一种oled面光源专用的改进型ito镀膜生产设备的制作方法
【专利摘要】一种OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，它主要包括一真空腔体系统和一控制系统；所述的真空腔体系统由装卸片台、进出片室、镀膜室、缓冲室依次连通组成，所述装卸片台与进出片室、进出片室与工艺腔体的连接处均设有插板阀；所述的镀膜室由减反射层工艺腔体和Si工艺腔体和ITO工艺腔体三个工艺腔体构成；所述的镀膜室设有侧面维修门、镀膜阴极、工艺气体系统及位置传感器；所述的镀膜阴极设在所述的侧面维修门上；所述的真空腔体系统内部设有基底传送机构；所述的控制系统主要由PLC构成；它能够在现有ITO镀膜模块上进行改造，具有操作简单、成本优势明显等特点。
【专利说明】一种OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及的是一种OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，属于ITO镀膜装备【技术领域】。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件(OLED)照明由于其显色性高且属于面发光，不仅能呈现自然柔和的光线，而且在造型设计上也有相当大的发挥空间，是下一代照明的发展趋势。但是在传统经典的OLED器件结构中，由于各膜层材料的折射率不一致造成的反射，使得通过器件发射层发出的光大部分被限制在器件中不能有效地输出到器件外。传统经典OLED器件中，外部模式、基底波导模式、ITO/有机层模式的比例分别为20%、30%及50%，从基底发出的光仅有20%，这远远无法满足照明的需求。因此许多研究者将关注焦点转移到探索如果提高光取出效率的方法上来。
[0003]业界对OLED出光效率的研究主要对OLED器件基底的改造、以及对OLED器件内部结构的改造。对OLED器件出光面的改造主要是扰乱基底与空气界面，减少空气与基底的全反射。其制作方法是，在基底表面或底部通过粘合剂贴覆一层光提取膜，从而减少器件内发生的波导损耗。由于OLED器件的工作时的温度变化，难免会产生粘合剂失效、光提取膜脱落的现象。因此将这一层光提取膜直接镀在ITO玻璃上显得尤为必要，但现有的ITO镀膜生产线并不满足连续生产的需求。因此，提供一种能够实现这一要求的基底ITO玻璃及其制备装备尤为必要。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服上述存在的不足，而提供一种在常规ITO镀膜生产线的基础上进行改良的、结构合理、镀膜质量好、生产效率高的OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备。
[0005]本实用新型是通过如下技术方案来完成的，它主要包括一真空腔体系统和一控制系统；所述的真空腔体系统由装卸片台、进出片室、镀膜室、缓冲室依次连通组成，所述装卸片台与进出片室、进出片室与工艺腔体的连接处均设有插板阀；所述的镀膜室由减反射层工艺腔体和Si工艺腔体和ITO工艺腔体三个工艺腔体构成；所述的镀膜室设有侧面维修门、镀膜阴极、工艺气体系统及位置传感器；所述的镀膜阴极设在所述的侧面维修门上；所述的真空腔体系统内部设有基底传送机构；所述的控制系统主要由PLC构成。
[0006]所述的进出片室连接有由机械泵、罗茨泵组成的前级抽气系统以及分子泵高真空抽气系统；所述的缓冲室连接有加热系统以及所述的分子泵高真空抽气统；所述装卸片台进行基底交换，并由抽成高真空的进出片室将基底自动传送到镀膜室中。
[0007]所述的ITO镀膜生产设备还包括:冷却水系统、供气系统、压缩空气系统，且它们分别被设置在真空腔体系统下方。
[0008]所述的减反射层工艺腔体131中的靶材采用铝及其合金，并在其中通入氩气或氮气作为工作气体，沉积减发射层；所述Si工艺腔体中的靶材采用Si，并在其中通入氧气作为反应气体，中频溅射Si02膜；所述ITO工艺腔体中进行ITO膜层的制备；所述的缓冲室中维系高真空度。
[0009]本实用新型具有如下技术特点:所述的真空腔体系统采用插板阀隔开，可以有效实现隔断，稳定工艺气体，密封性更好、更耐用；新增设工艺腔体，能够在基底表面和底面有效地生长减反射层，提高出光效率；它完全兼容现有ITO镀膜生产线，无需另行建设新的生产线，节约了大量的硬件投入。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型所述的OLED面光源专用的改进型ITO的镀膜生产设备示意图；
[0011]图2是本实用新型所述的进出片室结构示意图；
