1.一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：包括底座(1)和非标工作台(2)；
所述底座(1)上设有行程调节轴(3)，所述行程调节轴(3)上一侧活动连接有电机(4)，另一侧固定连接有箱体(5)；所述箱体(5)内设有转轴(6)，所述转轴(6)下端伸出所述箱体(5)连接有非标刀头(7)；所述箱体(5)一侧连接有进给操作手轮(8)；
所述非标工作台(2)固定在所述底座(1)上，且位置正对所述非标刀头(7)下端；所述非标工作台(2)中间活动连接有硅片吸盘(9)，所述硅片吸盘(9)周围依次间隔设置有若干非标定制入刀槽(10)和密封圈(11)。
2.根据权利要求1所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述非标工作台(2)与所述底座(1)之间设有若干立柱(12)，所述立柱(12)一端连接所述非标工作台(2)，另一端连接所述底座(1)。
3.根据权利要求1或2所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述硅片吸盘(9)与所述底座(1)之间设有弹性件(13)，所述弹性件(13)内部设有真空泵管(14)；所述真空泵管(14)一端连接所述硅片吸盘(9)。
4.根据权利要求3所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述硅片吸盘(9)位于所述非标工作台(2)台面的几何中心；所述硅片吸盘(9)为圆形，其直径为4-8cm。
5.根据权利要求3所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述弹性件(13)为弹簧。
6.根据权利要求1所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述非标定制入刀槽(10)和密封圈(11)的横截面形状均为环形； 所述非标定制入刀槽(10)横截面环形宽度大于所述密封圈(11)的横截面环形宽度；所述非标定制入刀槽(10)和密封圈(11)的数量均为5个。
7.根据权利要求1所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述非标刀头(7)横截面为圆形；所述非标刀头(7)下端正对所述硅片吸盘(9)，且两者间距为20-45cm；所述非标刀头(7)刀片表面镀有400号金刚砂，刀片厚度为0.2-0.5mm。
8.根据权利要求1所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述转轴(6)平行于所述行程调节轴(3)；所述非标工作台(2)横截面为圆形，其直径大于等于所述底座(1)宽度；所述非标工作台(2)的直径为20-30cm。
9.根据权利要求1所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述底座(1)上表面设有冷却液回收孔(15)；所述冷却液回收孔(15)位于所述非标工作台(2)和所述行程调节轴(3)之间；所述箱体(5)上面固定连接有保护罩(16)，所述保护罩(16)一侧外表面设有冷却水出口、真空泵开关(17)和电机开关(18)，所述冷却水出口连接有冷却水管(19)；所述保护罩(16)下面连接所述电机(4)。
10.根据权利要求9所述的一种新型半导体硅片割圆技术设备，其特征在于：所述冷却水管(19)末端连接有冷却水喷嘴，所述冷却水喷嘴紧邻所述非标刀头(7)。