专利名称：化学汽相沉积膜轮廓均匀性控制的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及化学汽相沉积膜轮廓均匀性控制。
背景技术：
在半导体工业中，在整个晶圆衬底上方的化学汽相沉积(CVD)被用于在衬底上方沉积各种层。然而，对于较大的晶圆尺寸而言(诸如，450_)，对膜轮廓的控制变得更加困难并且CVD具有膜轮廓均匀性问题，诸如，膜中的突起和/或凹陷。对喷头和衬底之间的空间，所提供的功率，或稀释气体的流动进行控制并无法提供令人满意的沉积控制。
发明内容
本公开提供了多种对CVD膜轮廓均匀性进行控制的优选的实施例。根据一个实施例，控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法包括:利用第一喷头通过CVD在第一衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，并且利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓以及第三轮廓彼此不同。其中，第一层沉积在第一反应室中，而第二层沉积在第二反应室中。其中，第一层的第一轮廓包括向上倾斜的突起，第二层的第二轮廓包括向下倾斜的凹陷，并且组合的第一层和第二层的第三轮廓比第一轮廓与第二轮廓中的至少一个更为平坦。其中，第二喷头具有第二喷头孔洞设计，第二喷头孔洞设计包括呈同心圆的孔洞，而第一喷头具有第一喷头孔洞设计，第一喷头孔洞设计包括处在与第二喷头孔洞设计不同的位置上的呈同心圆的孔洞。
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该方法进一步包括:选择第二喷头，以利用第二层的第二轮廓来补偿第一层的第一轮廓，从而提供组合的第一层和第二层的第三轮廓，第三轮廓比第一轮廓与第二轮廓中的至少一个更为平坦。该方法进一步包括:利用第三喷头通过CVD在第二层上方沉积第三层，第三喷头具有与第一喷头和第二喷头不同的孔洞设计。该方法进一步包括:使反应气体和稀释气体流经第一喷头或第二喷头来用于等离子体增强CVD(PECVD)或有机金属CVD(MOCVD)。在另一个实施例中，一种控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法包括:利用第一喷头通过CVD在晶圆上方沉积第一层，具有第一轮廓的第一层与第一喷头的孔洞设计相应，以及选择具有第二喷头孔洞设计的喷头来调整第一轮廓，该第二喷头孔洞设计与沉积带有第二轮廓的第二层相关。该方法进一步包括利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，该轮廓比第一轮廓和/或第二轮廓更为平坦。其中，第一层沉积在第一反应室中，而第二层沉积在第二反应室中。
其中，第一层的第一轮廓包括向上倾斜的突起，第二层的第二轮廓包括向下倾斜的凹陷，以及组合的第一层和第二层的第三轮廓比第一轮廓与第二轮廓中的至少一个更为平坦。其中，第二喷头孔洞设计包括呈同心圆的孔洞，而第一喷头孔洞设计包括处在与第二喷头孔洞设计不同的位置上的呈同心圆的孔洞。该方法进一步包括:利用第三喷头通过CVD在第二层上方沉积第三层，第三喷头的孔洞设计不同于第一喷头孔洞设计和第二喷头孔洞设计。
该方法进一步包括:使反应气体和稀释气体流经第一喷头或第二喷头来用于等离子体增强CVD(PECVD)或有机金属CVD(MOCVD)。在又一个实施例中，用于控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的系统包括:具有第一喷头孔洞设计的第一喷头，该喷头被配置成通过CVD在衬底上沉积第一层，其中，第一层具有与第一喷头孔洞设计相应的第一轮廓，以及具有第二喷头孔洞设计的第二喷头，该喷头被配置成通过CVD在第一层上方沉积第二层，第二层具有与第二喷头孔洞设计相应的第二轮廓。第二喷头孔洞设计与第一喷头孔洞设计不同。其中，第一喷头位于第一反应室中，而第二喷头位于第二反应室中，或者其中，第一喷头和第二喷头分别设置在单个反应室内。其中，第一喷头孔洞设计包括从第一喷头的中心朝向第一喷头的外圆周呈同心圆的孔洞，以及其中，第二喷头孔洞设计包括第一喷头孔洞设计的呈同心圆的部分孔洞。其中，第二喷头孔洞设计包括呈同心圆的孔洞，以及其中，第一喷头孔洞设计包括处在与第二喷头孔洞设计不同的位置上的呈同心圆的孔洞。其中，第一喷头被配置成沉积具有第一轮廓的第一层，第一轮廓包括向上倾斜的突起，其中，第二喷头被配置成沉积具有第二轮廓的第二层，第二轮廓包括向下倾斜的凹陷，以及其中，组合的第一层和第二层的第三轮廓比第一轮廓与第二轮廓中的至少一个更为平坦。该系统进一步包括第三反应室,第三反应室包括具有第三喷头孔洞设计的第三喷头，被配置成通过CVD在第二层上方沉积第三层，其中，第三喷头孔洞设计不同于第一喷头孔洞设计和第二喷头孔洞设计。该系统进一步包括反应气体源和稀释气体源，被配置成使得反应气体和稀释气体分别流经第一喷头或第二喷头来用于等离子体增强CVD(PECVD)或有机金属CVD(MOCVD)。优选地，本公开提供了用于控制大型晶圆(诸如，大于450mm的晶圆表面)上方的化学汽相沉积(CVD)膜轮廓的均匀性的方法和系统。本公开的方法和系统可以局部地进行调整或对用于后续处理(诸如，蚀刻或CMP工艺)的层轮廓提供局部控制。
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。图1是示出了根据本公开的实施例控制CVD膜轮廓均匀性的方法的流程图；图2示出了根据本公开的实施例的第一层的第一轮廓、第二层的第二轮廓、以及组合的第一层和第二层的第三轮廓。图3和图4示出了根据本公开的实施例用于控制CVD膜轮廓均匀性的工具的实例；图5示出了根据本公开的实施例用于控制膜轮廓均匀性的CVD室；图6A-图6C分别示出了根据本公开的实施例的喷头孔洞(aperture)设计、相应的CVD膜轮廓均匀性控制系统和等离子体流动图案、以及相应的膜轮廓；图7A-图7C、图8A-图8C、以及图1OA-图1OC分别示出了根据本公开的实施例的喷头孔洞设计的实例、相应的CVD膜轮廓均匀性控制系统和等离子体流动图案、以及相应的膜轮廓。
