适应回馈抛光控制的方法与流程

本发明关于一种化学机械抛光(cmp)的工艺，尤其是一种方法，包含监控多个基板上的环型区域的薄膜厚度以及于cmp工艺中调整固定环压力与背侧压力的其中的一或两者，使得完成cmp工艺时，各环型区域的清理时间概略最小化，来使基板上的薄膜的均匀度优化。

背景技术：

cmp为通过化学与机械力的应用来将基板上不必要的导体或是介电材料去除的工艺，举例来说，于镶嵌工艺过程中，譬如为铜的金属沉积于介电层的开口，然而，过量的沉积金属必须连同部分的介电材料一同去除，来使得介电层之上表面与新的金属层之上表面共平面。

cmp工具一般包含有供抛光垫固定的具有可转动平台的抛光站，基板包含具有一个或是一个以上要进行平面化的层的前侧，并于安装或取下过程中通过真空、与抛光过程中通过固定环来固定于头部件的背侧，于基板前侧接触于抛光垫后，会导入包含有譬如水性碱或水性酸的化学成份以及研磨颗粒的泥浆。当研磨垫以一个方向转动时，一般基板会以相同方向转动，而泥浆会有效率地蚀刻并研磨掉基板的部分的最上层或多层，于抛光循环中，来自光学侦测系统的截止点信号会实时或脱机分析，来决定抛光循环的停止，此外，度量衡测量也可于循环停止时，用来指出每一晶圆非均匀的薄膜厚度，而可于后续抛光循环中用来调整抛光工艺。

于部分例子中，cmp工艺需要第二次抛光循环，晶圆会重新安装于cmp工具上，并使用初始抛光循环的不均匀厚度数据来决定第二次抛光工艺施加于晶圆的背压，来改善最终厚度的不均匀性，有时第二次抛光会因为初始抛光后的最终厚度的限制而无法施行；换句话说，因为较薄区域的厚度已经达到最小厚度规格，而使得进一步针对基板较厚区域的抛光无法实现，因此，cmp工艺中针对单一抛光循环的压力调整是有其必要性，来使不同周期区域于抛光程序停止后的清理时间最小化，而能降低工艺时间并增进基板的薄膜厚度的均匀性，进而改善产品合格率。

技术实现要素：

本发明的一个目的在于提供一种cmp抛光方法，其中于抛光工艺中压力调整作用于cmp头部件以及/或固定环，使得单一抛光循环即可达成足够可接受的薄膜厚度均匀性。

本发明的第二目的在于提供一种根据第一目的的方法，其相对于原本没有执行压力调整的方法并不会延长抛光工艺的时间。

前述目的可根据实施例的cmp工艺来加以达成，其中于抛光工艺中，来自光学终点窗口的入射光会于晶圆的前侧下方移动，然后通过介电层而由相邻于金属层且待平面化的金属蚀刻截止层反射，由蚀刻截止层与介电层的反射光会形成干涉信号，并由定位于抛光垫与压盘下方的传感器来收集。于cpm工艺中，介电层与相邻金属层会受到泥浆与垫的研磨动作而变薄，并且部分由泥浆中的化学成份来蚀刻，抛光所产生平坦表面，其中金属层会变成与其中一个或两个介电层以及蚀刻截止层共面；于抛光工艺中，由位于两个或以上基板的环状区域上的蚀刻截止层与介电层反射的光干涉信号会被至少称为c3delta量测来予以获得。举例来说，于时间t1，由外缘环状区域的光干涉信号会被侦测并由连结到侦测器与cmp控制器的计算机(cpu)来分析，光干涉信号会被用来计算相位差，并可转换为介电层于此光线原本反射的环状区域的范围的厚度，相似地，于时间t2，由中央环状区域的第二光干涉信号会被侦测并由cpu来分析并转换为介电层于此区域的厚度，此外，第三光干涉信号会于时间t3由中央与外缘中间的环状区域来获得。

