专利名称：气相沉积掩模和有机电致发光显示设备制造方法
技术领域：
本发明一般地涉及气相沉积掩模和有机电致发光显示设备制造方法，更具体地，涉及具有开口部分的气相沉积掩模，其中所述开口部分具有高图案精度，被布置以防止气相沉积图案化的偏离。
背景技术：
近些年并且至今，有机EL(电致发光)显示设备引起了很大的关注，在诸如移动电话和移动PC之类的移动信息终端装置领域中，所述有机EL显示设备将被用于取代液晶显示设备。
有机EL显示设备包括本身产生电致发光的自发光像素，因此，在有机EL显示设备中并不需要背光，所述背光是透射式液晶显示设备的基本组成。并且，因为有机EL显示设备不使用偏振，所以与液晶显示设备相比，有机EL显示设备可以实现更宽的视角范围。
并且，液晶显示设备使用彩色过滤器来实现彩色显示，而有机EL显示设备使用具有不同发光波长的有机彩色材料来实现RGB(红绿蓝)光的自发射，因此，有机EL显示设备不需要彩色过滤器，并且能够实现良好的色彩再生能力。
通过真空气相沉积形成这样的有机EL显示设备的显示部分，具体地说是形成低分子量的有机EL元素。在生产具有全色显示能力的显示器时，在由众多像素构成的屏幕区域内的每一个像素被布置为具有与颜色R、G和B中的每种相对应的色彩发射层。
具体他，在气相沉积源和沉积表面之间设置金属掩模，并且气相沉积气体穿过金属掩模的对应于预定像素的开口，以在沉积表面上形成由有机EL膜构成的发光层。
在这样的情况下，通过将金属掩模布置得与沉积表面相接触，可以达到沉积膜的尺寸精度。通过重复上述过程以形成R、G和B发光层中的每一个，可以生产出所期望的发光像素(例如，见日本专利早期公开No.2001-185350)。
在这种情况下，位于衬底上的沉积表面反复与金属掩模相接触，并且要在下一个工艺中使用的金属掩模与先前工艺的沉积表面相接触，使得在先前工艺中形成的有机EL膜可能被刮擦或被剥离，并且被损坏。
为了克服这样的问题，提出了一种衬底结构，其中，例如突起结构被设置在沉积表面的侧边上，也就是衬底侧边上，以便防止金属掩模和沉积表面接触(例如，见日本专利早期公开No.8-315981)。
或者，提出了一种衬底结构，其中，多个柱状突起被设置在金属掩模的掩模开口的边缘部分，用于在金属掩模和沉积表面之间保持预定的距离(例如，见日本专利早期公开No.2003-123969)。
然而，在设置如上所述的突起结构的情况下，需要用于在衬底上形成这样的突起结构的工艺，这可能导致衬底结构的制造成本的增加。
如在日本专利早期公开No.2003-123969中所公开的，在衬底结构的掩模侧边上设置突起结构的另一个现有技术示例中，不需要改变衬底结构。然而，在该示例中，R、G和B颜色像素分别被排成列以形成矩阵像素结构，而掩模开口只是被排列成条纹图案，使得由于变形和偏差，保持掩模结构变得困难，并且不能精确地产生像素色彩层。
在实现根据各像素分隔掩模开口的栅格结构的情况下，开口的角部在刻蚀工艺中被形成为R形角部，结果，像素的发光区域可能被减小，使得开口的面积比可能被降低。
发明内容
相应地，本发明的一个目的是提供一种气相沉积掩模结构，该气相沉积掩模结构特别是在掩模开口处具有高图案精度，而不必改变衬底结构。
根据本发明的一个方面，提供了一种气相沉积掩模，该掩模包括板构件；第一凹入图案，设置在板构件的第一表面处；
第二凹入图案，设置在板构件的在该板构件相对侧上的第二表面处；和通孔图案，设置在第一凹入图案与第二凹入图案的相交部分处；其中所述通孔图案的形状被布置成不同于第一凹入图案的形状和第二凹入图案的形状。
