专利名称：一种调节真空磁控辉光均匀性的装置和方法
技术领域：
本发明涉及玻璃深加工技术领域，尤其涉及一种调节真空磁控辉光均匀性装置和方法。
背景技术：
上世纪90年代至今，磁控溅射技术的应用日趋广泛，在工业化生产和科学研究领域发挥巨大作用。磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法，被普遍和成功的应用在许多方面，特别是光学薄膜、微电子、材料表面处理领域中，用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。
磁控溅射生成的薄膜厚度的均匀性是成膜性质的一项重要指标，在溅射镀膜中，由于靶内磁场分布，溅射气体分部以及溅射源特有的性质等原因，使得所镀膜层厚度不能理想的均匀分布。专利号CN201120282981. 5的中国专利公开了一种可改善磁控溅射镀膜均匀性的镀膜装置，其方法是镀膜腔体内安装一组可调节长度的挡板，通过在大气下控制开口大小来控制均匀程度。该方法的局限性有以下几点。一、调节目的性差，靠多次操作经验来完成。二、调节针对性不强，不能针对某个腔体时时调节。三、调节精度差，没有定量调节装置，所以其实用性不良。四、操作性能不好，该技术只能在大气环境下操作，严重影响正常工业化生产。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足，本发明的目的是提供一种调节真空磁控辉光均匀性装置和方法，能够在真空中精确定位调节，实现有效地辉光均匀性调节。为了实现上述目的，本发明采用如下装置一种调节真空磁控辉光均匀性装置，包括长度调节机构、辉光均匀控制机构、辉光均匀机构，所述长度调节机构与所述辉光均匀控制机构配合以控制所述辉光均勻机构调节所述辉光的均勻性；所述长度调节机构是长度可调的调节杆。所述辉光均匀控制机构包括圆环形调节套和固定于套外的倒V型调节板。所述调节套包括调节内套和调节外套，所述调节内套套接固定于所述调节杆顶端，所述调节内套设有若干内套定位磁铁，所述调节外套相应位置设有相同数量的外套定位磁铁。所述调节内套可随着调节杆的转动而转动，同时，由于所述内套定位磁铁和所述外套定位磁铁的磁力作用，所述调节外套随着所述调节内套的旋转而转动。所述辉光均勻机构包括长形挡板外罩和若干设置于所述挡板外罩内的辉光均勻构件，所述辉光均匀构件包括挡板和固定于挡板上的挡板钉。
所述辉光均勻机构包括长形挡板外罩和若干设置于所述挡板外罩内的辉光均勻构件，所述辉光均匀构件包括挡板和固定于挡板上的挡板钉，所述调节板可带动所述挡板钉往复移动从而调节所述挡板开口大小。所述调节杆在长度调节状态下可对应不同位置的所述挡板。所述调节杆上设置有刻度。本发明还提供一种调节真空磁控辉光均匀性的方法，包括以下步骤步骤I :测量溅射产品均匀性，判断各个位置的溅射强弱；
步骤2 :调节杆根据溅射强弱的位置调节长度以定位需要调整的位置，旋转调节杆带动调节套上的调节板旋转，所述调节板带动挡板上的挡板钉移动，控制该位置挡板开口大小，溅射较强位置，移动使挡板开口变小，在溅射较弱部分，移动使挡板开口变大；步骤3 :继续生产溅射产品并测量其均匀性；步骤4 :重复步骤I至3，直至均匀性达到生产要求。本发明的有益效果是可以在真空环境下操作，不用回气操作，大大降低了成本节约人力物力；可以精确调节溅射到玻璃表面的溅射物厚度；气密性好、不会出现漏气现象；可操作性强，该操作为可视化操作，通过观察窗能看到每块挡板的位置；可减少镀膜玻璃掉渣缺陷的发生，挡板有一定的挡渣作用；连续性强、可根据实际生产需要随时调整。
图I为本发明的工作结构示意图。图2为本发明的正面结构示意图。图3为本发明的调节套与挡板配合示意4为本发明的调节内套和调节外套的放大5为本发明的调节杆的初始状态6为本发明的调节杆的调节状态中，I、调节杆2、密封法兰3、挡板钉4、调节外套5、调节外套磁铁6、调节内套磁铁7、调节内套8、调节板9、挡板10、挡板外罩11、真空腔体12、底板
具体实施例方式下面结合附图对本发明的一种具体实施方式
做出说明。参见图1-3，本发明的调节真空磁控辉光均匀性装置，包括在真空腔体11内设置有至少一排挡板9，可以有多排，其内置于挡板外罩10内，调节内套4和调节外套7形成调节套，并且调节内套4套接于调节杆I的位于真空腔体11内的远端部分，调节杆I通过密封法兰2与真空腔体11密封连接，调节套可以根据调节杆的长度调节来定位于不同挡板9的挡板钉3处，从而调整挡板9的开口大小，调整底板12的溅射均匀性。参见图3，调节外套7外周固定有呈倒V型的调节板8，挡板9的挡板钉3位于调节板8的V型空间内。参见图4，在调节内套4的周围有多个调节内套磁铁6，例如4个，相应地，在调节外套7的周围有相应数量的调节外套磁铁5,例如4个,该两组磁铁可相互作用，实现力传递。