于一个实施例中，当t1＝t2，介电层于中央与外缘区域的厚度差(凹陷差异)会转化为预先清理时间差异(c3delta)，假设初始抛光状态会持续到时间tf的程序终止而通常位于基板中央与靠近边缘的介电层的第一部分会于蚀刻截止层上方被清除，清理时间定义为当来自蚀刻截止层入射的反射光干涉信号指出蚀刻截止层上方的介电材料于基板上的特定区域被完全去除后的实际终止点。预先清理时间系为预估一个环状区域的清理时间，其基于c3delta量测过程所侦测的光干涉信号，较佳者为发生在靠近抛光循环的中点，举例来说，假如总工艺时间约为70秒，c3delta量测可于起始抛光循环后的20-50秒之间执行，时间t1可选择性地超前t2、或时间t2可选择性地超前t1为1或2秒，较佳者，当来自于至少两不同环状区域的光信号相位相异时的区间来收集光干涉信号，然后通过传感器收集的光强度信号则输入于cpu。

cpu具有专用软件来计算固定环于基板背侧(cmp头部件)的压力调整，其基于计算来自传感器的光干涉信号的凹陷差异，一般来说，凹陷差异是就预先清理时间差异(秒)来说，其可通过查表来根据c3delta量测大小来获得特定压力调整。如同前面描述，位于任两个环状区域之间可加以执行c3delta，而于相同抛光循环中执行cmp压力调整，然而，中央与边缘环状区域之间的预先清理时间通常会比其他任两个环状区域之间来得大，因此，对应于所侦测到最大的预先清理时间差异的cmp压力调整，相对于抛光循环的停止时的厚度不均匀性最小化而言，能提供最大的优点。压力调整会回馈至cmp控制器，并触发于时间ta的压力调整，其可能伴随于反射光干涉信号收集的t1与t2之后数毫秒。

于ta与最终工艺时间tf之间，会施加压力调整，使得整个工艺时间并不会由原本的tf目标增加，中央至边缘金属厚度变化相对于现有压力值一直持续整个工艺且并未于第二次抛光循环前施加来说能够最小化。

于第二实施例中，单一抛光循环包含有两次不同时间的压力调整，第一次压力调整执行于近似第一实施例ta的时间tp1，因此，第二套反射光干涉量测会于时间tp1之后的时间t4、t5来收集，举例来说，来自外缘环状区域的反射光干涉信号会于时间t4被分析，而来自中央环状区域的反射光干涉信号会于时间t5被分析，其中t4＝t5、或t4与t5较佳者发生于两秒的内，来自两环状区域的光干涉信号仅稍微不同相位；因此，第二压力调整会通过cpu计算，并回馈至cmp控制器，其中一个或两个固定环与cmp头部件会由时间tp2置最终循环时间终点tf之间来施加第二压力调整。

附图说明

图1a为镶嵌结构的剖面图，其中金属层系于cmp工艺前形成于介电层内。

图1b为镶嵌结构的剖面图，其系绘示由图1a经过cmp工艺来平面化其上表面。

图2为根据本发明的一个实施例的镶嵌结构示意图，显示如何由反射光由蚀刻截止层与介电层来建立相位差。

图3为位移平均示意图，显示根据发明人利用现有工艺所产生的位于基板的中央与外缘区域的预先清理时间差。

图4a为根据本发明的一个实施例的步骤流程示意图，其中于单一工艺循环中cmp压力调整系对应于预先清理时间量测来进行。

图4b为根据本发明的另一个实施例的步骤流程示意图，其中于单一工艺循环中超过一个的cmp压力调整系对应于一组预先清理时间量测来进行。

图5绘示为时间线示意图，其中光强度量测是于cmp工艺中获得，预先清理时间针对两个或以上的环状区域来计算，并使用来进行压力调整以增进单一工艺循环的薄膜均匀度。

图6为根据本发明的一个实施例的查表的范例图，其用来决定cmp单一抛光循魂的压力调整。

图7为根据本发明的一个实施例的cmp工具配置的剖面示意图，其中来自于位于抛光垫下方的传感器的光强度读数馈送入cpu、计算预先清理时间、然后一个或是一个以上压力调整输入于cmp工具来调整于基板上的多个压力带的其中一个或是两个的固定环压力与cmp头部件压力。

图8为根据本发明的第二实施例的查表的范例图，其用来决定cmp单一抛光循魂的压力调整。

图9绘示使用晶圆配置来获得原子力显微镜(afm)量测，以决定完成抛光循环后的凹陷均匀度。

图10a绘示针对各种不同c3delta时间由扫描式电子显微镜量测的晶圆中央与边缘的凹陷差异(非均匀度)示意图，其表示纪录一个工艺，以及图10b为图10a的凹陷差异数据作为晶圆抛光日期来加以绘示。

图11a绘示针对各种不同c3delta时间由sem量测的晶圆中央与边缘的凹陷差异(非均匀度)示意图，其表示纪录一个工艺，以及图11b为图11a的凹陷差异数据作为晶圆抛光日期来加以绘示。

