一种化学气相沉积设备的制作方法

本实用新型涉及真空沉积设备领域，特别是涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术：

在等离子增强型化学气相沉积设备(PECVD)领域，气流的分布对成膜均匀性有很大的影响。通常的化学气相沉积设备是气体导入后，通过小孔密布的喷淋板进入到成膜室，在高频放电的作用下，导入的气体发生化学反应，生成SiO2或氮化硅薄膜。但现有的化学气相沉积设备在实际使用过程中，最终生成的薄膜厚度均匀性有偏差，气体密度大的地方，成膜比较厚，气体密度小的地方，成膜比较薄。对此，通常采用的方法是增加喷淋板的小孔数量，达到气体分布相对均匀，从而达到成膜比较均匀的目的。但由于该小孔在喷淋板上的孔径很小，排列比较密，因此加工比较困难，且小孔数量增加到一定程度后，再增加小孔数量也无法改善成膜均匀性；另外，增加小孔会使得喷淋板的制作要求高，周期长。

因此，需要设计一种可以解决上述问题的化学气相沉积设备。

技术实现要素：

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种化学气相沉积设备，能够根据实际成膜的厚度数据，决定是封堵或开放几个孔，从而来调节气体的流向和大小，使得最终的成膜厚度更加均匀。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种化学气相沉积设备，在气体导入孔和喷淋板之间设置有气体导流板；所述气体导流板的四周沿其边缘处分布有若干个导流孔，气体导流板的中部设置有若干个圆孔，气体导流板上靠近圆孔的位置还设置有可封闭或打开圆孔的堵头，且每个圆孔对应设置有一个堵头。

优选的，所述圆孔为螺纹孔，所述堵头为与螺纹孔相匹配的螺丝。

优选的，所述螺纹孔为M6螺纹孔。

优选的，所述圆孔有九个，九个圆孔3*3矩形阵列排布。

优选的，所述导流孔为光滑的通孔。

优选的，所述气体导流板为一块方形的铝板，铝板四周与化学气相沉积设备上腔体的内框架连接。

本实用新型的有益效果是：本实用新型能够根据实际成膜的厚度数据，决定是封堵或开放几个孔，从而来调节气体的流向和大小，使得最终的成膜厚度更加均匀；采用气体导流板的方式，成本低，效果好，调试周期短；其结构简单、操作使用方便。

附图说明

图1是本实用新型一种化学气相沉积设备上气体导流板的平面结构示意图；

图2是本实用新型一种化学气相沉积设备的内部结构框架示意图。

附图中各部件的标记如下：1、化学气相沉积设备上腔体的内框架；2、气体导流板；3、喷淋板；21、通孔；22、螺纹孔。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1和图2，本实用新型实施例包括：

一种化学气相沉积设备，在气体导入孔和喷淋板3之间设置有气体导流板2；附图图2中箭头所指方向为气体进入方向；气体导流板2的作用相当于一块膜厚修正板，把厚的地方减薄一些、薄的地方加厚一些，实现膜的厚度更加均匀。所述气体导流板2为一块方形的铝板，铝板四周与化学气相沉积设备上腔体的内框架1连接；气体进入时，需通过气体导流板2才能进入到成膜室的喷淋板。所述气体导流板2的四周沿其边缘处分布有若干个导流孔；四周的导流孔便于气体的正常进入。所述导流孔为光滑的通孔21，能够使气体的进入更加通畅。所述气体导流板2的中部设置有九个螺纹孔22，九个螺纹孔22呈3*3矩形阵列排布，可以更好的控制调节气体的进入。每个螺纹孔22内设置有与之相匹配的螺丝，通过增加或减少螺丝(即是拧开螺丝或拧上螺丝)可以封闭或打开螺纹孔22，以进行调节整个气体导流板2上孔的数量以及相对位置；通过控制气体导流板2上的螺纹孔22打开的数量、位置来调节气体的流向和分布，从而进一步控制成膜的均匀性，整个操作，简单、方便。

实际操作时：成膜比较厚的地方，用螺丝封堵几个螺纹孔22，减少螺纹孔22的数量，减少气体流量，使该处膜变薄；成膜比较薄的地方，拆掉螺丝，增加螺纹孔22的数量，增加气体流量，使该处膜变厚。最终，达到膜的厚度均匀性提高的目的。

本实用新型能够根据实际成膜的厚度数据，决定是封堵或开放几个孔，从而来调节气体的流向和大小，使得最终的成膜厚度更加均匀；采用气体导流板2的方式，成本低，效果好，调试周期短；其结构简单、操作使用方便。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。