1.一种半导体镀膜设备真空腔用管路截断方法，其特征在于：该方法中所涉及的半导体镀膜设备真空腔的整套真空环境由刻蚀系统通过法兰与管路连接，管路的两侧在靠近喷淋板和反应腔的一端安装通止阀，反应腔与抽气管路连接，抽气管路同时与真空泵相连，整个系统由真空泵提供真空环境，由两个通止阀的开关控制真空环境容积的变化和保护管路与刻蚀系统。