图12绘示纪录抛光工艺的多个晶圆的中央与边缘的阻抗差异示意图。

图13绘示根据本发明的适应性终点(aep)控制方法实现后的晶圆的中央与边缘的阻抗差异示意图。

图14为一窗体，其显示中央至边缘间的平均凹陷差异、平均阻抗差异以及纪录过程与aep控制方法的阻抗差异标准偏差。

具体实施方式

本发明为一种适应回馈控制方法，也称为适应终点控制方法，用以使单一抛光循环的薄膜不均匀度最小化，而能免去第二次抛光循环，其中『晶圆』与『基板』名称可予以互换，cmp适应回馈控制方法在此定义可施加于6、8、12寸或是其他尺寸基板，并于中央处理器(cup)上以专有软件来加以驱动。

本发明目前实现于将形成于一个或是一个以上介电层的金属层予以平面化的cmp工艺，金属层可以是譬如通过镶嵌工艺的mram上的位线或是字符线、或位于磁性隧穿接合(mtj)上的覆盖层，其可理解金属层并不限定为铜，也可以是其他本领域使用的金属或合金。尽管包含反射光干涉测量的现有终点侦测系统一般可以于抛光循环中，用来监控基板的数个位置介电薄膜的厚度，但是于抛光循环中，其并没有施加于基板被侧的压力的调整或环绕于基板的固定环。反而其中一个或两个afm以及扫描式电子显微镜(sem)测量会于抛光循环完成后来施行，用来监控每一批基板的薄膜厚度的均匀性，并计算前次平面化基板要施加第二次抛光循环、或是等待平面化的另一基板的第一次抛光循环的压力调整。

请参阅图3，绘示cmp工艺的图表，其纪录多个基板的中央与边缘的清理时间的差异，其中每一多个点60代表一个披次，执行平均时间线61编汇数周。于本例子中，于数个每一包含有25晶圆的披次后，中央至边缘的清理时间平均差异为2.8秒，此结果可程序化入cmp控制器内，来调整接续披次的压力状况，以求降低单一抛光循环后的中央至边缘薄膜厚度的非均匀度，然而，如图3所绘示，纵使对应每一个清理时间执行平均差异的压力状况，其仍旧会于每一个披次之间具有概略的不均匀度。因此需要一种能实时修正的方法，能概略使单一抛光循环内的基板的不均匀度最小化，并降低披次与披次(晶圆与晶圆)间的不均匀度。

请参阅图1a，绘示镶嵌步骤流程的中间步骤，其中基板10包含具有多个金属与介电层的子层，第一层间介电层(ild)11通过氧化铝或类似材料形成于基板，且具有以侧墙11s为边界的开口。金属层12可为字符线或位线并充填于侧墙11s之间的开口，并延伸高于第一ild一定距离e，蚀刻截止层13接触于第一ild的上表面，其可通过钌或是其他具化学与机械蚀刻阻抗的金属或合金，其概略超出于使用于第二ild14的譬如氧化铝等介电材料。通常第二ild系顺应沉积下来，使得上表面14t2形成于高于金属层12大概距离d，上表面14t1则高于蚀刻截止层13相邻于金属侧墙12s距离d，其中d大于e。

于图1b中，其绘示图1a的cmp工艺完成后的镶嵌结构，较佳者，部分位于蚀刻截止层13上的金属层12与第二ild14会被去除，而会留下与位于侧墙11s间的金属层之上表面12t共平面的蚀刻截止层上表面13t。金属层具有整个晶圆的均匀厚度是非常重要，而能提供整个晶圆均匀的阻抗值，一般多个平行金属层(图中未示)形成于第一ild11内，但为求简化，图式中仅绘示一个金属层，因此，额外的金属层与介电层(图中未示)会于镶嵌结构上形成于金属层12之上来形成金属层之间的内连接。

请参阅图2，终点感测系统操作来自光源(图中未示)的多个入射光信号20a、20b，其分别反射于蚀刻截止层13与第二ild14，反射光信号会形成干涉图样20c，而由传感器(图中未示)来撷取，并用来计算相位差21来指出位于蚀刻截止层13之上、具有上表面14t1区域的第二ild的厚度。