具体实施例方式以下公开提供了多种不同实施例或实例，用于实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括其他部件可以形成在第一部件和第二部件之间使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。出于简单和清楚的目的，可以不同比例任意绘制各个部件。可以注意到，出于简单和清楚的目的，相同或类似的部件在此可以类似地进行标号。另外，为了清楚，可以对一些附图进行简化。因此，这些附图所描绘的可以不是所给出的装置(例如，器件)或方法的所有部 分。在此将参考附图来描述本公开的各个方方面，这些附图是本公开的理想配置的示意图。例如，由于制造技术和/或公差所造成的，诸如，视图形状的变型是可预期的。因此，在整个公开中所展现的本公开的各个方面不应被理解成局限于在此所示和所描述的元件(例如，区域、层、部分、衬底等)的具体形状，而是包括由于，例如，制造过程所导致的形状偏差。作为实例，所示或所描述为矩形的元件可以具有圆形的或弯曲的部件和/或在其边缘具有渐变的而不是从一个元件到另一个元件不连续地变化的浓度。其次，图中所示的元件实际上是示意性的并且其形状不旨在示出元件的精确形状，并且不旨在限制本公开的范围。将理解，当称一个元件(诸如，区域、层、部分、衬底或类似的)位于另一个元件“上”时，该元件可以直接位于其他元件上或可以存在中间元件。相反地，当称一个元件“直接位于另一个元件上”时，则不存在中间元件。还将理解，当称一个元件“形成”在另一个元件上时，该元件可以生长、沉积、蚀刻、粘附、连接、耦连，或另外制备或制造在其他元件或中间元件上。除非另行限定，在此所使用的所有术语(包括技术和科技术语)均具有本公开所属的领域中的普通技术人员所普遍理解的含义。将进一步理解，与通用的字典中所限定的术语相同的那些术语应该被理解成其含义与相关领域的文章和本公开中的含义一致。除非文章中明确地另行指出，在此所使用的单数形式“一个”和“该”旨在包括同样包括复数形式。将进一步理解，术语“包括”和/或“包括有”(当使用在该说明书中时)说明的是所述部件、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其他部件、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组。术语“和/或”包括相关列出的术语的一个或多个的所有组合。应理解，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各个工艺参数或元件，诸如，RF功率、整定值(tap setting)、前体气体、电极等,这些工艺参数或元件不应受到这些术语的局限。这些术语仅用于将一个工艺参数所或元件与另一个工艺参数或元件区别开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面所论述的第一 RF功率、气体、整定值、电极可以被称为第二 RF功率、气体、整定值、或电极。可以理解，可以仅对多种处理步骤和/或器件的部件进行简单的描述，这些步骤和/或部件对本领域的普通技术人员而言是公知的。还可以添加额外的处理步骤或部件，并且在仍旧实施权利要求的同时可以去除和/或改变下面的特定处理步骤或部件。因此，下面的说明应仅被理解成用于表现实例，而不旨在暗示一个或多个步骤或部件是必须的。现参考图1，示出了一个流程图，该流程图示出了根据本公开的实施例控制CVD沉积层的轮廓均匀性的方法100。在框102处,方法100包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层,该第一层具有第一轮廓。在框104处，方法100进一步包括选择具有与第二轮廓相关的第二喷头孔洞设计的第二喷头来调整第一轮廓。在框106处，方法100进一步包括利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层。该第二层具有第二轮廓，并且组合的第一层和第二层具有第三轮廓，该第三轮廓比第一轮廓和/或第二轮廓更平坦。可以通过各种技术、手段、装置、和/或系统执行上面所述的方法100中的各个操作。应该注意到，可以在本公开的各个方面的范围内重新布置或另行更改方法100的操作。可以进一步注意到，可以在方法100的操作之前、期间、之后提供额外的工艺，并且在此可以对一些其他的工艺仅简要地进行描述。因此，在此所述的各个方面的范围内，其他实施方式也是可能的。
根据本公开的一个方面，方法100可以包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积
第一层，该第一层具有第一轮廓；以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓。根据本公开的一个方面，第一层的第一轮廓、第二层的第二轮廓、以及组合的第一层和第二层的第三轮廓彼此不同。根据本公开的另一个方面,在第一反应室中沉积该第一层，并且在与第一反应室不同的第二反应室中沉积第二层。在其他实施例中，第一喷头和第二喷头可以都设置在单个反应室中，并且第一层和第二层可以都沉积在相同的反应室内。根据本公开的另一个方面，第一层的第一轮廓可以包括向上倾斜的突起，该第二层的第二轮廓可以包括向下倾斜的凹陷，而组合的第一层和第二层的第三轮廓可以比第一轮廓和/或第二轮廓更为平坦或均匀。在其他实施例中，如使用者所期望的那样，第一层和第二层的不同轮廓被用于利用第二层轮廓补偿或调整第一层轮廓，例如，使组合的第一和第二层的轮廓更为平坦、水平或均匀。因此，可以注意到，在一个实例中，第一层的第一轮廓可以包括向下倾斜的凹陷，而第二层的第二轮廓可以包括向上倾斜的突起。根据本公开的另一个方面，第二喷头孔洞设计可以包括位于与第二喷头孔洞设计不同的位置上的呈同心圆的孔洞。根据本公开的另一个方面，方法100可以进一步包括利用第三喷头通过CVD在第二层上方沉积第三层。该第三喷头可以具有与第一喷头和第二喷头不同的孔洞设计。