根据本发明的另一个方面，提供了一种有机EL显示设备制造方法，该方法包括如下步骤形成一组电极图案，用于在衬底的沉积表面上提供多个像素；以及利用本发明的气相沉积掩模，形成与所述一组电极图案中的电极相对应的有机发光层。
图1是示出了根据本发明实施例的气相沉积掩模的基本结构的示图；图2是图示根据本发明第一实施例的气相沉积掩模的制造工艺的示图；图3是示出了根据第一实施例的气相沉积掩模的结构的示图；图4是图示根据本发明第二实施例的有机EL显示设备的制造工艺的示图；图5是图示从图4继续的第二实施例的有机EL显示设备的制造工艺的示图；图6是示出了根据第二实施例的发光层的沉积状态的立体图；图7是图示从图6继续的第二实施例的有机EL显示设备的制造工艺的示图；图8是示出了根据本发明第三实施例的气相沉积掩模的结构的示图；以及图9是示出了根据第三实施例的发光层的沉积状态的立体图。
具体实施例方式
下面参照附图描述本发明的优选实施例。
图1图示了根据本发明实施例的气相沉积掩模的基本结构。
在此图中，气相沉积掩模1包括板构件2。在此板构件2的与第一表面相对应的一侧上，设置第一凹入图案6。在板构件2的与第二表面相对应的相对一侧上，设置第二凹入图案7。通孔图案8被设置在第一图案6与第二图案7在顶视平面图中相交或交叉的相交或交叉部分。此通孔图案8的形状被布置为既不同于第一凹入图案6也不同于第二凹入图案7。
通过将第一凹入图案6和第二凹入图案7的相交部分布置为与通孔图案8相对应，孔(开口)8的角部可以是直角形状而不是R形，使得可以实现具有高图案精度的气相沉积掩模1，并且可以保证大的像素面积。
具体地，在第一凹入图案6和第二凹入图案7中的至少一个被布置成条纹图案的实施例中，可以产生非常适用于形成像素的合适的矩形通孔图案8。
并且，在另一个优选实施例中，通过层叠至少两种具有不同刻蚀特性的材料来形成板构件2。这样，可以以高精度形成第一凹入图案6和第二凹入图案7。
具体地，板构件2优选地包括实现第一凹入图案6的第一板3，实现第二凹入图案7的第二板4，以及在第一板3和第二板4之间设置的具有与第一板3以及第二板4不同的刻蚀特性的第三板5。这样，该第三板5可以被用作刻蚀停止层，使得第一凹入图案6和第二凹入图案7的深度可以由第一板3和第二板4各自的厚度确定，而不是由刻蚀时间控制。
并且，在第二表面对应于与在其上进行气相沉积的沉积表面10相对的表面的实施例中，优选地将第二凹入图案7的深度设置得小于第一凹入图案6的深度。这样，可以提高将要形成的有机发光层的层尺寸精度。
根据另一个实施例，形成用于提供多个像素的一组电极图案，并且利用如上所述的气相沉积掩模1，通过气相沉积形成与电极图案的每一个单独电极相对应的有机发光层。这样，可以获得高的开口面积比，并且可以实现具有高图案精度的EL显示设备。
在优选实施例中，气相沉积掩模1的分隔第二凹入图案7的区域被布置得接触衬底9的沉积表面10的在像素之间或者在沉积表面10的相邻的同色像素之间的区域。这样，即使当沉积层10在与每个发光颜色相对应的各气相沉积工艺中反复地与气相沉积掩模接触时，也可以防止气相掩模1与已经沉积的像素相接触。
根据本发明的一个方面，可以实现这样的布置，其中气相沉积掩模不直接接触衬底沉积表面的形成像素的发光层，同时保证气相沉积掩模的图案精度。由此，可以避免由于在有机EL膜沉积工艺期间与气相沉积掩模的接触而造成的元件损坏。
并且，根据本发明的另一个方面，用于实现本发明特征的结构被设置在气相沉积掩模的侧边上，使得可以不会由于在衬底侧边上的附加布置而产生额外的生产成本。这样，衬底结构的生产成本可以被维持在低的成本。并且，根据本发明的另一个方面，为每个像素设置单独的孔，作为气相沉积掩模的开口部分，用于形成RGB颜色发光层。这样，可以增大气相沉积掩模的刚度，从而有利于结构的处理。
