本实用新型涉及一种除尘装置，尤其是一种半导体晶片喷砂加工除尘装置。
背景技术：
目前喷砂是二极管半导体整流芯片生产环节必不可少的工序，是通过高压空气带动金刚砂对晶片表面进行处理，利用金刚砂的硬度高于晶片表面硅玻璃，通过高压空气将金刚砂粉尘形成粉尘流体，经特制管路及管口喷出作用在晶片表面，将晶片表面的磷硅玻璃及硼硅玻璃通过表面打磨的方式去除。在整个喷砂设备运作过程中会产生一些金刚砂粉尘通过排风系统排出，如果直接排出会对环境造成粉尘污染，因此在金刚砂排风系统增加一种除尘装置显得尤为重要。
技术实现要素：
为了解决现有技术的不足，本实用新型提出了一种半导体晶片喷砂加工除尘装置。
本实用新型采用如下技术方案：
一种半导体晶片喷砂加工除尘装置，包括排风除尘管路和水循环系统，所述排风除尘管路下端设有进风口，排风除尘管路的顶端开口为出风口，进风口连接喷砂机排风系统，排风除尘管路包括由下至上的四级滤网，排风除尘管路底部设有初级沉淀池；
所述水循环系统包括多级沉淀池，多级沉淀池入口端连接所述初级沉淀池，多级沉淀池出口端连接多孔喷淋管，多孔喷淋管设置在所述四级滤网上部。
所述四级滤网包括孔径依次缩小的一级过滤网、二级过滤网、三级过滤网、四级过滤网。
所述一级过滤网为大孔径过滤网，孔径为0.3mm；所述二级过滤网孔径为0.2mm；所述三级过滤网孔径为0.15mm；所述四级过滤网孔径为0.1mm。
所述初级沉淀池设有初级清砂口和出水口，出水口连接多级沉淀池入口端。
所述多级沉淀池包括二级沉淀池、三级沉淀池、清水池，二级沉淀池、三级沉淀池、清水池之间相互隔离。
所述二级沉淀池底端均设有二级清砂口，三级沉淀池底端均设有三级清砂口。
所述清水池通过上水管连接多孔喷淋管，上水管上设有水泵。
采用如上技术方案取得的有益技术效果为：
四级滤网包括孔径依次缩小的一级过滤网、二级过滤网、三级过滤网、四级过滤网。主要用于吸附阻挡金刚砂尘，避免排出影响环境质量。
多孔喷淋管呈水雾喷淋，冲洗过滤网吸附的金刚砂尘，形成泥水落入除尘管路下端进行初级沉淀。
初级清砂口便于操作去除初级沉淀的泥沙，经初级沉淀后泥水进入多级沉淀池。
经初级沉淀后泥水经出水口溢流进行二级沉淀池，进一步将金刚砂尘进行沉淀处理，经溢流方式进入三级沉淀，最后进入清水池，由水泵抽取清水池中清水通过上水管进行水雾喷淋，形成用水循环。
附图说明
图1为半导体晶片喷砂加工除尘装置结构示意图。
图中，1、排风除尘管路，2、出风口，3、四级过滤网，4、三级过滤网，5、二级过滤网，6、一级过滤网，7、进风口，8、初级清砂口，9、初级沉淀池，10、出水口，11、二级沉淀池，12、三级沉淀池，13、清水池，14、二级清砂口，15、三级清砂口，16、水泵，17、上水管，18、多孔喷淋管。
具体实施方式
结合附图1对本实用新型的具体实施方式做进一步说明：
一种半导体晶片喷砂加工除尘装置，包括排风除尘管路1和水循环系统，所述排风除尘管路1下端设有进风口7，排风除尘管路1的顶端开口为出风口2，进风口7连接喷砂机排风系统，排风除尘管路1包括由下至上的四级滤网，排风除尘管路1底部设有初级沉淀池9；所述水循环系统包括多级沉淀池，多级沉淀池入口端连接所述初级沉淀池9，多级沉淀池出口端连接多孔喷淋管18，多孔喷淋管18设置在所述四级滤网上部。
多孔喷淋管呈水雾喷淋，冲洗过滤网吸附的金刚砂尘，形成泥水落入除尘管路下端进行初级沉淀。清砂口便于操作去除初级沉淀的泥沙，经初级沉淀后泥水进入多级沉淀池。
四级滤网包括孔径依次缩小的一级过滤网6、二级过滤网5、三级过滤网4、四级过滤网3。所述一级过滤网为大孔径过滤网，孔径为0.3mm；所述二级过滤网孔径为0.2mm；所述三级过滤网孔径为0.15mm；所述四级过滤网孔径为0.1mm。主要用于吸附阻挡金刚砂尘，避免排出影响环境质量。
初级沉淀池9设有初级清砂口8和出水口10，出水口10连接多级沉淀池入口端。
多级沉淀池包括二级沉淀池11、三级沉淀池12、清水池13，二级沉淀池11、三级沉淀池12、清水池13之间相互隔离。二级沉淀池和三级沉淀池之间的隔离墙高于三级沉淀池和清水池之间的隔离墙。
二级沉淀池11底端设有二级清砂口14，三级沉淀池12底端设有三级清砂口15。二级清砂口14、三级清砂口15用于清除沉淀的金刚砂尘。所述清水池13通过上水管17连接多孔喷淋管18，上水管17上设有水泵16。
经初级沉淀后泥水经出水口溢流进行二级沉淀池，进一步将金刚砂尘进行沉淀处理，经溢流方式进入三级沉淀，最后进入清水池，由水泵抽取清水池中清水通过上水管进行水雾喷淋，形成用水循环。
半导体晶片喷砂加工除尘装置净化除尘效果好，水循环能最大力度的节约用水，具有广阔的应用空间。
当然，以上说明仅仅为本实用新型的较佳实施例，本实用新型并不限于列举上述实施例，应当说明的是，任何熟悉本领域的技术人员在本说明书的指导下，所做出的所有等同替代、明显变形形式，均落在本说明书的实质范围之内，理应受到本实用新型的保护。