1.一种4H-碳化硅复合贵金属薄膜，其特征在于，包括4H-碳化硅和淀积于4H-碳化硅的贵金属薄膜层，且所述贵金属薄膜层设有微结构，所述微结构为周期性的微腔，且所述微腔呈正方格子排列。
2.根据权利要求1所述的4H-碳化硅复合贵金属薄膜，其特征在于，所述微腔为圆形。
3.根据权利要求2所述的4H-碳化硅复合贵金属薄膜，其特征在于，所述微腔的孔径范围为6～10μm。
4.根据权利要求3所述的4H-碳化硅复合贵金属薄膜，其特征在于，相邻两所述微腔的圆心间距大于12μm。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的4H-碳化硅复合贵金属薄膜，其特征在于，所述贵金属为金。
6.根据权利要求5所述的4H-碳化硅复合贵金属薄膜，其特征在于，所述4H-碳化硅和贵金属薄膜层之间淀积有一层镍。
7.一种4H-碳化硅复合贵金属薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将低掺杂n型4H-碳化硅预刻蚀样品固定于匀胶机托盘上，样品Si面朝上，通过匀胶机旋涂正性光刻胶；
步骤2：将步骤1得到的产品放置在烘胶台上软烘，样品Si面朝上，烘胶台加热温度100℃，烘胶时间3～5分钟；
步骤3：用光刻机对步骤2得到的产品进行紫外曝光，将掩膜版上的周期性圆形阵列微图案转移到样品光刻胶上，曝光时间60s，且掩膜版上的周期性圆形阵列微图案的圆形直径8μm，相邻圆心间距18μm；
步骤4：将样品浸泡在显影液中显影，显影时间24s，其中浸泡12s，在显影液 中轻微抖动样品12s，然后立刻取出样品用去离子水冲净，用N2吹干；
步骤5：用磁控溅射的方法在步骤4得到的产品的同一面沉积约20nm厚的金属镍，功率75W，溅射时间720s，工作气压为在Ar气氛围中0.35Pa；
步骤6：用磁控溅射的方法在步骤5得到的产品的同一面再沉积约100nm厚的金，功率75W，溅射时间1200s，工作气压为在Ar气氛围中0.35Pa；
步骤7：将样品浸泡于丙酮溶液中，使用超声池进行超声波清洗剥离剩余的光刻胶，直至样品表面图案完全出现；
步骤8：取出样品将其浸泡在无水乙醇溶液中5min，然后用去离子水冲净，用N2吹干，即获得所述的4H-碳化硅复合贵金属薄膜。
8.根据权利要求7所述的4H-碳化硅复合贵金属薄膜的制备方法，其特征在于，
步骤1中的低掺杂n型4H-碳化硅预刻蚀样品，通过以下方法制备得到：将晶圆尺寸为100cm2，偏4°切割，双面抛光，清洗后得到并经预刻蚀，样品由晶圆片切割成1.5cm×1.5cm方形片，再经过5%氢氟酸水溶液浸泡除去表面氧化层。
9.根据权利要求8所述的4H-碳化硅复合贵金属薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤7中超声波清洗的超声频率大于75KHz。