本发明涉及半导体材料的贵金属电镀领域，具体是指一种钼铜复合材料制成的电触头的镀铑工艺。
背景技术：
在电触头表面涂覆保护膜的优点日益为人们重视起来，若能在电触头表面镀铑可在电触头表面形成一薄层防止电触头氧化的薄膜，镀铑层具有较低的接触电阻以及较强的抗腐蚀性，可以保证电触头在使用过程中保持良好且稳定的工作性能。
但是，一方面，电触头总体体积较小，对电触头进行电镀处理其工件均匀稳定导电是需要攻克的一个难题；另一方面，钼铜复合材料表面光滑，镀铑层与钼铜复合材料的结合力是需要攻克的又一难题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种钼铜复合材料制成的电触头的镀铑工艺，对于体积小且采用钼铜复合材料制成的电触头，采用化学镀铑的方式，在电触头表面涂覆金属铑，工艺简单、镀层分布均匀且结合力好。
本发明通过下述技术方案实现：一种钼铜复合材料制成的电触头的镀铑工艺，用于钼铜复合材料制成的电触头其表面镀铑，将电触头放入镀篮中依次进行以下步骤：
步骤一：化学脱脂；
步骤二：除垢处理；
步骤三：活化处理；
步骤四：化学闪镀镍；
步骤五：化学镀铑。
进一步的，为更好的实现本发明，所述步骤六中化学镀铑具体是指：将装有电触头的镀篮放入镀铑液中并不断晃动镀篮，完全没入镀铑液中的电触头在镀铑液中进行化学镀3-20min。
进一步的，为更好的实现本发明，所述镀铑液主要由铑盐、螯合剂、还原剂、稳定剂、pH调节剂配制而成，其中铑离子的质量浓度为1-3g/L，pH值为1-2。
进一步的，为更好的实现本发明，所述铑盐为硫酸铑；所述螯合剂为柠檬酸、酒石酸、葡萄糖酸钠、羟基乙酸中的任一种；所述还原剂为硼酸钠；所述pH调节剂为氢氧化钠。
进一步的，为更好的实现本发明，所述稳定剂为羟胺硫酸氢盐或氨基磺酸盐。
进一步的，为更好的实现本发明，所述化学脱脂具体是指将电触头浸没在40-60℃的脱脂液中并持续摇晃3-8min；所述脱脂液配方为：氢氧化钠95-105g/L，磷酸三钠6-8g/L，碳酸钠8-12g/L，十二烷基磺酸钠0.4-0.6g/L，柠檬酸钠0.4-0.6g/L。
进一步的，为更好的实现本发明，所述除垢处理具体是指采用80-120g/L重铬酸钾与60-100g/L硫酸的除垢溶液对电触头进行反复浸泡、冲洗至电触头表面的杂质完全脱落，然后进行除垢后清洗。
进一步的，为更好的实现本发明，所述除垢后清洗具体是指电触头经过除垢溶液进行表面除杂之后，依次进入三道去离子水中摆动清洗，每道去离子水中浸泡1-4min。
进一步的，为更好的实现本发明，所述活化处理具体是指采用质量分数为5-10%的稀硫酸溶液浸泡2-4min。
进一步的，为更好的实现本发明，所述化学闪镀镍具体是指对活化处理后的电触头进行化学镀镍，镀镍层的厚度为0.2-0.5um。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
（1）本发明采用电镀铑前预镀镍的工艺，使镀铑层通过预镀镍层与钼基片结合，不仅具有良好的抗氧化性，而且具有良好的结合力；
（2）本发明中预镀镍步骤在钼基片上预先电镀一层薄镍，既解决了结合力的问题，又不影响钼基片的平面度；
（3）本发明中预镀镍步骤所用化学原料较为常见，成本低廉，有利于成本控制。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1：
本实施例的一种钼铜复合材料制成的电触头的镀铑工艺，用于钼铜复合材料制成的电触头其表面镀铑，将电触头放入镀篮中依次进行以下步骤：
步骤一：化学脱脂；
步骤二：除垢处理；
步骤三：活化处理；
步骤四：化学闪镀镍；
步骤五：化学镀铑。
实施例2：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述步骤六中化学镀铑具体是指：将装有电触头的镀篮放入镀铑液中并不断晃动镀篮，完全没入镀铑液中的电触头在镀铑液中进行化学镀3-20min。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例3：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述镀铑液主要由铑盐、螯合剂、还原剂、稳定剂、pH调节剂配制而成，其中铑离子的质量浓度为1-3g/L，pH值为1-2。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例4：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述铑盐为硫酸铑；所述螯合剂为柠檬酸、酒石酸、葡萄糖酸钠、羟基乙酸中的任一种；所述还原剂为硼酸钠；所述pH调节剂为氢氧化钠。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例5：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述稳定剂为羟胺硫酸氢盐或氨基磺酸盐。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例6：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述化学脱脂具体是指将电触头浸没在40-60℃的脱脂液中并持续摇晃3-8min；所述脱脂液配方为：氢氧化钠95-105g/L，磷酸三钠6-8g/L，碳酸钠8-12g/L，十二烷基磺酸钠0.4-0.6g/L，柠檬酸钠0.4-0.6g/L。