专利名称：Pecvd镀膜专用硅片承载器的制作方法
技术领域：
PECVD镀膜专用硅片承载器
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池硅片PECVD镀膜用的一种硅片承载器。背景技术：
PECVD是太阳能电池片等离子体化学沉积镀膜工艺的简称，在太阳能电池的生产 过程中，对硅片镀膜是提高太阳能电池吸收效率的关键技术，根据硅片的光电转换发电原 理，光线照射到硅片上会产生反射，硅片的光学损失会使太阳能电池的输出低于理想值，硅 片镀膜技术是提高太阳能电池吸收效率的成熟技术，已在太阳能电池工业化生产中得到广 泛应用，通过PECVD能在硅片表面形成一层减反射膜。在PECVD镀膜过程中必须使用硅片承载器，现用的硅片承载器如图1所示，它由承 载框架1、单面挂钩2和双面挂钩3组成，承载框架1由纵向杆和横向杆拼合而成，单面挂钩 2安装在左右两侧的纵向杆上，双面挂钩3则安装在其它纵向杆上，将待镀膜的硅片5逐块 平放在硅片承载器上，靠单面挂钩2和双面挂钩3将硅片5水平托起，对硅片5向下的扩散 面进行镀膜。双面挂钩如图2A所示，单面挂钩如图2B所示，它们均为片状结构，所述双面 挂钩3由托钩31、钩身32、定位槽33和扎带34组成，托钩31对称地设置在钩身32下端的 外侧，定位槽33位于钩身32的上方，且处于两根扎带34之间，双面挂钩3通过定位槽33 安装在纵向杆上；单面挂钩2的结构与双面挂钩3相似，只比双面挂钩3少一个托钩。单 面挂钩和双面挂钩的安装固定方式都是相同的，都是靠定位槽卡装在纵向杆上，然后用钳 子将两根扎带铰接起来，从而使挂钩固定在纵向杆上，在铰接紧固时，两根扎带必然会对纵 向杆产生收紧力和磨擦力，由于硅片承载框架由碳素复合纤维材料制成，在挂钩的安装收 紧和拆除过程中，扎带对纵向杆的损伤较大，这必然加速硅片承载器的损坏，缩短其使用寿 命。目前，硅片承载器一般的使用寿命为二个月，生产消耗较大，由于硅片承载器的价格较 高，所以硅片承载器消耗成本在镀膜成本中的比例较高。在镀膜的过程中，待镀膜的硅片是平放在硅片承载器上，并由四个托钩水平托起， 由于挂钩固定的松紧程度会直接影响托钩的顶尖与纵向杆底面之间的距离，从而改变硅片 与硅片承载器之间的间隙，这样就增大了等离子体扩散到硅片背面产生沉积的机率，电池 背面存有氮化硅层对后道工序铝背场的印刷烧结将产生不良影响。同时，在镀膜过程中，在 硅片承载框架和挂钩表面都会沉积氮化硅，根据镀膜工艺要求，在镀膜结束后必须将硅片 承载框架上的挂钩拆除，然后用低浓度的HF溶液(5%)浸泡以清除附着其上的氮化硅，否 则挂钩就会在浸泡过程中被HF溶液腐蚀掉，这样不仅要消耗HF溶液，而且还需要拆除挂 钩，同时也增大了后道对HF溶液环保处理的成本和难度。
实用新型内容为了克服现有硅片承载器存在的不足，本实用新型提供了一种PECVD镀膜专用硅 片承载器，这种硅片承载器上的挂钩不仅能快速安装和拆除，而且对硅片承载框架不会产 生损伤，还能大幅度降低太阳能电池片背面沉积氮化硅层的机率。