本发明涉及一种金属合金材料的制备方法，尤其涉及一种银镍合金材料的制备方法。
背景技术：
银镍复合材料(agni)接触电阻低且稳定，易于加工，银具有良好的导电和导热性能，镍具有良好的抗侵蚀性能，因而银镍(agni)合金材料在小容量控制电器中可得到广泛应用，是接触器、继电器最常用的电接触材料，但该材料在大电流下抗熔焊性差，为了提高材料的抗熔焊性能，研究者通常加入稀土材料，同时把材料中的ni颗粒细化，大量研究及实际应用表明：合金材料中，越细小的ni颗粒越有利于提高抗熔焊性能，同时加入稀土也有利于抗熔焊性能的提高。cn10113966a公开了“一种银镍复合材料的制备方法”，通过制备ag2nio2分解还原得到分散的银镍复合粉，再经过烧结得到微米级的银镍合金，使材料性能得到提高，但在制备过程中不可避免地引入了杂质na离子。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种银镍合金材料的制备方法，其在制备过程中不会引入诸如na等杂质金属元素。
本发明是这样实现的：一种银镍合金材料的制备方法，包括以下步骤：
1)配制agno3、ni(no3)2、sm(no3)3、sc(no3)3混合水溶液；
2)配制过量的四甲基氢氧化铵溶液；
3)在搅拌条件下，将步骤1)的混合溶液滴加到步骤2)的溶液中，产生沉淀至反应完毕；
4)减压过滤沉淀、用去离子水清洗沉淀，至滤液电导率不高于2.5us/cm；
5)沉淀物在300℃氢气气氛中分解、还原得到弥散分布的纳米级ag、ni、sm、(sc)粉；
6)粉末经过300mpa压制、700℃氢气气氛烧结一次压制一次烧结，500mpa压制、700℃氢气气氛烧结二次压制二次烧结，加热到600℃挤压制备得到agnism(sc)合金材料。
进一步地，混合溶液浓度按金属质量百分比：ag:ni:sm:(sc)＝88～89:10:1～2:(0.5)，混合agno3、ni(no3)2、sm(no3)3、sc(no3)3水溶液，以agno3计，agno3溶液为0.20-0.30mol/l。
进一步地，使用的沉淀剂为四甲基氢氧化铵，浓度范围为20％-30％。
进一步地，搅拌条件为转速1000～1300rmp。
进一步地，制备得到的合金材料为agnism、agnismsc。
本发明提供一种银镍合金材料的制备方法，包括以下步骤：
1)配制agno3、ni(no3)2、sm(no3)3、sc(no3)3混合水溶液；按金属质量百分比：ag:ni:sm:(sc)＝88～89:10:1～2:(0.5)，混合agno3、ni(no3)2、sm(no3)3、sc(no3)3水溶液，以agno3计，agno3溶液为0.20-0.30mol/l；
2)配制过量的四甲基氢氧化铵溶液；浓度为25％；
3)在搅拌条件下，将步骤1)的混合溶液滴加到步骤2)的溶液中，产生沉淀至反应完毕；在搅拌速度为1000-1300rpm状态下，把步骤1的混合溶液滴加到步骤2的溶液中，滴加速度2-3ml/s，产生沉淀至反应完毕，反应过程中保持ph：11-13；
4)减压过滤沉淀、用去离子水清洗沉淀，至滤液电导率不高于2.5us/cm；
5)沉淀物在300℃氢气气氛中分解、还原得到弥散分布的纳米级ag、ni、sm、(sc)粉；
6)粉末经过300mpa压制、700℃氢气气氛烧结一次压制一次烧结，500mpa压制、700℃氢气气氛烧结二次压制二次烧结，加热到600℃挤压制备得到agnism(sc)合金材料。
本发明所制备的银镍合金材料在制备过程中不会引入诸如na等杂质金属元素，且本发明所涉及的制备工艺简单、周期短、成本低，适用于工业化生产。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
