技术特征：
技术总结
本发明提供了一种半导体硅片的研磨方法，采用双面研磨工艺，通过选择合适的磨盘、研磨液、研磨压力及研磨转速等工艺参数，获得的硅研磨片表面无刀痕、鸦爪、划伤、裂纹等，表面光洁度良好；表面机械加工精度：TTV≤1um，SFQR≤50nm，Ra≤100nm。另外，本发明使用了陶瓷盘代替铸铁盘，减少了金属离子的引入，可减少硅片的后续加工量，缩短了后续工序（腐蚀）时间，提高了生产效率，而且减少了硅片加工的损耗，提高了硅片的利用率。
技术研发人员：李显元;沈思情;宋洪伟
受保护的技术使用者：上海超硅半导体有限公司
技术研发日：2015.12.24
技术公布日：2017.07.04