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例7：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述除垢处理具体是指采用80-120g/L重铬酸钾与60-100g/L硫酸的除垢溶液对电触头进行反复浸泡、冲洗至电触头表面的杂质完全脱落，然后进行除垢后清洗。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例8：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述除垢后清洗具体是指电触头经过除垢溶液进行表面除杂之后，依次进入三道去离子水中摆动清洗，每道去离子水中浸泡1-4min。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例9：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述活化处理具体是指采用质量分数为5-10%的稀硫酸溶液浸泡2-4min。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例10：
本实施例在上述实施例基础上做进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，所述化学闪镀镍具体是指对活化处理后的电触头进行化学镀镍，镀镍层的厚度为0.2-0.5um。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例11：
一种钼铜复合材料制成的电触头的镀铑工艺，用于钼铜复合材料制成的电触头其表面镀铑，将电触头放入镀篮中依次进行以下步骤：
步骤一：化学脱脂；具体是指将电触头浸没在40-60℃的脱脂液中并持续摇晃3-8min；所述脱脂液配方为：氢氧化钠95-105g/L，磷酸三钠6-8g/L，碳酸钠8-12g/L，十二烷基磺酸钠0.4-0.6g/L，柠檬酸钠0.4-0.6g/L。
步骤二：除垢处理；具体是指采用80-120g/L重铬酸钾与60-100g/L硫酸的除垢溶液对电触头进行反复浸泡、冲洗至电触头表面的杂质完全脱落，然后进行除垢后清洗。所述除垢后清洗具体是指电触头经过除垢溶液进行表面除杂之后，依次进入三道去离子水中摆动清洗，每道去离子水中浸泡1-4min。
步骤三：活化处理；具体是指采用质量分数为5-10%的稀硫酸溶液浸泡2-4min。
步骤四：化学闪镀镍；具体是指对活化处理后的电触头进行化学镀镍，镀镍层的厚度为0.2-0.5um。
步骤五：化学镀铑；具体是指：将装有电触头的镀篮放入镀铑液中并不断晃动镀篮，完全没入镀铑液中的电触头在镀铑液中进行化学镀3-20min。所述镀铑液主要由铑盐、螯合剂、还原剂、稳定剂、pH调节剂配制而成，其中铑离子的质量浓度为1-3g/L，pH值为1-2。所述铑盐为硫酸铑；所述螯合剂为柠檬酸、酒石酸、葡萄糖酸钠、羟基乙酸中的任一种；所述还原剂为硼酸钠；所述pH调节剂为氢氧化钠；所述稳定剂为羟胺硫酸氢盐或氨基磺酸盐。
本实施例的其他部分与上述实施例相同，故不再赘述。
实施例12：
一种钼铜复合材料制成的电触头的镀铑工艺，用于钼铜复合材料制成的电触头其表面镀铑，将电触头放入镀篮中依次进行以下步骤：
步骤一：化学脱脂；具体是指将电触头浸没在40-60℃的脱脂液中并持续摇晃3-8min；所述脱脂液配方为：氢氧化钠100g/L，磷酸三钠7g/L，碳酸钠10g/L，十二烷基磺酸钠0.5g/L，柠檬酸钠0.5g/L。
步骤二：除垢处理；具体是指采用100g/L重铬酸钾与75g/L硫酸的除垢溶液对电触头进行反复浸泡、冲洗至电触头表面的杂质完全脱落，然后进行除垢后清洗。所述除垢后清洗具体是指电触头经过除垢溶液进行表面除杂之后，依次进入三道去离子水中摆动清洗，每道去离子水中浸泡2min。
步骤三：活化处理；具体是指采用质量分数为5-10%的稀硫酸溶液浸泡2-4min。
步骤四：化学闪镀镍；具体是指对活化处理后的电触头进行化学镀镍，镀镍层的厚度为0.2-0.3um。
步骤五：化学镀铑；具体是指：将装有电触头的镀篮放入镀铑液中并不断晃动镀篮，完全没入镀铑液中的电触头在镀铑液中进行化学镀3-20min。所述镀铑液主要由铑盐、螯合剂、还原剂、稳定剂、pH调节剂配制而成，其中铑离子的质量浓度为2-2.2g/L，pH值为1-1.2。所述铑盐为硫酸铑；所述螯合剂为柠檬酸、酒石酸、葡萄糖酸钠、羟基乙酸中的任一种；所述还原剂为硼酸钠；所述pH调节剂为氢氧化钠；所述稳定剂为羟胺硫酸氢盐或氨基磺酸盐。
所述步骤五化学镀铑3-5min时，镀铑层厚度为0.01-0.03um；化学镀铑5-8min时，镀铑层厚度为0.03-0.07um；化学镀铑8-12min时，镀铑层厚度为0.07-0.12um；化学镀铑12-15min时，镀铑层厚度为0.12-0.16um；化学镀铑15-20min时，镀铑层厚度为0.16-0.21um。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本发明的保护范围之内。