具体地，应该注意，在根据与同色像素列相对应的开口被布置成条纹图案的现有技术的用于形成RGB颜色发光层的气相沉积掩模中，为了保持图案结构，在其上施加压力的同时，焊接气相沉积掩模的周边。然而，根据本发明的实施例，无需进行这样的压力焊接，由此可以以低成本生产衬底结构。
根据本发明的实施例，用于形成各个RGB颜色发光元件的气相沉积掩模具有包括三层掩模材料层的三层结构，在所述三层掩模材料层中，中间层对应于刻蚀停止层，该刻蚀停止层具有不同于其他两层的刻蚀特性。在该三层结构掩模的前侧表面和后侧表面的每一个上，形成具有条纹图案的开口，各个图案的开口的相交部分被指定作为通孔图案，其中气相沉积气体通过所述通孔图案。
并且，根据与本发明实施例相对应的有机EL显示设备制造方法，在进行发光层形成气相沉积工艺时，与沉积表面相接触的气相沉积掩模表面上的条纹图案被布置成与RGB颜色层的排列相对应，图案开口之间的条带被布置成与在衬底的像素之间的区域相接触。
下面参考附图描述本发明的具体实施例。
图2和图3图示了根据本发明第一实施例的气相沉积掩模。
首先，参考图2，通过在例如厚度为40μm的42合金(42 Ni-Fe)层11上层叠例如厚度为1μm Ti层12，然后相继在Ti层12上层叠例如厚度为10μm的42合金层13，来形成金属板构件。
然后，在将抗蚀剂14施加到金属板构件的前表面和后表面上之后，以例如360μm的间距形成宽度为100μm的多个开口部分15，以在42合金层11上形成沿像素列方向延伸的与开口图案相对应的条纹沟槽结构。然后，用于形成开口部分15的抗蚀剂14被用作掩模，以通过使用氯化铁溶液(50℃[溶液温度]，47 Be[波美度])的刻蚀工艺，形成条纹沟槽16。
在此示例中，板构件的用于形成气相沉积掩模的Ti层12起到刻蚀停止层的作用。相应地，通过进行刻蚀工艺直至暴露Ti层12，条纹沟槽16的深度可以与42合金层11的厚度(例如，40μm)相对应，而沟槽16在Ti层12侧的宽度可以大致为100μm，沟槽16在抗蚀剂14侧的宽度可以大致为180μm。
然后，在去除抗蚀剂14之后，新的抗蚀剂17被施加到板构件的表面上，并在其上进行曝光和显影处理。具体地，以360μm的间距形成例如宽度为300μm的多个开口部分18，以在42合金层13上形成沿像素行方向延伸的与开口图案相对应的条纹沟槽结构。然后，用于形成开口部分18的抗蚀剂17被用作掩模，以通过进行使用氯化铁溶液(50℃[溶液温度]，47 Be[波美度])的刻蚀工艺直至暴露Ti层12，来形成条纹沟槽19。
然后，在去除抗蚀剂17之后，板结构被浸没在氟化氢溶液中，以刻蚀和去除暴露的Ti层12。这样，在条纹沟槽16和条纹沟槽19的相交或交叉部分形成了贯穿的通孔，作为气相沉积开口20，以实现用于形成R色发光层的气相沉积掩模22。
图3是示出了根据第一实施例的气相沉积掩模的结构的示图。如该图所示，凸起部分21留在42合金层13的处在沉积表面一侧的条纹沟槽19之间，并且该凸起部分21被布置成在下面所述的发光层形成工艺中的气相沉积期间与沉积衬底相接触。
应该注意，用于一种颜色的气相沉积掩模的气相沉积开口的位置可以相对于用于另一种颜色的气相沉积掩模的气相沉积开口的位置被移位，以形成对应于不同颜色的气相沉积掩模。例如，用于G色发光层的气相沉积掩模和用于B色发光层的气相沉积掩模可以通过将它们的气相沉积开口的位置分别从用于R色层的气相沉积掩模22的气相沉积开口20的位置移位120μm和240μm来形成。