图4a绘示本发明的第一实施例的步骤流程图，于步骤100，在cmp工艺的抛光循环的第一部分从基板移除材料，会通过如同前述的光学终点感测系统来监控，光学系统包含提供入射光至基板表面的光源、与撷取来自介电层与蚀刻截止层以干涉信号型式的反射光的传感器。于步骤101，来自于至少两个环状区域的反射光干涉信号的光强度数据，会被输入cpu来计算至少两环状区域的预先清理时间；然后于步骤102，cpu会计算两可为中央环状区域与外缘(边缘)环状区域的环状区域的凹陷差异(不均匀度)，接着预先清理非均匀度数据会被用来产生回馈信号至步骤103的cmp控制器，于步骤104，回馈信号触发其中一个或两个的固定环压力与cmp头部件压力的压力调整，然后予以施加直到完成整个抛光循环，步骤105。

根据绘示于图4b的第二实施例，除了施加的压力调整不一定维持的外，第一实施例的初始五个步骤100-104皆予以维持，反而于最终步骤105的前，执行步骤106-107或106-108，步骤106包含收集第一次压力调整之后的第二套反射光干涉信号、当基板上的至少两环状区域之间的第二套预先清理时间数据被计算时，输入光强度信号至cpu；因此，于步骤107，cpu决定是否进行第二次压力调整能有利地提供于抛光循环截止的至少两环状区域间的最小化清理时间，如果为否，当抛光循环停止时，则现形抛光状态会持续直到步骤105；如果为是，会插入步骤108，其包含回馈第二压力调整至cpu控制器与调整至少一个cmp头部件压力与固定环压力，直到于步骤105的抛光循环停止。其中步骤100可能需要约两秒时间，而步骤101-103的cpu处理时间则一般约几毫秒内完成，同样的，步骤104可能发生于1秒内，其意味着整个本发明的适应回馈控制方法可予以实现，而不会对整个抛光时间有显著影响。于部分实施例，发明人可以在现有抛光循环没有计算或施加实时压力调整时，将步骤100-105或100-108可予以同时执行。

第一实施例绘示于图5的图形表示适应回馈控制方法也称为适应终点(aep)控制方法的各步骤的时间线，图形左侧(垂直轴)表示单一抛光循环的时间线，起始于ts而终止于tf，其中后者可能为于开始后的60至500秒，水平轴表示由基板表面反射的光强度。曲线50对应基板的中央环状区域的反射光干涉信号的光强度，曲线51对应基板的边缘与中央环状区域之间的环状区域的反射光干涉信号的光强度，而曲线52对应外围第n个环状区域的反射光干涉信号的光强度，外围环状区域具有较大的信号强度，因其具有较大的区域而会有较多的光线于此环状区域反射。所有三条曲线都具有最大与最小点，但其相互之间并异步，举例来说，曲线51、50、52的概略最小光强度分别发生于时间t3、t2、t1，较佳者，接续压力调整会于时间t1-t3对应的反射光干涉信号来计算，其光强度曲线相互并非完全同步。

于时间t1，来自外缘环状区域的第一反射光干涉信号会由传感器(图中未示)接收并输入于cpu，并且来自中央环状区域的第二反射光干涉信号会于时间t2接收、来自中间环状区域的第三反射光干涉信号会于时间t3接收然后传送到cpu，其会使用软件程序来将其相位差(见图2)转化为每一环状区域的介电层厚度，图1a中于时间ts的厚度d会逐渐变小直到于时间tf的0为止(见图1b)。于任何两个环状区域在抛光循环过程中任何时间的厚度不均匀度系称为凹陷差异，接着，会计算至少两不同环状区域的预清理时间c3delta差异，举例来说，外缘与中央环状区域的凹陷差异分别由时间t1、t2的光强度来决定，然后通过cpu转换为假定现有抛光状况持续到时间tf的预估清理时间的差异。对应于许多不同预先清理时间差异的具有指定基板背侧(cmp头部件)压力与固定环压力调整的表(表1)用来决定cmp控制器(图中未示)的适当回馈数据。

图6为对应于一个实施例的表1的放大示意图，此表具有九列而对应于九个预先清理时间差异，由-4单元至+4单元(第1行)变化于中央至外缘环状区域之间来予以简化图式。第1行中负的预先清理时间差异意味着介电层14(见图1a)于清理外缘环状区域前，会先清理基板的中央环状区域，实际执行上，表1可能具有概略较大的列数与以0.1-0.01单位来增加的预先清理时间，其中一个单位可能为1秒或是几分的一秒。中间行表明为cmp头部件压力调整，相对于起始压力并以psi为单位，以第1列为例，-0.4单位的预先清理时间差异触发cmp头部件的压力消对于起始部件压力(mp)降低-x1psi，相同的，-4单位的预先清理时间差异导引固定环压力(rrp)对应于时间ts的rrp值下降-y1psi。