[0012]图3是本实用新型所述的镀膜室结构示意图；
[0013]附图中的标号如下:装卸片台11、进出片室12、镀膜室13、缓冲室14、插板阀15、加热系统16、前级抽气系统121、高真空抽气系统122、减反射层工艺腔体131、Si工艺腔体132、ITO工艺腔体133。
【具体实施方式】
[0014]下面将结合附图对本实用新型作进一步描述:图1所示，本实用新型主要包括有:真空腔体系统I及控制系统2。所述的真空腔体系统I由装卸片台11、进出片室12、镀膜室13、缓冲室14依次连通组成，所述的装卸片台11与进出片室12、进出片室12与工艺腔体13连接处均设有插板阀15 ;所述的镀膜室13由减反射层工艺腔体131和Si工艺腔体132和ITO工艺腔体133三个工艺腔体构成；所述的镀膜室13均设有侧面维修门、镀膜阴极、工艺气体系统及位置传感器；所述的镀膜阴极设在所述的侧面维修门上；所述的真空腔体系统I内部设有基底传送机构；所述的真空腔体系统I材料采用SUS304焊接而成；所述的进出片室12连接设有机械泵、罗茨泵组成的前级抽气系统121和分子泵高真空抽气系统122 ；本实用新型中，所述的缓冲室14连接有加热系统16和分子泵高真空抽气统122 ;本实用新型中，还包括冷却水系统、供气系统、压缩空气系统设置在真空腔体系统I下方。所述的控制系统2通过计算机操作，由PLC实现系统控制。
[0015]本实用新型提供的一种OLED面光源专用改进型ITO的镀膜生产线具体原理如下:
[0016]正常工作模式下，基底按照以下顺序传送:装卸片台11—进出片室12—减反射层工艺腔体131 — Si工艺腔体132 — ITO工艺腔体133 —进出片室12 —装卸片台11。
[0017]所述的装卸片台11用于基底交换；所述的进出片室12是闻真空抽气室,完成闻真空抽气过程，并将基底自动传送到镀膜室13中；所述的减反射层工艺腔体131，靶材采用铝及其合金，通入氩气或氮气作为工作气体，沉积减发射层；所述的Si工艺腔体132，采用Si作为靶材，氧气作为反应气体，中频溅射Si02膜；所述的ITO工艺腔体133能够实现ITO膜层的制备；所述的缓冲室14是用于维系高真空度。
【权利要求】
1.一种OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，它主要包括一真空腔体系统和一控制系统；其特征在于所述的真空腔体系统(I)由装卸片台(11)、进出片室(12)、镀膜室(13)、缓冲室(14)依次连通组成，所述装卸片台(11)与进出片室(12)、进出片室(12)与工艺腔体(13)的连接处均设有插板阀(15);所述的镀膜室(13)由减反射层工艺腔体(131)和Si工艺腔体(132)和ITO工艺腔体(133)三个工艺腔体构成；所述的镀膜室(13)设有侧面维修门、镀膜阴极、工艺气体系统及位置传感器；所述的镀膜阴极设在所述的侧面维修门上；所述的真空腔体系统(I)内部设有基底传送机构；所述的控制系统(2)主要由PLC构成。
2.根据权利要求1所述的OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，其特征在于所述的进出片室(12)连接有由机械泵、罗茨泵组成的前级抽气系统(121)以及分子泵高真空抽气系统(122);所述的缓冲室(14)连接有加热系统(16)以及所述的分子泵高真空抽气统(122);所述装卸片台(11)进行基底交换，并由抽成高真空的进出片室(12)将基底自动传送到镀膜室(13)中。
3.根据权利要求1所述的OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，其特征在于所述的ITO镀膜生产设备还包括:冷却水系统、供气系统、压缩空气系统，且它们分别被设置在真空腔体系统I下方。
4.根据权利要求1所述的OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，其特征在于所述的减反射层工艺腔体(131)中的靶材采用铝及其合金，并在其中通入氩气或氮气作为工作气体，沉积减发射层；所述Si工艺腔体(132)中的靶材采用Si，并在其中通入氧气作为反应气体，中频溅射Si02膜；所述ITO工艺腔体(133)中进行ITO膜层的制备；所述的缓冲室(14)中维系高真空度。
【文档编号】C23C14/56GK203834013SQ201420201940
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年4月24日 优先权日:2014年4月24日
【发明者】马恩高 申请人:马恩高