并且，在根据本发明第一实施例的气相沉积掩模中，使用了包括作为刻蚀停止层的中间Ti层12的三层层叠金属板。利用这样的结构，可以精确地控制沟槽的深度，而不必精确地控制刻蚀时间。并且，气相沉积开口20被形成在条纹沟槽16与条纹沟槽19的相交或交叉部分，使得可以防止气相沉积开口20的角部成为R形，并且与现有技术的栅格图案掩模相比，可以增大开口的面积比。
下面，参考图4到图7描述根据本发明第二实施例的有机EL显示设备制造方法。注意，在图4、图5和图7的每一个中，左侧部分对应于沿图3的线A-A′的横截面视图，而右侧部分对应于沿图3的线B-B′的横截面视图。
首先，参考图4，例如厚度为150nm的ITO膜(没有示出)被沉积在例如厚度为0.7mm的玻璃衬底31上，之后，通过常规的光刻工艺，例如以120μm的间距形成宽度为80μm的阳极32。
在此示例中，玻璃衬底31优选地由无碱玻璃制成，其中所述无碱玻璃的热膨胀系数接近用于气相沉积掩模的42合金的热膨胀系数。
然后，将孔层气相沉积掩模33置于衬底31的沉积表面上，同时将掩模吸引磁体34置于玻璃衬底31的另一侧上，以吸引孔层气相沉积掩模33，使得其可以被固定到玻璃衬底31的沉积表面上。然后，利用真空气相沉积装置，在10-5～10-6Pa的压力下，在沉积表面上沉积可以与例如100nm厚的α-NPD(naphthyl-diphenyl-diamine，萘联苯二胺)层相对应的孔转移层35。
注意，孔转移层35优选地在整个显示表面上平坦地形成。
然后，在去除了孔层气相沉积掩模33之后，例如与R色气相沉积掩模22相对应的第一气相沉积掩模被掩模吸引磁体34吸引，使得气相沉积掩模22的凸起部分21可以保持与孔转移层35的表面相接触，之后，利用真空气相沉积装置，在10-5～10-6Pa的压力下，形成例如厚度为50nm的R色发光层36。
注意，对于R色发光层36，例如喹啉衍生物铝络合物(Alq3)可以被用作主体(host)，而1％的DCJTB(4-dicyanomethylene-6-cp-julolidinostyryl-2-tert-buthyl-4H-pyran，4-氰甲烯基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基)-2-叔丁基-4H-吡喃)可以被用作客体(guest)。
接着，参考图5，在去除气相沉积掩模22之后，例如与G色气相沉积掩模23相对应的第二气相沉积掩模被掩模吸引磁体34吸引，使得其凸起部分24可以保持与孔转移层35的表面相接触，之后，利用真空气相沉积装置，在10-5～10-6Pa的压力下，在从R色发光层36移位120μm的位置处，形成例如厚度为50nm的G色发光层37。
注意，对于G色发光层37，例如喹啉衍生物铝络合物(Alq3)可以被用作主体，而1％的二甲基喹吖啶酮(dimethyl quinacridone)可以被用作客体。
然后，在去除气相沉积掩模23之后，例如与B色气相沉积掩模25相对应的第三气相沉积掩模被掩模吸引磁体34吸引，使得其凸起部分26可以保持与孔转移层35的表面相接触，之后，利用真空气相沉积装置，在10-5～10-6Pa的压力下，在从G色发光层37移位了120μm的位置处，形成例如厚度为50nm的B色发光层38。
注意，对于B色发光层38，例如4，4′-二(9-咔唑)-联苯(4，4′-bis(9-carbazolyl)-biphenyl，CBP)可以被用作主体，而10％的1，3，6，8-四苯基芘(1，3，6，8-tetraphenyl-pyrene)可以被用作客体。