mp调整于x1直到x8psi的单元来提供，而rrp调整列于y1直到y8，其中任一压力调整可能为0，每一xn与yn值可能为0.01至1的大小，其中n举例来说可能为1-8，而于其他实施例则可能为较大数。于具有n列的表1的其他实施例，其具有xn个不同且可能包含0的mppsi调整以及yn个不同且可能包含0的rrppsi调整；且表1中部分列的cmp头部件压力与rrp调整不尽然会一直相同方向(-代表减少或+代表增加)，其可能为(-xn)mp调整对应于0、(-yn)、或+ynrrp调整、或0、或+xnmp调整对应0、(-yn)、或+ynrrp调整。

rrp的降低会引起固定环位于晶圆边缘的抛光垫上压力的降低，其会引起邻近基板的外缘环状区域的抛光垫的回弹，然后又会引起位于外缘环状区域材料去除率的增强，但又不会明显冲击中央环状区域材料的去除率，cmp头部件压力(mp)与施加在位于cmp头内的基板背侧的压力有关，因此，mp压力的增加会有效地使基板前侧以增加的材料去除率来抛光，部分cmp工具中，仅有一个cmp头部件区域，因此mp的改变会实质上均匀地施加于整个基板。

绘示于图7的另一实施例，在抛光循环中，基板10的背侧10b的部件48上具有超过一个压力区域，于实施范例中，四个环状压力区域z1-z4绘示于基板背侧的同心环，z4位于中央、z1位于最外缘、z2相邻于z1、z3相邻于z4，于此例子中，部件上的四个环状压力区域重迭于位于基板前侧10f的环状区域a1-a4，其中a4系为中心环状区域、a1为外缘环状区域、a2为第一中间环状区域并对齐于区域z2的下，然后a3为第二中间环状区域并对齐于区域z3的下。因此，每一区域的半径基本上等同于对应前侧环状区域，举例来说，环状区域a1与z1具有环半径c1、c2为环状区域a2与z2的半径、c3为环状区域a3与z3的半径、c4为环状区域a4与z4的半径。

包含有光源与传感器的光学系统30于cmp工艺中定位于抛光垫31与基板10的下，其中泥浆34会被导入抛光垫与基板前侧10f之间，光源透过不断地于基板下方移动的光学窗(图中未示)来射出光线，光学系统可于小于1秒的时间内提供入射光20a、20b至所有的环状区域a1-a4，并据此收集反射光干涉信号20c。

根据一个实施例，光干涉信号20c4来自于中央环状区域，光干涉信号20c1来自外缘环状区域，并分别于时间t5、t6获得，然后输入于cpu35，前面所描述的预先清理时间(c3delta)会针对位于基板前侧的环状区域a1、a4来计算，图4a的流程图可供决定压力调整来传送至cmp控制器36。于一些实施例中，cpu与cmp控制器为同一个装置而非分离的单元，假使环状区域a4比环状区域a1更快变薄，则会实施压力调整来增加环状区域a1相对于环状区域a4的变薄率，相反地，如果环状区域a1比环状区域a4更快变薄，则会实施压力调整来增加环状区域a4相对于环状区域a1的变薄率。

于时间tp1施作的第一压力调整包含其中一个或两个于基板边缘的固定环的压力调整40以及基板背侧的cmp头部件压力调整，较佳者，背侧压力调整包含于背侧区域z1的mp调整41、于背侧区域z2的mp调整42、于背侧区域z3的mp调整43、于背侧区域z4的mp调整44，其系维持直到抛光循环于时间tf的截止。以本例子中，表2具有对应于每一部件区域的压力调整行，其中x1-x8值施加于区域z1、v1-v8值施加于区域z2、w1-w8值施加于区域z3、z1-z8值施加于区域z4，与第一实施例相似，每一个正或负的cmp头部件压力调整的绝对值可能由0.01-1psi，进一步来说，于其他具有n列表2的实施例中，n可能概略大于9、同一列的一个或一个以上的vn、wn、xn、yn、zn值可能为0、负数或是正数。

于另一实施例，当预先清理时间于仅由基板的n个环状区域中的两个环状区域来计算，然后cmp头部件压力调整可能仅施作于两个对位于预先清理时间差异被计算的两个环状区域的mp区域；举例来说，当预先清理时间差异由环状区域a1与a4计算时，前述实施例的背侧压力调整可更改为仅针对区域z1与z4进行压力调整，而区域z2与z3维持初始mp值，因此，仅施加值x1-x8于区域z1、施加值z1-z8于区域z4，所有的v1-v8值以及所有的w1-w8值都不施加来进行cmp头部件压力调整。