根据本公开的另一个方面，方法100可以进一步包括用于等离子体增强CVD(PECVD)或金属有机物CVD(MOCVD)的反应气体和稀释气体流经第一喷头或第二喷头。根据本公开的一个实施例，反应室可以包括被配置成支撑沉积(例如，硅衬底)的第一电极以及被设置在第一电极和衬底上面的第二电极(例如，喷头电极)。可以在第一和第二电极之间施加射频(RF)功率，从而将层沉积在衬底上。可以在终端操作的过程中在第一和第二电极之间施加另一个RF功率,并且在一个实例中，第二 RF功率可以小于第一RF功率。换言之，沉积操作可以在至少一种反应气体和载体或稀释气体流入沉积室和第一(主沉积)功率电平施加于反应室电极时出现。可以在沉积操作之后随即出现的终端操作中或在等离子体处理操作过程中，在反应室的电极之间施加第二功率。在PECVD工艺的一个实施例中，当在反应室中的两个电极之间施加RF功率时，形成了辉光放电(即，等离子体)。包括在反应室中的反应气体产生了化学反应体(例如，原子、离子、和自由基)。这些反应体扩散到衬底材料的表面并且在其上被吸收。可以给上电极和下电极两者施加RF功率。根据本公开的又一个方面,RF功率可以施加于上电极，而下电极可以保持在接地电势上。可以对阻抗匹配单元进行调节来最大化被等离子体吸收的RF功率量。在本文本中，阻抗匹配单元的设定值被称为整定值，并且与施加在上电极和下电极之间的并且被等离子体所吸收的最大RF功率相对应。根据本公开的一个方面，沉积的一层或多层可以包括多种材料，并且可以包括但并不限于硅层、电介质层、金属层、其组合、其合金、或其派生物。根据另一个方面，可以通过等离子体增强CVD (PECVD)或金属有机物CVD (MOCVD)沉积该层或这些层。根据本公开的又一个方面，第一和第二层可以由多种反应气体或材料中的一种或多种形成，包括但并不限于含硅材料、含氮材料、有机物材料、含金属材料、卤素气体、其组合等。第一和第二层还可以由多种稀释气体或材料中的一种或多种形成，包括但并不限于惰性气体、氦气、氩气、其组合等。在沉积操作过程中可以在大范围的沉积时间下(例如，在大约I秒和大约30秒之间的范围内)在电极之间施加大范围的功率，例如，在大约O瓦和大约500瓦之间的范围内。可以使用大范围的工艺温度，例如，在大约100摄氏度和大约600摄氏度之间的范围内，并且可以使用大范围的工艺压力，例如，在大约ITorr和大约100Torr之间的范围内。根据本公开的一个方面，方法100可以进一步包括利用具有相同或不同孔洞设计的喷头执行多个沉积周期，从而形成多个层，各个层彼此上下重叠地沉积。多个层的总厚度可以改变并且沉积周期的数量可以改变。根据本公开的又一个方面，可以改变施加在第一和第二电极之间的RF功率。可以通过如下各种工艺来改变RF功率，诸如，通过停止将至少一种反应气体流入反应室中，停止将至少一种稀释的或载气流入反应室中，改变室压，为第一电极和/或第二电极提供不同功率，改变与第二电极相连接的阻抗匹配单元的整定值，以及其组合。在一个实例中，可以通过停止将至少一种反应气体流入反应室、停止将至少一种载气流入反应室、改变室压、或其组合来被动地改变RF功率。在另一个实例中，可以通过向第一电极和/或第二电极施加不同功率、改变与第二电极相连接的阻抗匹配单元的整定值、或其组合来主动地改变RF功率。在又一个实例中，在沉积操作过程中，可以在反应室的电极之间提供第一反应室压力、第一反应室温度、和第一最大应用RF功率。在终端操作或等离子体处理操作过程中，可以提供第二室压力、第二室温度、以及第二最大应用RF功率。根据本公开的又一个方面，可以通过向第一电极施加低频RF(LFRF)功率、向第二电极施加高频RF(HFRF)功率、以及在第一和第二电极之间形成等离子体来形成等离子体。根据本公开的又一个方面，在第一和第二电极之间施加RF功率之前，可以在主沉积操作、终端操作、或等离子体处理操作过程中提供在大约ITorr和大约IOOTorr之间的室压，可以在主沉积操作、终端操作、或等离子体处理操作过程中提供在大约100摄氏度和大约600摄氏度之间的室温。优选地，本公开提供了用于控制大型晶圆(诸如，450mm以上的晶圆表面)上方的化学汽相沉积(CVD)膜的轮廓的方法。根据其他沉积工艺参数(诸如，前体气体、前体气体流、工艺温度、工艺压力等)，带有不同孔洞设计的不同喷头可以被用来控制沉积层的轮廓。本公开的方法可以为后续的处理(诸如，蚀刻或CMP工艺)局部地调整层轮廓。现参考图2，根据本公开的实例实施例示出了第一层的第一轮廓201、第二层的第二轮廓203、以及组合的第一层和第二层的第三轮廓205。第一层的第一轮廓201包括向上倾斜的突起，第二层的第二轮廓203包括向下倾斜的凹陷，而组合的第一层和第二层的第三轮廓205比第一轮廓201和/或第二轮廓203更为平坦或均匀(即，相对于衬底表面为平坦或水平的)。有利地，为了提供比第一轮廓和/或第二轮廓更平坦的组合的第一层和第二层的第三轮廓205，与带有第二轮廓的沉积层相关的第二喷头可以被选择用于利用第二层的第二轮廓203来补偿第一层的第一轮廓201。如上所述，图2示出了层轮廓的实例，但第一层的第一轮廓可以改为包括向下倾斜的凹陷且第二层的第二轮廓可以包括向上倾斜的突起以及各种其他轮廓。根据本公开，带有不同于第一喷头的孔洞设计的第二喷头被用于调整或补偿第一沉积层的第一轮廓，从而提供使用者所期望的第三轮廓(例如，更平坦或均匀)。现参考图3和图4，示出了根据本公开的实施例和根据上述图1的方法100控制CVD膜轮廓均匀性的处理工具 300和400的实例。根据一个实例，工具300包括前端开口片盒(FOUP) 302、装载/卸载(L/UL)单元304、包括了用于沉积第一层的第一喷头的反应室306、包括用于在第一层上方沉积第二层的第二喷头的反应室308、以及用于在反应室306和308之间和在反应室和L/UL单元304之间传送晶圆的传送机构310。反应室306的第一喷头具有第一喷头孔洞设计，该设计不同于反应室308的第二喷头的孔洞设计。传送机构310可以包括用于在反应室306和308之间以及在L/UL单元304和反应室之间可操作地传送晶圆的多个输送器、输送带、机械臂等。