参见图5-6，调节杆I长度可调节，其结构形式为可抽插移动、可多次折叠方式，并且上面带有刻度，可精确定位调节杆在真空腔体11内的位置，也可以精确定位所要调整挡板9的位置。其工作方式是在真空(不限于真空)环境下通过带有刻度调节杆I的旋转来带动在调节杆远端的调节内套4，调节内套4通过设置于其上的多个例如4个调节内套磁铁6来带动旋转调节外套磁铁5，使调节外套7也跟着旋转，当调节外套7旋转时其下端的调节板8会带动固定在挡板上的挡板钉3移动，挡板9也随之被调节。由于调节杆I长度是可以调节的，不同长度的调节杆I可以调节成对应不同位置挡板9，因此在生产过程中，根据不同真空内环境调节相应位置挡板开口大小，可以精确的完成单靶均匀性。实际产品的溅射过程如下1、测量溅射产品均匀性，判断各个位置的溅射强弱；
2、调节杆I根据溅射强弱的位置调节长度以定位需要调整挡板9的位置，旋转调节杆I带 动调节套上的调节板8旋转，调节板8带动挡板9上的挡板钉3移动，控制该位置挡板9的开口大小，如果是溅射较强位置，移动使挡板9开口变小，在溅射较弱部分，移动使挡板9开口变大；3、继续生产溅射产品并测量其均匀性；4、重复步骤I至3，直至均匀性达到生产要求。以上对本发明的一个实例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
权利要求
1.一种调节真空磁控辉光均匀性装置，包括长度调节机构、辉光均匀控制机构、辉光均匀机构，所述长度调节机构与所述辉光均匀控制机构配合以控制所述辉光均匀机构调节所述辉光的均匀性。
2.根据权利要求I所述的装置，其特征在于所述长度调节机构是长度可调的调节杆。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于所述辉光均匀控制机构包括圆环形调节套和固定于套外的倒V型调节板。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于所述调节套包括调节内套和调节外套，所述调节内套套接固定于所述调节杆顶端，所述调节内套设有若干调节内套磁铁，所述调节外套相应位置设有相同数量的调节外套磁铁。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于所述调节内套可随着调节杆的转动而转动，同时，由于所述调节内套磁铁和所述调节外套磁铁的磁力作用，所述调节外套随着所述 调节内套的旋转而转动。
6.根据权利要求I所述的装置，其特征在于所述辉光均匀机构包括长形挡板外罩和若干设置于所述挡板外罩内的辉光均匀构件，所述辉光均匀构件包括挡板和固定于挡板上的挡板钉。
7.根据权利要求3所述的装置，其特征在于所述辉光均匀机构包括长形挡板外罩和若干设置于所述挡板外罩内的辉光均匀构件，所述辉光均匀构件包括挡板和固定于挡板上的挡板钉，所述调节板可带动所述挡板钉往复移动从而调节所述挡板开口大小。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于所述调节杆在长度调节状态下可对应不同位置的所述挡板。
9.根据权利要求2所述的装置，所述调节杆上设置有刻度。
10.一种调节真空磁控辉光均匀性的方法，包括以下步骤 步骤I :测量溅射产品均匀性，判断各个位置的溅射强弱； 步骤2 :调节杆根据溅射强弱的位置调节长度以定位需要调整的位置，旋转调节杆带动调节套上的调节板旋转，所述调节板带动挡板上的挡板钉移动，控制该位置挡板开口大小，溅射较强位置，移动使挡板开口变小，在溅射较弱部分，移动使挡板开口变大； 步骤3 :继续生产溅射产品并测量其均匀性； 步骤4 :重复步骤I至3，直至均匀性达到生产要求。
全文摘要
本发明涉及一种调节真空磁控辉光均匀性装置和方法，该装置包括长度调节机构、辉光均匀控制机构、辉光均匀机构，所述长度调节机构与所述辉光均匀控制机构配合以控制所述辉光均匀机构调节所述辉光的均匀性。该方法首先测量溅射产品均匀性，判断各个位置的溅射强弱；然后调节杆根据溅射强弱的位置调节长度以定位需要调节的挡板，并旋转带动挡板钉移动，控制该位置挡板开口大小，然后继续生产溅射产品并测量其均匀性，再重复上述步骤，直至均匀性达到生产要求。本发明的有益效果包括可以在真空环境下操作，不用回气操作，降低了成本，并节约人力物力；可以精确调节辉光均匀性。
文档编号C23C14/35GK102747335SQ20121027052
公开日2012年10月24日 申请日期2012年8月1日 优先权日2012年8月1日
发明者王旭升, 王烁, 童帅 申请人:天津南玻节能玻璃有限公司