专利名称：一种金属防腐清洗液的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于金属的防腐清洗液。
背景技术：
现有技术中典型的清洗液主要是去离子水、过氧化氢溶液和稀氨水等，这些清洗液主要用于清洗随着微电子技术的发展，甚大规模集成电路芯片集成度已达几十亿个元器件，特征尺寸已经进入纳米级，这就要求微电子工艺中的几百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质必须要经过化学机械平坦化。在化学机械平坦化处理之后，由抛光浆料的颗粒、化学添加剂以及抛光过程中的反应产物所构成的污染物会残留在晶圆的表面上。这些污染物必须在进入到下一步骤之前清洗干净，以避免降低器件的可靠性。对于金属材料来说，还要能在清洗过程中保护金属表面不受腐蚀，避免产生缺陷并导致半导体器件性能变差。现有技术中典型的清洗液主要是去离子水、过氧化氢溶液和稀氨水等，这些清洗液主要用于清洗前序工艺中的残留液。该前序工艺比如是1)化学机械抛光工艺，经过化学机械抛光后的金属表面会残留少量的抛光液；2)刻蚀去强光阻工艺，该工艺之后也会残留去强光阻液；幻沉积工艺以及其他工艺等等。其中的残留液被清洗干净后，但金属表面的腐蚀仍然存在。金属表面的腐蚀会影响金属表面平坦度，也使缺陷水平居高不下，从而降低产品良率和收益率。一些清洗液已被公开，如美国专利US2004/0204329，US2003/0216270， US2004/0082180, US6147002, US6443814, US6719614, US6767409, US6482749 等，其都是关于清洗液或清洗液的使用方法。如专利US6147002中的清洗液是关于一种酸性水溶液的清洗液，其还包括0. 5 5重量％的含氟物质，该清洗液适合于清洗铜金属半导体晶片的集成电路元器件。但上述专利中的清洗液，或是含有毒性物质，对环境不友善；或是清洗效率不够高等缺陷；或是清洗使用范围窄，例如US6443814专利的清洗液只能够清洗含铜金属层的晶片。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出了一种新的金属防腐清洗液。本发明揭示了一新的用于金属层的化学机械抛光后清洗及其他涉及金属表面清洗的清洗液。这种清洗液至少含有一种或多种磷酸酯类表面活性剂，一种金属络合剂和水。详细说来，本发明的具体方法是向清洗液中添加了一种或多种磷酸酯类表面活性
剂。所述的磷酸酯类表面活性剂具有如下结构 OO
权利要求
1.一种金属防腐清洗液，包括一种或多种磷酸酯类表面活性剂，一种金属络合剂和水。
2.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述的磷酸酯类表面活性剂具有如下结构 OOX-P-OM (1)或χ—p—x (2) (X = R0，RO-(CH2CH2O)n, RCOO-(CH2CH2O) n)或含有两个 OMOM以上结构式(1)的多元醇磷酸酯，其中R为C8 C22的烷基或烷基苯、甘油基(C3H5O3-) ；η = 3 30，M = H，K，NH4, (CH2CH2O) ！ 3ΝΗ3 和 / 或 Na。
3.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述的磷酸酯类表面活性剂的含量为重量百分比0. 0005 2%。
4.如权利要求2所述清洗液，其特征在于，所述的磷酸酯类表面活性剂的含量为重量百分比0. 001 1%。
5.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述金属络合剂为氨羧化合物及其盐、有机羧酸及其盐、有机膦酸及其盐或有机胺。
6.如权利要求4所述清洗液，其特征在于，所述金属络合剂为选自甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、脯氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、赖氨酸、精氨酸、组氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、苏氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、环己烷四乙酸、乙二胺二琥珀酸、二乙烯三胺五乙酸和三乙烯四胺六乙酸、醋酸、草酸、柠檬酸、酒石酸、丙二酸、丁二酸、马来酸、苹果酸、乳酸、没食子酸和磺基水杨酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羟基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羟基膦酸基乙酸、乙二胺四甲叉膦酸、多氨基多醚基甲叉膦酸、乙二胺、甲醇胺、乙醇胺、二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、三乙烯四胺和四乙烯五胺中的一种或多种；所述的盐为钾盐、 钠盐和/或铵盐的一种或多种，
7.如权利要求5或6所述的清洗液，其特征在于，所述的络合剂的含量为质量百分比 0. 01 10%。
8.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述清洗液还可以含有醇类和/或醚。
9.如权利要求8所述清洗液，其特征在于，所述醇类为选自乙醇、乙二醇、丙三醇、乙二醇单甲醚、乙二醇二单甲醚、丙二醇单甲醚和丙二醇单乙醚中的一种或多种。
10.如权利要求6所述清洗液，其特征在于，所述的醇和/或醚的含量为质量百分比 0. 5 10%。
11.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述清洗液PH为2-11。
全文摘要
本发明揭示一种用于金属的防腐清洗液，其至少含有一种磷酸酯类表面活性剂，还含有至少一种络合剂。使用本发明的清洗液可以有效地清洗抛光液残留，防止金属清洗中产生腐蚀或点蚀。
文档编号C23G5/036GK102560519SQ201010582128
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月10日 优先权日2010年12月10日
发明者张建, 荆建芬, 蔡鑫元 申请人:安集微电子(上海)有限公司