[0006]本实用新型所述PECVD镀膜专用硅片承载器，它包括承载框架、单面挂钩和双面 挂钩，单面挂钩和双面挂钩均安装在承载框架的挂钩连接杆上，其特征是，它还包括垫板， 所述双面挂钩由托钩、钩身、定位槽、扎带、压迫凸台和折弯槽组成，两个托钩对称地位于钩 身的底部两侧，定位槽位于钩身的上方，且处于两根扎带之间，压迫凸台设置在扎带的顶 端，在两扎带的外侧等高度地设有折弯槽，折弯槽的开设位置要求是当压迫凸台沿折弯槽 向内侧边折弯90°后，内侧边到定位槽底边的距离等于两个垫板厚度与挂钩连接杆厚度之 和；所述垫板呈“工”字形，在其垫板的两侧开有扎带槽，扎带槽的宽度与扎带的厚度相当， 两扎带槽的槽底之间的距离与两扎带的内侧边之间的距离相当，托钩的顶尖与挂钩连接杆 底边的距离小于或等于硅片的厚度；单面挂钩的结构与双面挂钩相同，只比双面挂钩少一 只托钩；单面挂钩、双面挂钩与挂钩连接杆的安装方式相同，在挂钩连接杆的上端面和下端 面均设置有垫板，两扎带插穿在垫板的两扎带槽中，定位槽套装在挂钩连接杆上，两根扎带 上端的压迫凸台通过沿折弯槽向内侧边折弯90°的方式压在垫板的上端面上，如图3所示。由于在硅片承载器上增设了二块垫板，同时改进了挂钩的连接结构，挂钩在安装 时，在挂钩连接杆的顶面和底面均设有垫板，挂钩的两根扎带在收紧、拆除过程中都直接 作用在垫板上，因此，不会对挂钩连接杆产生损伤，从而能大幅度提高硅片承载器的使用寿 命。由于在两扎带的外侧等高度地开设了折弯槽，在扎带的顶部设置了压迫凸台，在安装挂 钩时只要用钳子将两根扎带上端的压迫凸台沿折弯槽向内侧边折弯90°即可，此时，压迫 凸台的内侧边就能可靠地压在垫板的上端面上，这样不仅能使挂钩稳固地固定在挂钩连接 杆上，而且能使得所有挂钩的托钩的顶尖与挂钩连接杆底面的距离等值，在镀膜过程中，由 于硅片的上端面不低于挂钩连接杆的底面，这样就能大幅度降低在太阳能电池片背面沉积 氮化硅层的机率。当需要拆除挂钩时，只要用钳子将压迫凸台还原折弯90°即可。这种结 构的硅片承载器，不仅挂钩能快速安装和拆除，而且安装和拆除对硅片承载框架都不会产 生损伤，还能大幅度降低太阳能电池片背面沉积氮化硅层的机率，能更好地满足镀膜工艺 要求。
图1为硅片承载器的结构示意图；图2为现有挂钩的结构示意图；其中图2A为双面挂钩结构示意图，图2B为单面挂钩结构示意图；图3为本实用新型中双面挂钩的安装结构示意图；图4为本实用新型中双面挂钩的结构示意图；图5为本实用新型中垫板的结构示意图。图中，1-承载框架；2-单面挂钩；3-双面挂钩；4-垫板；5-硅片；11_挂钩连接杆； 31-托钩；32-钩身；33-定位槽；34-扎带；35-压迫凸台；36-折弯槽；37-内侧边；38-底 边；41-扎带槽；42-槽底。
具体实施方式下面结合说明书附图介绍本实用新型的具体实施方式
。[0016] 本实用新型所述PECVD镀膜专用硅片承载器，它由承载框架1、单面挂钩2、双面挂 钩3和垫板4组成，承载框架1由纵向杆和横向杆拼合而成，单面挂钩2和双面挂钩3均安 装在承载框架1的纵向杆上，在本例中，纵向杆就是挂钩连接杆11，所述双面挂钩3由托钩 31、钩身32、定位槽33、扎带34、压迫凸台35和折弯槽36组成，两个托钩31对称地位于钩 身32下端的两侧，定位槽33位于钩身32的上方，且处于两根扎带34之间，压迫凸台35设 置在扎带34的顶端，在两扎带34的外侧等高度地设有折弯槽36，折弯槽36的开设位置要 求是当压迫凸台35沿折弯槽36向内侧边37折弯90°后，内侧边37到定位槽33底边38 的距离等于两个垫板4厚度与挂钩连接杆11厚度之和；所述垫板4呈“工”字形，在垫板4 