机械臂可以被配置成平移地运动(例如，沿着迹线线性地运动)，为了对晶圆的两个面进行处理被配置成翻转晶圆，和/或被配置成围绕着旋转点旋转。机械臂可以包括安装在臂的末端处的晶圆啮合或处理工具(被称为末端操作机构)。这些末端操作机构或其他哨合工具可以在传送时哨合和支撑各个晶圆。在一些实例中，可以使用真空来抓握晶圆。机械臂可以按要求同时或分别地处理一个或多个晶圆。在一个实施例中，FOUP 302可操作地连接至L/UL单元304并且手动地和/或自动地进入用于处理IC晶圆的反应室。可以通过FOUP 302向工具300的内外传送晶圆，并且在一些实施例中，工具300中可以包括多个F0UP302。在图3中，示出了三个FOUP 302，但是可以包括更多或更少的FOUP。在一个实施例中，L/UL单元304可操作地连接在FOUP 302和反应室306、308之间，并且包括用于在FOUP 302和反应室之间传送晶圆的机械臂。在一个实施例中，该机械臂可以沿着水平轴移动，从而进入多个F0UP302。在一个实施例中，L/UL单元304也可以与惰性气体供应端相连接，从而在将处理完毕和干燥的晶圆从工具300中传送出来时提供惰性气体环境。根据另一个实例，工具400包括负载锁定(load lock)模块402、装载/卸载(L/UL)单元404、包括用于沉积第一层的第一喷头的反应室406，以及包括用于在第一层上方沉积第二层的第二喷头的反应室408。在一个实施例中，可以在可旋转的反应室406和408之间传送晶圆。反应室406的第一喷头具有第一喷头孔洞设计，该设计不同于第二反应室408的第二喷头的孔洞设计·。在一个实施例中，负载互锁模块402可操作地与L/UL单元404相连接并且手动和/或自动地进入用于处理IC晶圆的反应室406、408。可以通过负载互锁模块402向工具400的内外传送晶圆，并且在一些实施例中工具400中可以包括多个负载互锁模块402。在图4中示出了两个负载互锁模块402，但可以包括更多或更少负载互锁模块。在一个实施例中，L/UL单元404可操作地连接在负载互锁模块402和反应室406、408之间，并且可以包括用于在负载互锁模块402和反应室406、408之间传送晶圆的机械臂。工具300和400中的每个均包括:第一反应室,容纳具有第一喷头孔洞设计的第一喷头，被配置成通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有与第一喷头孔洞设计相对应的第一轮廓；以及第二反应室，容纳具有第二喷头孔洞设计的第二喷头，被配置成通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有与第二喷头孔洞设计相对应的第二轮廓，第二喷头孔洞设计与第一喷头孔洞设计不同。根据图2所示和上述的一个实施例，第一层的第一轮廓可以包括向上倾斜的突起，而第二层的第二轮廓可以包括向下倾斜的凹陷，并且组合的第一层和第二层的第三轮廓可以比第一轮廓和/或第二轮廓更加平坦或均匀(即，相对于衬底表面是平坦的)。有利地，为了提供·组合的第一层和第二层的第三轮廓，第二喷头可以被选择用于利用第二层的第二轮廓来补偿第一层的第一轮廓，第三轮廓比第一轮廓和/或第二轮廓更平坦。可以注意到，第一反应室306和406不必包括相同的喷头而是可以包括带有不同孔洞设计的不同喷头。另外，第二反应室308和408不必包括相同的喷头而是可以包括带有不同孔洞设计的不同喷头。代替地，第二反应室308和408可以包括各种带有不同孔洞设计的补偿或更改喷头，该补偿或更改喷头用于补偿或更改或调整第一沉积层。下面借助图7A-7C、图8A-8C、图9A-9C、以及图10A-10C描述各个补偿或更改喷头的实例。尽管未示出，工具300和400可以可操作地与计算机相连接，该计算机包括有用于自动地传送和处理晶圆、CVD沉积、以及选择第二 CVD反应室的软件，包括有用于为工具300和400的一些控制功能进行命名的特定的喷头孔洞设计。该计算机系统适用于实施本公开的一个或多个实施例，并且在多个实施方式中可以包括个人计算装置，诸如，个人计算机、便携式电脑、手机、PDA等，或可以包括网络计算装置，诸如，网络服务器。根据本公开的多个实施例，该计算机系统包括有总线或其他用于交流信息的通信机构，这些通信机构与子系统和部件互连，这些部件诸如，处理部件(例如，处理器、微控制器、数字信号处理器(DSP)等)、系统存储部件(例如，RAM)、静态存储部件(例如，ROM)、磁盘驱动部件(例如，磁性的或光学的)、网络接口部件(例如，调试解调器或以太网卡)、播放部件(例如，CRT或LCE)、输入部件(例如，键盘)以及光标控制部件(例如，鼠标或轨迹球)。在一个实施方式中，磁盘驱动部件可以包括具有一个或多个磁盘驱动部件的数据库。根据本公开的实施例，计算机系统通过处理器执行包括在系统存储部件中的一个或多个指令的一个或多个序列来执行具体的操作。这些指令可以从另一个计算机可读取的介质(例如，静态存储部件或磁盘驱动部件)中被读取到系统存储部件中。在其他实施例中，硬有线电路被用来取代软件指令或与其相接合来实施本公开。可以对计算机可读介质中的逻辑进行加密，该计算机可读介质所涉及的可以是参与向执行处理器提供指令的任何介质。这种介质可以具有多种形式，包括但不限于:非易失性介质、易失性介质、以及传送介质。在多种实施方式中，非易失性介质包括光学的或磁性的磁盘(诸如，磁盘驱动部件)，易失性介质包括动态存储器(诸如，系统存储部件)，而传送介质包括同轴电缆、铜导线、以及光纤，包括了包括有总线的导线。在一个实例中，传送介质可以采用声波或光波的形式，诸如，在无线电波和红外线数据通信过程中产生的那些声波或光波。计算机可读介质的一些通用形式包括，例如，软磁盘、可折叠磁盘、硬磁盘、磁带、任意其他磁性介质、CD-ROM、任意其他光学介质、穿孔卡片、纸带、任意其他的带有孔图案的物理介质、RAM、PROM、EPROM、FLASH-EPR0M、任意其他存储芯片或内存匣、载波、或采用计算机进行读取的介质中的任意其他介质。在本公开的多个实施例中，可以通过计算机系统执行指令序列来实行本公开的实施例。