部，其中第一环状部的外径大于第二环状部的外径。
文档编号C23C14/04GK201250282SQ20082015278
公开日2009年6月3日 申请日期2008年9月5日 优先权日2008年9月5日
发明者林 张, 琛 顾 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司