的两侧设有扎带槽41，扎带槽41的宽度与扎带34的厚度相当，两扎带槽41的槽底42之 间的距离与两扎带34的内侧边37之间的距离相当，托钩31的顶尖与挂钩连接杆11底边 的距离等于或略小于硅片5的厚度；单面挂钩2的结构与双面挂钩3相同，只比双面挂钩3 少一只托钩31 ；单面挂钩2和双面挂钩3与挂钩连接杆11的安装方式相同，即在挂钩连接 杆11的上端面和下端面均设置有垫板4，两扎带34插穿在垫板4的两扎带槽41中，定位 槽33套装在挂钩连接杆11上，两根扎带34上端的压迫凸台35通过沿折弯槽36向内侧边 37折弯90°的方式压在垫板4的上端面上，如图3所示，这样挂钩就稳固地固定在挂钩连 接杆11上，使得所有挂钩的托钩31的顶尖与挂钩连接杆11底面的距离等值，将待镀膜硅 片5平放在托钩31上，即可按PECVD镀膜工艺进行镀膜处理。
权利要求一种PECVD镀膜专用硅片承载器，它包括承载框架(1)、单面挂钩(2)、双面挂钩(3)，单面挂钩(2)和双面挂钩(3)均安装在承载框架(1)上，其特征是它还包括垫板(4)，所述双面挂钩(3)由托钩(31)、钩身(32)、定位槽(33)、扎带(34)、压迫凸台(35)和折弯槽(36)组成，两个托钩(31)对称地位于钩身(32)底部的两侧，定位槽(33)位于钩身(32)的上方，且处于两根扎带(34)之间，压迫凸台(35)设置在扎带(34)的顶端，在两扎带(34)的外侧等高度地设有折弯槽(36)，折弯槽(36)的开设位置要求是当压迫凸台(35)沿折弯槽(36)向内侧边(37)折弯90°后，内侧边(37)到定位槽(33)底边(38)的距离等于两个垫板(4)厚度与挂钩连接杆(11)厚度之和；所述垫板(4)呈“工”字形，在垫板(4)两侧设有扎带槽(41)，扎带槽(41)的宽度与扎带(34)的厚度相当，两扎带槽(41)槽底(42)之间的距离与两扎带(34)的内侧边(37)之间的距离相当，托钩(31)的顶尖与挂钩连接杆(11)底边的距离小于或等于硅片(5)的厚度；所述单面挂钩(2)的结构与双面挂钩(3)相同，只比双面挂钩(3)少一只托钩(31)；单面挂钩(2)和双面挂钩(3)与挂钩连接杆(11)的安装方式相同，在挂钩连接杆(11)的上端面和下端面均设置有垫板(4)，两扎带(34)插穿在垫板(4)的两扎带槽(41)中，定位槽(33)套装在挂钩连接杆(11)上，两根扎带(34)上端的压迫凸台(35)通过沿折弯槽(36)向内侧边(37)折弯90°的方式压在垫板(4)的上端面上。
专利摘要一种PECVD镀膜专用硅片承载器，包括承载框架、单面挂钩、双面挂钩和垫板，单面挂钩与双面挂钩的结构相同，只比后者少一只托钩；在挂钩的扎带上设有压迫凸台和折弯槽，挂钩的固定和拆除都通过压迫凸台沿折弯槽折弯90°方式来实现，挂钩固定后，托钩的顶尖与挂钩连接杆底边的距离小于或等于硅片的厚度，由于改进了挂钩的连接结构，扎带在收紧、拆除过程中只作用于垫板上，不会损伤挂钩连接杆。这种结构的硅片承载器，不仅挂钩能快速安装和拆除，而且安装和拆除对硅片承载框架都不会产生损伤，还能大幅度降低太阳能电池片背面沉积氮化硅层的几率，能更好地满足镀膜工艺要求。
文档编号C23C16/458GK201665709SQ20102015151
公开日2010年12月8日 申请日期2010年3月29日 优先权日2010年3月29日
发明者冯鑫, 刘志刚, 屈莹 申请人:常州亿晶光电科技有限公司