在本公开的各个其他实施例中，通过通信链接(例如，网络，诸如，LAN、WLAN、PTSN、和/或多种其他有线或 无线网络，包括远程通信网络、移动网络、和移动电话网络)连接的多个计算机系统可以执行指令序列来彼此配合地实施本公开的方法。计算机系统可以通过通信链接和通信界面传送和接收消息、数据、信息以及指令，包括一个或多个程序(即，应用码)。当被用于执行的硬盘驱动部件或一些其他非易失性存储部件接收和/或存储时，可以通过处理器来执行所接收到的程式码。在适用的情况下，可以使用硬件、软件、或硬件和软件的组合来实施本公开所提供的各个实施例。在适用的情况下，在不背离本公开的精神的情况下，也可以将在此所述的各种硬件部件和/或软件部件结合成复合部件，该复合部件包括软件、硬件、和/或这两者。在适用的情况下，在不脱离本公开的范围的情况下可以将在此所述的各种硬件部件和/或软件部件分成子部件，该子部件包括软件、硬件、或这两者。另外，在适用的情况下，可以想到将软件部件实施成硬件部件，反之亦然。根据本公开的软件(诸如，程式码和/或数据)可以被存储在一个或多个计算机可读介质上。也可以想到是云南过一个或多个通用的或专用的计算机和/或计算机系统、网络和/或其他的来实施在此所述的软件。在适用的情况下，可以对在此所述的各个步骤的顺序进行改变，结合成组合的步骤，和/或分成子步骤来提供在此所述的部件。现参考图5，根据本公开的实施例，可被用在上述工具300或400中的包括CVD室的系统500被示出用于控制膜轮廓的均匀性。系统500包括反应室510 (例如，CVD室)，该反应室包括有被配置用于支撑衬底514的第一电极512以及设置在第一电极512和衬底514上的第二电极516。系统500进一步包括至少一个反应气体源520和至少一个载气源530，每一个都可操作地连接反应室510，从而使得至少一种反应气体和至少一种载气分别流入到反应室510中。系统500进一步包括与第二电极516相连接的阻抗匹配单元550，从而在第一和第二电极512和516之间提供射频(RF)功率。可以向阻抗匹配单元550应用整定值(tap setting，抽头设置)来控制第一和第二电极512和516之间的RF功率。在沉积操作过程中，可以与第一最大RF功率相应地向阻抗匹配单元应用第一整定值，而在终端操作或等离子体处理操作过程中，可以与第二最大RF功率相应地向阻抗匹配单元应用第二整定值。第一 RF功率或电压源560与第一电极512相连接，而第二 RF功率或电压源570与阻抗匹配单元550相连接。泵和排出供给管道580与室510相连接，从而提供了抽气效应，以便在PECVD操作过程中在其中产生部分真空条件，并且提供了在晶圆处理操作完成之后用于将气体从系统中排出的气体排出管道。在一个实例中，沉积和/或等离子体处理的工艺压力可以被设定在大约ITorr和大约IOOTorr之间。室510还可以包括用于控制所需室内部的温度的加热元件。在一个实例中，沉积和/或等离子体处理的工艺温度可以在大约100摄氏度和大约600摄氏度的范围内。在一个实例中，室510是适用于执行上述工艺或方法100的PECVD反应室。可以从San Jose, California的Novellus公司购买PEVO)反应室的实例并且该反应室以商品名CONCEPT I进行贩售。可以使用其他室来执行任意上述方法。根据一个方面，第一电极512与第二电极516相对,其间具有间隙,而衬底514设置在第一和第二电极512和516之间。根据另一个方面,第一电极512可以作为阳极并且第一 RF功率源560为其提供低频RF(LFRF)功率，而第二电极516可以作为阴极并且第二RF功率源570为其提供高频RF (HFRF)功率。在一个实施例中，第二电极516可以包括喷头电极，该喷头电极被可操作地设置成与第一电极相邻并且被配置成将源于气体供应源(例如，反应气体源520、载气源530)的气态反应物提供到室510中。在其他实施例中，气态反应物可以通过与第二电极分开的入口或通过其他装置进入到室510中。第一电极512 被配置用于支持至少一个衬底，例如，以半导体晶圆形式或以电介质衬底形式。当用在本文件中并且与第一电极相关联时，术语“支撑”指的是在期望的方位上保持或固定一个或多个衬底，从而可以开始进行化学汽相沉积。因此，衬底可以被支撑、保持、或另行固定在所示的水平位置以外的方位中。另外，尽管示出的是平行板PECVD室，但其他RF功率系统也适用于执行本公开的方法，诸如，US申请第6，705，246号所描述的感应线圈PECVD室，该文件的公开内容结合在此作为参考用于所有目的。另外，尽管示出的室510带有两个电极，但可以理解，可以在未必局限于仅仅两个电极的系统中使用该反应室和方法。另外，尽管示出的是一个待被处理的衬底，但在其他实施例中，反应室可以被配置为处理一个以上衬底。根据一个方面，在不同的制造阶段中衬底514可以包括多个半导体器件，和/或其他适合的有源的和/或无源的器件。半导体器件的实例包括集成电路，该集成电路包括金属绝缘体半导体场效应晶体管(MOSFET)，其包括互补型MOSFET (CMOS)部件、CIS、和/或其他适当的有源的和/或无源的器件。在实施例中，衬底可以包括使用基于CMOS的工艺设计和形成的集成电路(或其部分)。具有通过其他半导体制造技术形成的器件(例如，集成电路)的衬底也处在所述方法的范围内。在一个实施例中，衬底514可以包括半导体衬底，并且可以由硅构成，或可选地可以包括硅锗、砷镓、或其他适合的半导体材料。该半导体衬底可以包括在之前的工艺步骤过程中形成的或可以在后续工艺步骤中形成的下面的层、器件、结点、以及其他部件(未示出)。根据一个方面，反应气体源520和载气源530可以分别包括存储器并且通过供应管道522、532、以及常用气体供给管道542与预混合室540相连接。可以分别将源于反应气体源520和稀释气体源530的至少一种反应气体和至少一种载气提供给预混合室540，用于在这些气体流入到反应室510之前将其预混合成基本上均匀的气体混合物。在一个实例中，预混合室540直接与室510相邻地设置。反应气体源520可以包括传统的喷水室、加热线圈、关闭阀、和/或输出端。在一个实例中，反应气体源520可以根据所期望的待沉积的层(例如，硅层、金属层、或介电层)来提供各种反应气体。