1.一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，其特征在于：包括支架(1)、无头皮带(2)、主动轮(3)、从动轮(4)，所述主动轮(3)、从动轮(4)通过轴承固定在支架(1)上，所述无头皮带(2)绕过主动轮(3)、从动轮(4)并被主动轮(3)和从动轮(4)绷紧，所述支架(1)上连接有用于驱动主动轮(3)转动的驱动电机(5)，所述无头皮带(2)水平设置且在位于上层的无头皮带(2)和位于下层的无头皮带(2)之间设置有支撑平台(6)，所述支撑平台(6)通过支撑杆固定在支架(1)上，所述支撑平台(6)的上表面为光滑的平面，所述位于上层的无头皮带(2)与支撑平台(6)的上表面相接触，所述支撑平台(6)的两个端面为内凹的弧面，所述支撑平台(6)的上方设置有喷砂装置(7)，所述喷砂装置(7)包括导料管(701)、N个喷砂头(702)，N为偶数，所述导料管(701)的前端连接有料斗(703)，所述导料管(701)上连接气管(704)，所述气管(704)的一端连接有空气压缩机(705)，另一端为出气口且出气口与导料管(701)连通，所述气管(704)内的气体从出气口喷出时的方向与导料管(701)的中心轴线之间的夹角小于90°,所述气管(704)内气体的压力为0.05-0.1个标准大气压，所述N个喷砂头(702)沿无头皮带(2)的移动方向依次设置，砂从喷砂头(702)喷出后喷在无头皮带(2)上的区域为喷砂区域，所述相邻的两个喷砂头(702)在无头皮带(2)上的喷射区域无缝连接；
所述导料管(701)的末端连接有一个第一级喷砂管(706)，所述第一级喷砂管(706)的末端连接有两个第二级喷砂管(707)，一个第一级喷砂管(706)与两个第二级喷砂管(707)组成“人”字形结构，每个第二级喷砂管(707)末端连接有两个第三级喷砂管(708)，一个第二级喷砂管(707)与两个第三级喷砂管(708)组成“人”字形结构，依次类推，第三级喷砂管(708)的末端连接有第四级喷砂管(709)，第四级喷砂管(709)的末端连接有第五级喷砂管，…，第n-1级喷砂管的末端连接有第n级喷砂管，n≥2，第n级喷砂管的数量与喷砂头(702)的数量相同，每个第n级喷砂管的末端都与一个喷砂头(702)相连，并且第n-1级喷砂管的内径是第n级喷砂管内径的两倍；
所述支架(1)上设置有用于输送硅片的多个输送滚轮(8)，相邻的输送滚轮(8)之间通过传动机构相连，靠近从动轮(4)的输送滚轮(8)与从动轮(4)之间通过传动机构相连，所述无头皮带(2)、多个输送滚轮(8)沿位于上层的无头皮带(2)的运行方向依次设置，且每个输送滚轮(8)的最高位置与位于上层的无头皮带(2)的上表面位于同一水平面，所述输送滚轮(8)的上方设置有两个限位滚轮(9)，两个限位滚轮(9)与下方的其中两个相邻的输送滚轮(8)一一对应，限位滚轮(9)与输送滚轮(8)之前的间隙宽度与硅片的厚度相匹配，两个限位滚轮(9)之间以及与两个限位滚轮(9)对应的输送滚轮(8)之间均设置有气刀发生装置(10)，所述气刀发生装置(10)产生的气刀吹向限位滚轮(9)与输送滚轮(8)之间的硅片。
2.如权利要求1所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，其特征在于：所述主动轮(3)、从动轮(4)沿无头皮带(2)的运行方向依次设置，所述从动轮(4)的外侧下方设置有气刀发生装置(10)，所述气刀发生装置(10)的产生的气刀斜向上吹向无头皮带(2)。
3.如权利要求2所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，其特征在于：所述气刀发生装置(10)包括喷管(1001)，所述喷管(1001)的两端密封，所述喷管(1001)水平设置且垂直于无头皮带(2)的运行方向，所述喷管(1001)的表面沿轴向方向开有气刀缝隙(1002)，所述喷管(1001)上连接有进气管(1003)，进气管(1003)的另一端与空气压缩机(705)相连。
4.如权利要求3所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，其特征在于：所述气刀缝隙(1002)上连接有具有夹层空间的导流夹板(1004)，所述导流夹板(1004)与竖直方向的夹角大于0度且小于90度，所述气刀沿导流夹板(1004)的夹层空间喷出的方向与硅片的移动方向之前的夹角大于90度。
5.如权利要求4所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，其特征在于：所述料斗(703)位于输送滚轮(8)下方，且从动轮(4)位于料斗(703)上方。
6.如权利要求5所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，其特征在于：所述料斗(703)内设置有导料板(11)，所述导料板(11)的一端延伸至料斗(703)的出料口，一端延伸至料斗(703)边缘。
7.如权利要求6所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，其特征在于：所述气管(704)内气体的压力为0.08个标准大气压。