具改进型真空活塞的结晶锆生长系统的制作方法

文档序号:3380230阅读:183来源:国知局
专利名称:具改进型真空活塞的结晶锆生长系统的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种具改进型真空活塞的结晶锆生长系统。
背景技术
众所周知,结晶锆的生长是在碘蒸汽氛围中进行,碘蒸汽在扩散的过程中遇冷会凝结成固状或液状,这样的碘将不参与反应。随着碘蒸汽愈来愈稀薄,反应的速度将逐步变慢,因此,最大限度地保证碘蒸汽的密度是结晶锆快速生长的前提。现有的解决方案通常是加入过量的碘来保证碘蒸汽密度,不但碘耗费量大而且结晶锆效生长时间大为缩短。而且真空容器中的碘升华后弥散至抽气管道中,并进而凝结成块,使参与反应的碘大为减少,极大影响结晶锆的生长速度及有效生长时间。
发明内容鉴于上述现有技术存在的缺陷,本实用新型目的是为了克服现状而提出一种具改进型真空活塞的结晶锆生长系统。本实用新型的技术方案是一种具改进型真空活塞的结晶锆生长系统,其包括 位于底部并具有真空腔的真空容器、位于真空容器上方并具有与真空腔连通的活塞腔的洁塞部、位于活塞部上方的支撑件、位于支撑件上的旋动手柄、与旋动手柄旋转配合的螺杆、 用于密封活塞腔顶端并支撑支撑件的凸缘、与螺杆连接并至少部分插入到活塞腔内的活塞杆、位于活塞杆底端并在活塞腔内垂直往复运动的活塞、与活塞腔相连通并通过抽气阀控制的抽气管道、设置在凸缘上并内设置有一动密封的动密封室。在上述技术方案的基础上,进一步包括附属技术方案所述真空容器的上方设置有位于活塞腔和真空腔之间的顶盖抽气孔。所述活塞底部设有与所述顶盖抽气孔实现紧配合的倒角部。所述抽气管道位于顶盖抽气孔的上方。由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点节省约一半的碘,同时生长速度和有效生长时间均增加一倍以上,使得单炉产量大为提高,并降低成本。
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述


图1为本实用新型的初始状态的内部结构示意图;图2为本实用新型的动作状态的内部结构示意图。
具体实施方式
实施例参考
图1-2所示,本实用新型提供了一种具改进型真空活塞的结晶锆生长系统的具体实施例,包括位于底部并具有真空腔10的真空容器1、位于真空容器1上方并具有与真空腔10连通的活塞腔20的活塞部2、位于活塞部2上方的支撑件3、位于支撑件 3上的旋动手柄4、与旋动手柄4旋转配合的螺杆5、用于密封活塞腔20顶端并支持支撑件 3的凸缘6、与螺杆5连接并至少部分插入到活塞腔20内的活塞杆7、位于活塞杆7底端并在活塞腔20内垂直往复运动的活塞8、与活塞腔20相连通并通过抽气阀9控制的抽气管道 22、设置在凸缘6的上方并内设置有一动密封12的动密封室11。其中真空容器1的上方设置有位于活塞腔20和真空腔10之间的顶盖抽气孔200。支撑件3优选为钢板,活塞8底部设有倒角部80,该倒角部80使得活塞8与真空容器1的顶盖抽气孔200能实现紧配合。 螺杆5的设计使得活塞8的升降简单、自如。活塞8通过活塞杆7与控制升降的螺杆5连接,活塞8底端的倒角部80与真空容器1的顶盖抽气孔200配合,活塞杆7通过动密封12 保证上下移动时不漏气。旋转旋动手柄4可控制螺杆5的升降。抽气管道22位于顶盖抽气孔200的上方。抽真空时,活塞8升到最高位置,使抽气管道22畅通。工作时,在初始状态下抽真空至合格,关闭抽气阀9,然后加入碘,再旋转旋动手柄 4使螺杆5下降,从而通过活塞杆7带动活塞8下降,直至底端倒角部80与真空容器1的顶盖抽气孔200处压紧,这样碘被封闭在真空腔10中,不会充斥在抽气管道22中。当然上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的等效变换或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种具改进型真空活塞的结晶锆生长系统,其特征在于其包括位于底部并具有真空腔(10)的真空容器(1)、位于真空容器(1)上方并具有与真空腔(10)连通的活塞腔00) 的活塞部O)、位于活塞部( 上方的支撑件(3)、位于支撑件C3)上的旋动手柄、与旋动手柄(4)旋转配合的螺杆(5)、用于密封活塞腔00)顶端并支持支撑件(3)的凸缘(6)、 与螺杆(5)连接并至少部分插入到活塞腔OO)内的活塞杆(7)、位于活塞杆(7)底端并在活塞腔OO)内垂直往复运动的活塞(8)、与活塞腔OO)相连通并通过抽气阀(9)控制的抽气管道(22)、设置在凸缘(6)上并内设置有一动密封(1 的动密封室(11)。
2.根据权利要求1所述的结晶锆生长系统,其特征在于所述真空容器(1)的上方设置有位于活塞腔OO)和真空腔(10)之间的顶盖抽气孔000)。
3.根据权利要求2所述的结晶锆生长系统,其特征在于所述活塞(8)底部设有与所述顶盖抽气孔O00)实现紧配合的倒角部(80)。
4.根据权利要求3所述的结晶锆生长系统,其特征在于所述抽气管道02)位于顶盖抽气孔O00)的上方。
专利摘要本实用新型揭示了一种具改进型真空活塞的结晶锆生长系统,其包括位于底部并具有真空腔的真空容器、位于真空容器上方并具有与真空腔连通的活塞腔的活塞部、位于活塞部上方的支撑件、位于支撑件上的旋动手柄、与旋动手柄旋转配合的螺杆、用于密封活塞腔顶端并支持支撑件的凸缘、与螺杆连接并至少部分插入到活塞腔内的活塞杆、位于活塞杆底端并在活塞腔内垂直往复运动的活塞、与活塞腔相连通并通过抽气阀控制的抽气管道、设置在凸缘上并内设置有一动密封的动密封室。采用本实用新型,节省约一半的碘,同时生长速度和有效生长时间均增加一倍以上,使得单炉产量大为提高,并降低成本。
文档编号B22C21/06GK202114225SQ201120158910
公开日2012年1月18日 申请日期2011年5月18日 优先权日2011年5月18日
发明者陈怀浩 申请人:南京佑天金属科技有限公司
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