在一个实例中，反应气体可以包括但并不局限于含硅的材料、含氮的材料、有机材料、含金属的材料、卤素气体、其组合等。尽管示出了单个反应气体源520，但系统500可以根据期望包括多个反应气体源并且以与反应气体源520类似的方式与反应室510相连接。稀释气体源530可以包括加热线圈、关闭阀、和/或输出端，并且可以提供多种稀释气体，包括但并不局限于惰性气体、氦气、氩气、其组合等。尽管无需示出，但反应气体和稀释气体可以从反应气体源520和稀释气体源530中通过各种装置(诸如，流动管道、压力调节器、阀、大流量控制器或其他流量控制器、歧管、和/或调节器)流到沉积室510中。在一个实例中，大流量控制器可以是电子类型的，其中，可以建立可调的设定点来提供不变的选择气体流速并且用于自动地补偿外部参数的变化，诸如，系统的各个流动管道中的温度变化和压力变化。歧管(manifold)可以被用于提供各种组合气体的预混合。供应管道522和532两者均可以具有关闭阀，可以在任意时间使用该关闭阀来开始和关断系统操作。关闭阀也可以被包括在反应气体源520和/或稀释气体源530中。系统500可以进一步包括净化(purge)气体源，该净化气体源可操作地与室510相连接，用于在沉积开始之前使净化气体流入到室510中并且还被用于冲洗系统。该净化气体源可以提供多种净化气体，包括但不限于氮气或氩气。 在一个实例操作中，衬底514可以是设置在阳极的上表面上的硅晶圆或电介质衬底，并且为了将正在制造的集成电路形成为最终的或完整的集成电路，对该硅晶圆进行了多个阶段的处理。例如，在以下阶段中处理晶圆，其中，传导性的互连带被设置和互连在晶圆表面上并且正准备接收由氧化硅或氮化硅之一或其两者所构成的保护性的电介质涂布。在一个实例中，衬底514可以包括450mm的晶圆。在一个实施例中，为了将沉积的介电层的应力从高拉伸状态改变到高压缩状态，从低频RF源560和高频RF源570中所接收到的功率比是可变的。在一个实例中，可以在
13.56兆赫下操作高频RF源570，并且可以在10-400千赫之间操作低频RF源560。例如，应用于PECVD室的总RF功率 可以在大约O瓦和大约200瓦之间的范围内。尽管示出了两个RF功率源560和570，但在其他实施例中也可以使用一个RF功率源来向每个电极512和516提供RF功率。US专利第6，705，246示出和描述了 RF功率分配器和一个RF功率源的实例，该文件的公开内容已预先结合在此作为参考。如图所示，通过用于阻抗匹配目的的阻抗匹配单元550连接高频RF源570，该阻抗匹配单元可以充分地防止高频RF功率被反射回到RF源570中并且被用于最大化被等离子体所吸收的RF功率量。阻抗匹配单元550包括多个电容部件和电感部件，这些部件被配置用于阻抗匹配并且被用于最大化施加在反应室510的第一和第二电极512和516之间的功率。可以向与第二电极相连接的阻抗匹配单元应用整定值，从而在第一和第二电极之间施加最大射频(RF)功率。与所施加的最大RF功率相应的整定值可以取决于各个工艺参数。RF源560和570被配置成向电极提供RF功率，该RF功率对改进处理室内部的等离子体处理环境以及提供与衬底相应的所期望的偏压两者而言均是有效的。例如，电极之间的功率差有助于离子或离子种类朝向主衬底加速，这可以在膜或层复合物中增强共形覆盖率和/或提供更好的均匀性。通过以本领域技术人员可控的方式更改反应气体源来沉积以上具体描述的那些材料以外的材料也处在本公开以及其所述的权利要求的范围内。另外，对于上述工艺中的至少一些工艺而言，在室温下操作反应气体源和稀释气体源是可能的并且由此去除了前述的加热元件。也就是说，上述位于气体源和反应室510之间的各种蒸汽和气体输送管道可以相当短，从而使得在室温下在该系统的输送管道中能够获得适当的蒸汽流速。另外，作为选择以及根据是否更高的温度会过度地减小正在处理的半导体结构，可以在大约100摄氏度和大约600摄氏度的宽泛的温度范围内操作上述所有实例中的反应室510。因此，这些和其他工艺以及材料的变化自然处在下面所附的权利要求的范围内。现参考图6A-图6C，分别示出了根据本公开的实施例的第一喷头孔洞设计(图6A)、相应的CVD膜轮廓均匀性控制系统和等离子体流动图案(图6B)以及相应的膜轮廓(图 6C)。图6A示出了喷头616的底面视图，该喷头包括多个从喷头的中心(孔洞602a)朝向喷头的外圆周(孔洞602b)呈同心圆的孔洞602。在该实施例中，孔洞602的图案或设计大体上从喷头的中心完全朝向喷头的外圆周呈同心圆地运动。在一个实施例中，喷头616的孔洞602的图案可以被视为第一喷头孔洞设计。与上面借助图5所描述的电极和衬底相似，图6B不出了第一电极612与第二电极616相对,其间具有间隙,并且衬底614设置在第一和第二电极612和616之间。第一电极612可以作为阳极并且第一 RF功率源为其提供低频RF(LFRF)功率，而第二电极616可以作为阴极并且第二 RF功率源为其提供高频RF(HFRF)。第二电极616包括喷头，该喷头被可操作地设置成与第一电极相邻并且被配置成将源于气体供应源(例如，反应气体源520、载气源530)的气态反应物提供到室(例如，室510)中。等离子体流动图案620示出了层的沉积。上面借助图5所描述的类似元件完全适用于本实施例，尽管为了避免重复描述下面可能没有包括相应的说明。
