专利名称：一种非晶c型磁芯的拼接方法
技术领域：
本发明涉及非晶态材料的磁芯制作工艺，具体是涉及60mm以上宽度的非晶带C型 磁芯的拼接方法。
背景技术：
现有技术的非晶C型磁芯的拼接，一般是用宽带直接卷取，由于60mm以上宽度的非晶带较难剪切，且带宽较宽的磁芯成型后退火温度一致均勻较难控制，脱模困难，浸漆亦 较难浸透。导致磁芯损耗高，噪声高等危害。如中国专利申请号为89106983、申请日为1989 年9月3日、发明名称为切割非晶态电感磁芯制法、授权公告日为1993年3月31日的发明 专利申请，该软磁非晶态材料的磁芯制法，是使用真空冶炼的母材，用单辊法制成规定宽度 的非晶带材，绕成环形或矩形磁芯，然后在氮气或氩气的保护下进行退火处理，之后采用环 氧树脂包络磁芯，经固化处理成型，最后进行气隙切割。上述方法同样是用宽带直接卷取， 对于较宽的如60mm以上宽度的非晶带同样也存在较难剪切的情况。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足，而提供的一种能有效针对60mm以 上超宽度的非晶带C型磁芯进行拼接的方法，该方法拼接的磁芯性能更为优异。本发明是采用如下技术解决方案来实现上述目的的该拼接方法包括如下步骤
(1)、卷制窄带磁芯按照所需宽度的非晶C型磁芯，选取两个或以上宽度相加等于所 需宽度的非晶C型磁芯；
(2)采用现有技术进行成型退火，且每个磁芯单个退火；
(3)将两个或以上窄带磁芯浸漆固化定型；
(4)两个或以上窄带磁芯粘结叠合，粘合时两个或以上磁芯对整齐；
(5)整体切割；
(6)烘干整理、成品检测、包装。本发明实施上述方案所能达到的有益效果是
1.将卷绕时宽带分成两个或以上宽度接近的窄带单独绕制，卷绕更为方便；且单个退 火、浸漆烘干。由于单个磁芯轻小，退火温度更易达到均勻，磁芯性能更优，且带宽窄浸漆更 易渗透浸漆更充分，噪音更低。2.将浸漆烘烤好的两个或以上磁芯对整齐，两个或以上磁芯层间用粘接力强，应 力低的环氧树脂粘结剂粘合成整体。3.将粘合叠拼而成的磁芯整体一次切割成U型。本发明拼接工艺方法简单，操作方便，有效地解决了超宽非晶带C型磁芯难以进 行拼接的问题。
图1是本发明的工艺流程示意图。
具体实施例方式如图1所示，如需拼接65mm宽度的非晶带C型磁芯，首先将卷绕时宽带分成两个 宽度接近的窄带单独绕制，如65mm=35mm+30mm，分别卷一个35mm高与一个30mm高的C型 磁芯，且并单个退火、浸漆烘干。由于单个磁芯轻小，退火温度更易达到均勻，磁芯性能更 优，且带宽窄浸漆更易渗透浸漆更充分，噪音更低。然后，将浸漆烘烤好的两个磁芯对整齐，两个磁芯层间用粘接力强，应力低的环氧 树脂粘结剂粘合成整体。最后，将粘合叠拼而成的磁芯整体一次切割成U型，并进行烘干整理、成品检测、 包装即可。上述方案仅为较佳实施例，本发明技术并不局限于上述实施例，任何本领域的技 术人员均可做多种修改和变化，在不脱离本发明的精神下，都在本发明所要求保护范围。
权利要求
一种非晶C型磁芯的拼接方法，该拼接方法包括卷制、成型退火、浸漆固化定型工艺步骤，其特征在于，该拼接方法具体包括如下步骤(1)、卷制窄带磁芯 按照所需宽度的非晶C型磁芯，选取两个或以上宽度相加等于所需宽度的非晶C型磁芯；(2)成型退火，且每个磁芯单个退火；(3) 将两个或以上窄带磁芯浸漆固化定型；(4) 两个或以上窄带磁芯粘结叠合，粘合时两个或以上磁芯对整齐；(5) 整体切割 ；(6) 烘干整理 、成品检测 、包装。
2.根据权利要求1所述的非晶C型磁芯的拼接方法，其特征在于所述步骤(1)中的两 个或以上宽度的非晶C型磁芯的宽度尺寸接近。
全文摘要
本发明公开了一种非晶C型磁芯的拼接方法，该拼接方法包括卷制、成型退火、浸漆固化定型工艺步骤，其特征在于，该拼接方法具体包括如下步骤(1)卷制窄带磁芯按照所需宽度的非晶C型磁芯，选取两个或以上宽度相加等于所需宽度的非晶C型磁芯；(2)成型退火，且每个磁芯单个退火；(3)将两个或以上窄带磁芯浸漆固化定型；(4)两个或以上窄带磁芯粘结叠合，粘合时两个或以上磁芯对整齐；(5)整体切割；(6)烘干整理、成品检测、包装。本发明工艺方法具有简单，操作方便，有效地解决了超宽非晶带C型磁芯难以进行拼接的问题，磁芯性能更优，且带宽窄浸漆更易渗透浸漆更充分，噪音更低。
文档编号B22F3/00GK101866743SQ20101018636
公开日2010年10月20日 申请日期2010年5月31日 优先权日2010年5月31日
发明者张志臻 申请人:佛山市中研非晶科技股份有限公司