本发明属于及LED封装技术领域，具体涉及一种铝合金材料及LED芯片用铝合金背板的制备方法。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode，简称为LED)，由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。
发光二极管是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。
当今LED白光产品被逐渐运用于各大领域投入使用，人们在感受其大功率LED白光带来的惊人快感同时也在担心其存在的种种实际问题！从大功率LED白光本身性质来说。大功率LED仍旧存在着发光均一性不佳、封闭材料的寿命不长尤其是其LED芯片散热问题很难得到很好的解决，而无法发挥白光LED被期待的应用优点。
为了延长LED芯片的使用寿命，通常需要将LED芯片封装在背板上，通过背板将LED芯片在使用过程中产生的热量散出。并且，为了提高背板的散热性能，通常采用导热性能好的金属或合金作为背板。通过将LED芯片背面与背板焊接，制成照明产品。
目前使用的背板的材料可以为铝、铝合金或者铜。然而铝的热传导性能差，其热传导率小于等于92W/m℃；铜的热传导性能虽然很好，但是采用铜做背板的缺点是变形大，成本高。
技术实现要素：
针对现有技术存在的不足之处，本发明提出了一种铝合金材料及LED芯片用铝合金背板的制备方法，该方法制备的LED芯片用铝合金背板材料，不仅热传导性能高，而且降低了LED芯片用背板的制备成本。
本发明采用如下技术方案：
一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原材料制备而成，所述铝合金原材料由以下成分组成，且各成分的重量百分比为：
Mg：3.0％-5.2％，Cu：1.2％-2.3％，Mn：0.8％-1.6％，Fe：0.6％-0.9％，Zn：1.1％-2.3％，La：0.15％-0.21％，Cr：0.1％-0.3％，Si：0.23％-0.35％，其余为Al。
进一步的，铝合金材料的热传导率为160-198W/m℃。
进一步的，铝合金材料还包括Nd：0.02％-0.11％。
进一步的，铝合金材料还包括Gd：0.08％-0.15％。
进一步的，铝合金材料中Mg：3.26％-5.11％。
进一步的，铝合金材料中Cu：1.36％-1.79％。
一种LED芯片用铝合金背板的制备方法，包括如下步骤，
配置铝合金原料，其中所述铝合金原料为权利要求1-6任一项所述；
将所述铝合金原料放入加热炉中进行加热熔化；
将所述熔化后的铝合金原料进行压铸成型，形成铝合金背板。
进一步的，铝合金材料的热传导率为160-198W/m℃。
本发明相对于现有技术，具有如下的优点：
1、本发明提出的新型铝合金材料，热传导性能高，散热性能好；
2、本发明提出的新型铝合金材料的热稳定性能好，受热后不易变形；
3、本发明提出的LED芯片用铝合金背板的制备方法采用压铸成型，材料利用率高，生产成本低。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原材料制备而成，所述铝合金原材料由以下成分组成，且各成分的重量百分比为：
Mg：3.0％-5.2％，Cu：1.2％-2.3％，Mn：0.8％-1.6％，Fe：0.6％-0.9％，Zn：1.1％-2.3％，La：0.15％-0.21％，Cr：0.1％-0.3％，Si：0.23％-0.35％，其余为Al。
实施例2
一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原材料制备而成，所述铝合金原材料由以下成分组成，且各成分的重量百分比为：
Mg：3.0％-5.2％，Cu：1.2％-2.3％，Mn：0.8％-1.6％，Fe：0.6％-0.9％，Zn：1.1％-2.3％，La：0.15％-0.21％，Cr：0.1％-0.3％，Si：0.23％-0.35％，Nd：0.02％-0.11％，其余为Al。
实施例3
一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原材料制备而成，所述铝合金原材料由以下成分组成，且各成分的重量百分比为：
Mg：3.0％-5.2％，Cu：1.2％-2.3％，Mn：0.8％-1.6％，Fe：0.6％-0.9％，Zn：1.1％-2.3％，La：0.15％-0.21％，Cr：0.1％-0.3％，Si：0.23％-0.35％，Gd：0.08％-0.15％，其余为Al。
实施例4
一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原材料制备而成，所述铝合金原材料由以下成分组成，且各成分的重量百分比为：
Mg：3.26％-5.11％，Cu：1.2％-2.3％，Mn：0.8％-1.6％，Fe：0.6％-0.9％，Zn：1.1％-2.3％，La：0.15％-0.21％，Cr：0.1％-0.3％，Si：0.23％-0.35％，Gd：0.08％-0.15％，其余为Al。
实施例5
一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原材料制备而成，所述铝合金原材料由以下成分组成，且各成分的重量百分比为：
Mg：3.26％-5.11％，Cu：1.36％-1.79％，Mn：0.8％-1.6％，Fe：0.6％-0.9％，Zn：1.1％-2.3％，La：0.15％-0.21％，Cr：0.1％-0.3％，Si：0.23％-0.35％，Nd：0.02％-0.11％，Gd：0.08％-0.15％，其余为Al。
实施例6
一种LED芯片用铝合金背板的制备方法，包括如下步骤，
配置铝合金原料，其中所述铝合金原料由以下成分组成，且各成分的重量百分比为：
Mg：3.0％-5.2％，Cu：1.2％-2.3％，Mn：0.8％-1.6％，Fe：0.6％-0.9％，Zn：1.1％-2.3％，La：0.15％-0.21％，Cr：0.1％-0.3％，Si：0.23％-0.35％，其余为Al；
将所述铝合金原料放入加热炉中进行加热熔化；
将所述熔化后的铝合金原料进行压铸成型，形成铝合金背板。
实施例7
一种LED芯片用铝合金背板的制备方法，包括如下步骤，
配置铝合金原料，其中所述铝合金原料由以下成分组成，且各成分的重量百分比为：
Mg：3.0％-5.2％，Cu：1.2％-2.3％，Mn：0.8％-1.6％，Fe：0.6％-0.9％，Zn：1.1％-2.3％，La：0.15％-0.21％，Cr：0.1％-0.3％，Si：0.23％-0.35％，Nd：0.02％-0.11％，Nd：0.02％-0.11％，其余为Al；
将所述铝合金原料放入加热炉中进行加热熔化；
将所述熔化后的铝合金原料进行压铸成型，形成铝合金背板；具体地，将所述熔化后的铝合金原料填充至背板压铸模具型腔，在压力下快速成型凝固，形成铝合金背板。由于压铸成型是直接对铝合金原料进行熔化后，使用背板压铸模具型腔对熔化后的铝合金原料进行压铸成型，从而提高了原料的利用率，降低了生产成本。
需要说明的是，该实施例所用铝合金材料的热传导率为160-198W/m℃。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。