图6C示出了膜轮廓601a和601b，可以使用喷头614和相应的喷头孔洞设计，基于沉积参数(诸如，所使用的前体气体、气体流、工艺温度、以及工艺压力)来沉积层。膜轮廓601a包括从衬底614中向上倾斜的突起，而膜轮廓601b包括有朝向衬底614向下倾斜的凹陷。现参考图7A-图7C、图8A-图8C、图9A-图9C、以及图1OA-图10C，分别示出了根据本公开的实施例的第二喷头孔洞设计，相应的CVD膜轮廓均匀性控制系统和等离子体流动图案、以及相应的膜轮廓的实例。图7A示出了喷头716的底面视图，该喷头包括多个从喷头的中心朝向喷头的外圆周呈同心圆的孔洞702。在该实施例中，孔洞702的图案或设计大体上从喷头的中心朝向喷头的外圆周呈同心圆地运动，但并不完全到达喷头的外圆周。换言之，在一个实施例中，喷头孔洞设计702包括喷头616的喷头孔洞设计602的呈同心圆的部分孔洞。换言之，在另一个实例中，喷头孔洞设计702包括呈同心圆的孔洞，而喷头孔洞设计602包括处在与喷头孔洞设计702所不同的位置上的呈同心圆的孔洞。在一个实施例中，喷头716的孔洞702的图案集中在喷头面的中心并且可以被视为第二喷头孔洞设计的实例。与上面借助图5所描述的电极和衬底相似，图7B不出了第一电极612与第二电极716相对,其间具有间隙,并且衬底614设置在第一和第二电极612和716之间。第一电极612可以作为阳极并且第一 RF功率源为其提供低频RF (LFRF)功率，而第二电极716可以作为阴极并且第二 RF功率源为其提供 高频RF(HFRF)。第二电极716包括喷头，该喷头被可操作地设置成与第一电极相邻并且被配置成将源于气体供应源(例如，反应气体源520、载气源530)的气态反应物提供到室(例如，室510)中。等离子体流动图案720示出了层的沉积。上面借助图5所描述的类似元件完全适用于本实施例，尽管为了避免重复描述下面可能没有包括相应的说明。图7C示出了膜轮廓703，可以使用喷头716和相应的喷头孔洞设计沉积层。膜轮廓703包括一个从衬底614中向上倾斜的突起。图8A示出了喷头816的底面视图，该喷头包括多个从喷头的中心朝向喷头的外圆周呈同心圆的孔洞802。在该实施例中，孔洞802的图案或设计大体上在喷头面的中间形成了平坦的环，但并不包括处在喷头面的中心或喷头面的外圆周处的孔洞。换言之，在一个实施例中，喷头孔洞设计802包括喷头616的喷头孔洞设计602的呈同心圆的部分孔洞。换言之，在另一个实例中，喷头孔洞设计802包括呈同心圆的孔洞，而喷头孔洞设计602包括处在与喷头孔洞设计802所不同的位置上的呈同心圆的孔洞。在一个实施例中，喷头816的孔洞802的图案可以被视为第二喷头孔洞设计的实例。与上面借助图5所描述的电极和衬底相似，图8B示出了第一电极612与第二电极816相对,其间具有间隙,并且衬底614设置在第一和第二电极612和816之间。第一电极612可以作为阳极并且第一 RF功率源为其提供低频RF(LFRF)功率，而第二电极816可以作为阴极并且第二 RF功率源为其提供高频RF(HFRF)。第二电极816包括喷头，该喷头被可操作地设置成与第一电极相邻并且被配置成将源于气体供应源(例如，反应气体源520、载气源530)的气态反应物提供到室(例如，室510)中。等离子体流动图案820示出了层的沉积。上面借助图5所描述的类似元件完全适用于本实施例，尽管为了避免重复描述下面可能没有包括相应的说明。图SC示出了膜轮廓803，可以使用喷头816和相应的喷头孔洞设计沉积层。膜轮廓803包括一对从衬底614中向上倾斜的突起。
图9A示出了喷头916的底面视图，该喷头包括多个从喷头的中心朝向喷头的外圆周呈同心圆的孔洞902。在该实施例中，孔洞902的图案或设计大体上在喷头面的中间形成了平坦的环，但并不包括处在喷头面的中心或喷头面的外圆周处的孔洞。在该实施例中，孔洞902的图案和设计具有比图8A的孔洞802的图案或设计更大的内径和外径。换言之，在一个实施例中，喷头孔洞设计902包括喷头616的喷头孔洞设计602的呈同心圆的部分孔洞。换言之，在另一个实例中，喷头孔洞设计902包括呈同心圆的孔洞，而喷头孔洞设计602包括处在与喷头孔洞设计902所不同的位置上的呈同心圆的孔洞。在一个实施例中，喷头916的孔洞902的图案可以被视为第二喷头孔洞设计的实例。与上面借助图5所描述的电极和衬底相似，图9B示出了第一电极612与第二电极916相对,其间具有间隙,并且衬底614设置在第一和第二电极612和916之间。第一电极612可以作为阳极并且第一 RF功率源为其提供低频RF(LFRF)功率，而第二电极916可以作为阴极并且第二 RF功率源为其提供高频RF(HFRF)。第二电极916包括喷头，该喷头被可操作地设置成与第一电极相邻并且被配置成将源于气体供应源(例如，反应气体源520、载气源530)的气态反应物提供到室(例如，室510)中。等离子体流动图案920示出了层的沉积。上面借助图5所描述的类似元件完全适用于本实施例，尽管为了避免重复描述下面可能没有包括相应的说明。图9C示出了膜轮廓903，可以使用喷头916和相应的喷头孔洞设计沉积层。膜轮廓903包括一对从衬底614中向上倾斜并且设置在晶圆的外边缘或圆周附近的突起。图1OA示出了喷头1016的底面视图，该喷头包括多个从喷头的中心朝向喷头的外圆周呈同心圆的孔洞1002。在该实施例中，孔洞1002的图案或设计大体上在喷头面的外边缘中，外边缘处形成了平坦的环，但并不包括处在喷头面的中心处的孔洞。在该实施例中，孔洞1002的图案或设计具有比图9A的孔洞902的图案或设计更大的内径和外径。换言之，在一个实施例中，喷头孔洞设计1002包括喷头616的喷头孔洞设计602的呈同心圆的部分孔洞。换言之，在另一个实例中，喷头孔洞设计1002包括呈同心圆的孔洞，而喷头孔洞设计602包括处在与喷头孔洞设计1002所不同的`位置上的呈同心圆的孔洞。在一个实施例中，喷头1016的孔洞1002的图案可以被视为第二喷头孔洞设计的实例。与上面借助图5所描述的电极和衬底相似，图1OB示出了第一电极612与第二电极1016相对,其间具有间隙,并且衬底614设置在第一和第二电极612和1016之间。第一电极612可以作为阳极并且第一 RF功率源为其提供低频RF(LFRF)功率，而第二电极1016可以作为阴极并且第二 RF功率源为其提供高频RF(HFRF)。第二电极1016包括喷头，该喷头被可操作地设置成与第一电极相邻并且被配置成将源于气体供应源(例如，反应气体源520、载气源530)的气态反应物提供到室(例如，室510)中。等离子体流动图案1020示出了层的沉积。上面借助图5所描述的类似元件完全适用于本实施例，尽管为了避免重复描述下面可能没有包括相应的说明。图1OC示出了膜轮廓1003，可以使用喷头1016和相应的喷头孔洞设计沉积层。膜轮廓1003包括朝向衬底614向下倾斜的凹陷以及一对从衬底614中向上倾斜并且设置在晶圆的外边缘或圆周附近的突起。