于遵循图4b的流程图与图7的时间线的又一实施例，第二套反射光干涉信号于rrp调整40与mp调整41-44施加之后的若干时间被收集，举例来说，步骤106包含于时间t7收集第二光干涉信号20c4以及于时间t8收集第二光干涉信号20c1，并假定施加于mp以及rrp的第一压力调整维持直到抛光循环结束来决定第二预先清理时间差异，当于步骤107，cpu35决定改善厚度均匀性而施加第二套mp以及rrp压力调整，如图4b的步骤108所表示，一个或是一个以上的mp与rrp会于点tp2进行第二次调整，于此例子中，表2会被用来决定于时间tp2的第二次mp与rrp调整的大小。

本发明也可预期获得第二套反射光干涉信号以及于绘示在图5的第一实施例中，在时间ta之后施加第二压力调整于其中一个或是两个固定环压力与cmp头部件压力，进一步而言，假如抛光循环系为较大的时间，譬如大于70秒，本发明也包含一个实施例，其中超过两个预先清理时间差异会于抛光循环中的不同时间被侦测，于每一个预先清理时间差异计算后进行压力调整，并通过查表来决定压力调整。

本发明也包含一个实施例，其中一个以上的反射光干涉信号会于预先清理时间差异的决定，来由每一环状区域收集，图9所会是范例，其中反射光干涉资料会由圆形基板6的外缘环状区域的不同范围1、4、5收集，相位差21(见图2)由三个范围中的每一个来获得，并转换为薄膜厚度量测。三个厚度量测的平均值会转化为针对外缘环状区域的预先清理时间，相似地，两个厚度量测也会由来自中央环状区域的范围2、3的反射光干涉数据来衍生，传感器可以于不到1秒的时间内由所有五个范围收集到光强度数据，较佳者为低于200毫秒。范围2、3的平均厚度使用于中央环状区域的预先清理时间的计算，然后查询相似于表1的表，并根据中央与外缘环状区域的预先清理时间差异来计算其中一个或是两个的固定环以及cmp头部件的压力调整。

为了证实通过实现在此描述的cmp适应终点方法于厚度均匀性的改善，针对完成图5描绘的单一抛光循环的多个晶圆进行sem量测，其中仅有一个对应于中央环状区域以及边缘环状区域之间的预先清理时间的压力调整被实行，接着绘示的x轴值为对应于图5于整个秒数(-2,-1,0,+1,or+2)的时间差异t1-t2，因此t1可能与t2相同时间或是早1或2秒、或晚1或2秒发生。于图11a的来自aep控制方法的结果比较于图10a的数据，其由在相同抛光工艺中没有压力校正，其中预先清理时间差异由两个环状区域来计算。

图10a与图11a显示凹陷差异(厚度不均匀性)，其以中央与边缘环状区域针对各种c3delta时间来以微米计算，本发明aep控制方法的优点可以清楚展示于图11a数据，其比图10a的结过更紧密地群聚于零不均匀性的y轴目标值。

图10b与图11b分别为图10a与图11a资料的另一种视图，特别是根据每一基板的资料的非均匀性的结果，每一图中最早的资料位于左侧而最晚的资料位于右侧。

如同前面描述，使整个基板以及一个基板至另一个(晶圆至晶圆)的金属层的阻抗均匀度最小化也是非常重要的，由于阻抗与金属层的厚度有相关，厚度不均匀度(凹陷差异)的值愈小，中央与环状区域的阻抗差异愈小。对照于第13与12图，显示aep控制方法于阻抗不均匀度最小化的优点，图13中来自aep控制方法的点相对于表示由发明人实施的纪录过程(por)的cmp的数据点，更为靠近围绕于目标y轴0值。

图14显示本发明提供的aep控制方法于cmp工艺优点的摘录表，晶圆至晶圆(wtw)的凹陷差异由第2列的0.006微米(por平均)降低至第4列的2-0.005微米(aep平均)，约为20％的改善，此外，wtw阻抗不均匀度与标准偏差都下降，特别是当实施aep控制方法使阻抗差与标准偏差分别改良26％与16％，其por阻抗差由1.805+/-0.369奥姆变成1.328+/-0.312奥姆，如表内最下列所指出通过aep控制方法于晶圆内均匀度(wiw)的阻抗差与标准偏差的改良也可明显看出。

以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离以下所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改，变化，或等效，但都将落入本发明的保护范围内。