步骤1：按金属质量百分比：ag:ni:sm＝89:10:1，混合agno3、ni(no3)2、sm(no3)3、sc(no3)3水溶液，以agno3计，agno3溶液为0.20mol/l；
步骤2：配制过量的四甲基氢氧化铵溶液，浓度为25％；
在搅拌速度为1000rpm状态下，把步骤1的混合溶液滴加到步骤2的溶液中，滴加速度2.4ml/s，产生沉淀至反应完毕，反应过程中保持ph：11-13；
减压过滤沉淀、用去离子水清洗沉淀，至滤液电导率不高于2.5us/cm；
沉淀物在300℃氢气气氛中分解、还原得到弥散分布的纳米级ag、ni、sm粉；
粉末经过300mpa压制、700℃、3小时氢气气氛烧结一次压制一次烧结，500mpa压制、700℃、氢气气氛烧结二次压制二次烧结，加热到600℃挤压制备得到agnism(sc)合金材料。
实施例二
按金属质量百分比：ag:ni:sm:(sc)＝88:10:2:，混合agno3、ni(no3)2、sm(no3)3水溶液，以agno3计，agno3溶液为0.25mol/l；
配制过量的四甲基氢氧化铵溶液，浓度为25％；
在搅拌速度为1200rpm状态下，把混合溶液滴加到四甲基氢氧化铵溶液中，滴加速度2.5ml/s，产生沉淀至反应完毕，反应过程中保持ph：11-13；
减压过滤沉淀、用去离子水清洗沉淀，至滤液电导率不高于2.5us/cm；
沉淀物在300℃氢气气氛中分解、还原得到弥散分布的纳米级ag、ni、sm粉；
粉末经过300mpa压制、700℃、3小时、氢气气氛烧结一次压制一次烧结，500mpa压制、700℃、3小时氢气气氛烧结二次压制二次烧结，加热到600℃挤压制备得到agnism合金材料。
实施例三
按金属质量百分比：ag:ni:sm:(sc)＝88.5:10:1:(0.5)，混合agno3、ni(no3)2、sm(no3)3、sc(no3)3水溶液，以agno3计，agno3溶液为0.30mol/l；
配制过量的四甲基氢氧化铵溶液，浓度为25％；
在搅拌速度为1300rpm状态下，把混合溶液滴加到四甲基氢氧化铵溶液，滴加速度2ml/s，产生沉淀至反应完毕，反应过程中保持ph：11-13；
减压过滤沉淀、用去离子水清洗沉淀，至滤液电导率不高于2.5us/cm；
沉淀物在300℃氢气气氛中分解、还原得到弥散分布的纳米级ag、ni、sm、sc粉；
粉末经过300mpa压制、700℃、3小时氢气气氛烧结一次压制一次烧结，500mpa压制、700℃、3小时氢气气氛烧结二次压制二次烧结，加热到600℃挤压制备得到agnismsc合金材料。
实施例四
步骤1，按金属质量百分比：ag:ni:sm:(sc)＝87.5:10:2:0.5，混合agno3、ni(no3)2、sm(no3)3、sc(no3)3水溶液，以agno3计，agno3溶液为0.25mol/l；
步骤2，配制过量的四甲基氢氧化铵溶液，浓度为25％；
在搅拌速度为1100rpm状态下，把步骤1的混合溶液滴加到步骤2的溶液中，滴加速度2ml/s，产生沉淀至反应完毕，反应过程中保持ph：11-13；
减压过滤沉淀、用去离子水清洗沉淀，至滤液电导率不高于2.5us/cm；
沉淀物在300℃氢气气氛中分解、还原得到弥散分布的纳米级ag、ni、sm、sc粉；
粉末经过300mpa压制、700℃、3小时氢气气氛烧结一次压制一次烧结，500mpa压制、700℃、3小时氢气气氛烧结二次压制二次烧结，加热到600℃挤压制备得到agnismsc合金材料。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。