应该理解，在其他实施例中，图7A-图7C、图8A-图8C、图9A-图9C以及图1OA-图1OC的喷头孔洞设计和膜轮廓可以被视为第一喷头孔洞设计和第一膜轮廓，而图6A-图6C的喷头孔洞设计和膜轮廓可以被视为第二喷头孔洞设计和第二膜轮廓。因此，本公开提供了多个实施例。根据一个实施例，控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，并且利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓、以及第三轮廓彼此不同。在另一个实施例中，控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法包括利用第一喷头通过CVD在晶圆上方沉积第一层，第一层具有与第一喷头孔洞设计相应的第一轮廓，以及选择具有与第二轮廓相关的第二喷头孔洞设计的第二喷头来调整第一轮廓。该方法进一步包括利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有比第一轮廓和/或第二轮廓更为平坦的第三轮廓。在又一个实施例中，控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的系统包括具有第一喷头孔洞设计，被配置成通过CVD在衬底上沉积第一层的第一喷头，第一层具有与第一喷头孔洞设计相应的第一轮廓，而第二喷头具有第二喷头孔洞设计，被配置成通过CVD在第一层上方沉积第二层，第二层具有与第二喷头孔洞设计相应的第二轮廓，第二喷头孔洞设计与第一喷头孔洞设计不同。尽管已经详细地描述了本发明及其优势，但应该理解，可以在不背离所附权利要求限定的本发明主旨和范围的情况下，做各种不同的改变，替换和更改。因此，所有这些改变、替换和更改均如下面的权利要求书所限定的那样包括在本公开的范围内。在权利要求书中，装置加功能的项目被用于涵盖在执行所述功能时在此所述的结构，并且不仅涵盖了结构的等效形式，还涵盖了等 效的结构。
权利要求
1.一种控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法，所述方法包括: 利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，所述第一层具有第一轮廓；以及 利用第二喷头通过CVD在所述第一层上方沉积第二层，所述第二层具有第二轮廓， 其中，组合的第一层和第二层具有第三轮廓，以及 其中，所述第一轮廓、所述第二轮廓以及所述第三轮廓彼此不同。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层沉积在第一反应室中，而所述第二层沉积在第二反应室中。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层的所述第一轮廓包括向上倾斜的突起，所述第二层的所述第二轮廓包括向下倾斜的凹陷，并且所述组合的第一层和第二层的所述第三轮廓比所述第一轮廓与所述第二轮廓中的至少一个更为平坦。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二喷头具有第二喷头孔洞设计，所述第二喷头孔洞设计包括呈同心圆的孔洞，而所述第一喷头具有第一喷头孔洞设计，所述第一喷头孔洞设计包括处在与所述第二喷头孔洞设计不同的位置上的呈同心圆的孔洞。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括:选择所述第二喷头，以利用所述第二层的所述第二轮廓来补偿所述第一层的所述第一轮廓，从而提供所述组合的第一层和第二层的所述第三轮廓，所述第三轮廓比所述第一轮廓与所述第二轮廓中的至少一个更为平坦。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括:利用第三喷头通过CVD在所述第二层上方沉积第三层，所述第三喷头具有与所述第一喷头和所述第二喷头不同的孔洞设计。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括:使反应气体和稀释气体流经所述第一喷头或所述第二喷头来用于等离子体增强CVD(PECVD)或有机金属CVD(MOCVD)。
8.—种控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法，所述方法包括: 利用第一喷头通过CVD在晶圆上方沉积第一层，所述第一层具有与第一喷头孔洞设计相对应的第一轮廓； 选择具有与第二轮廓相关的第二喷头孔洞设计的第二喷头，用于调整所述第一轮廓；以及 利用所述第二喷头通过CVD在所述第一层上方沉积第二层，所述第二层具有所述第二轮廓，其中，组合的第一层和第二层具有比所述第一轮廓与所述第二轮廓中的至少一个更为平坦的第三轮廓。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一层沉积在第一反应室中，而所述第二层沉积在第二反应室中。
10.一种控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的系统，所述系统包括: 第一喷头，具有第一喷头孔洞设计，被配置成通过CVD在衬底上沉积第一层，所述第一层具有与所述第一喷头孔洞设计相对应的第一轮廓；以及 第二喷头，具有第二喷头孔洞设计，被配置成通过CVD在所述第一层上方沉积第二层，所述第二层具有与所述第二喷头孔洞设计相对应的第二轮廓，所述第二喷头孔洞设计与所述第一喷头孔洞设计不同。
全文摘要
本公开提供了控制化学汽相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓，以及第三轮廓彼此不同。
文档编号C23C16/52GK103147071SQ20121027143
公开日2013年6月12日 申请日期2012年7月31日 优先权日2011年12月7日
发明者郭铭修, 李志聪, 周友华, 蔡明志, 陈嘉和, 林进祥 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司