图6是示出了发光层的沉积状态的立体图。如上所述，在形成RGB色发光层时，发光层气相沉积掩模22被置于玻璃衬底31的沉积表面上，并且该掩模22被在玻璃衬底31的另一侧上放置的掩模吸引磁体34吸引到玻璃衬底31的沉积表面。然后，从放置在气相沉积掩模22下方的气相沉积源50产生与待形成的发光层的颜色相对应的气相沉积气体51，并且该气体51通过设置于气相沉积掩模22上的气相沉积开口部分20，使得RGB色发光层被相继形成在玻璃衬底31上。
在此实施例中，气相沉积掩模22、23和25的其上形成了较浅条纹沟槽19的表面被布置成与对应于与衬底接触的表面，使得掩模的开口可以靠近衬底沉积表面放置。这样，可以防止气相沉积图案的偏离。
并且，在本实施例中，掩模22、23和25与玻璃衬底31的接触部分被布置成与保留在掩模的较薄42合金层13侧的凸起部分21、24和26相对应，并且这些凸起部分21、24和26被布置成位于同色像素之间。这样，可以防止气相沉积开口20的周边部分直接接触发光层，并且可以防止已经形成的发光层被损坏。
然后，参考图7，在去除气相沉积掩模25之后，阴极气相沉积掩模39被置于发光层上，并被处在衬底31另一侧的掩模吸引磁体34吸引，使得与发光层相接触。然后，通过在10-5～10-6Pa的压力下的真空气相沉积工艺中沉积例如厚度为100nm的Al-Li合金膜，来形成沿与阳极32交叉的方向延伸的条纹阴极40。
然后，在去除阴极气相沉积掩模39之后，利用UV固化胶粘剂41，在大气压下的N2气氛中，将由玻璃制成的密封板42粘合到衬底31上，以便保护形成在玻璃衬底31上的有机EL层免受外界因素(例如，水分、氧等)的影响，并防止元件劣化。
在此情况下，阳极32和阴极40的用于引发像素发光的接线端被布置成位于密封板42的外部。
在这样的布置中，阳极32和阴极40的接线端被连接到驱动电路，使得可以通过利用逐行扫描驱动方法(无源矩阵驱动)控制屏幕中的多个RGB色像素的发光，获得图像显示。
具体地，阳极可以被布置成对应于数据线，而阴极可以被布置成对应于扫描线，当以正向从阳极侧向阴极侧向像素施加电压时，处在这些线的相交点上的像素可以发光。
下面，参考图8和图9描述根据本发明第三实施例的气相沉积掩模。注意，该实施例的气相沉积掩模可以以与制造根据第一实施例的气相沉积掩模的相同方式被制造，因此，省略了用于本实施例的气相沉积掩模的制造工艺的描述。
图8是示出了根据第三实施例的气相沉积掩模52的结构的示图，其中，贯穿的气相沉积开口53的行被彼此移位了与一个色彩像素的尺寸(宽度)相对应的间距。
图9是示出了发光层的沉积状态的立体图。在形成根据本实施例的RGB色发光层时，发光层气相沉积掩模52被置于玻璃衬底31的沉积表面侧，并且该掩模52被在玻璃衬底31的另一侧上放置的掩模吸引磁体34吸引到玻璃衬底31的沉积表面。然后，在气相沉积掩模52下方放置的气相沉积源50处产生与待形成的发光层的颜色相对应的气相沉积气体51，并且该气体51通过气相沉积掩模52的气相沉积开口53，以在玻璃衬底31上形成发光层。
根据此实施例，可以产生这样的全色显示设备，该全色显示设备具有被布置成如图中所示的三角图案的RGB色发光像素。
注意，本发明的上述实施例仅仅是以示例方式被表述，就是说，本发明不限于这些实施例的具体条件和特征。而是可以从这些实施例作出各种变化和修改，而不偏离本发明的范围。例如，诸如本发明的元件的宽度、长度、深度和厚度之类的尺寸不限于上面所指出的值。
并且，在上述实施例中，通过形成三层层叠金属板结构，之后前侧和后侧的外部42合金层在独立的工艺中被单独刻蚀，来产生气相沉积掩模。然而，因为中间Ti层被设置为刻蚀停止层，所以开口图案也可以被形成在抗蚀剂表面的前侧和后侧，并在同一工艺中被刻蚀。
并且，在上述的实施例中，对气相沉积掩模的前外部层和后外部层使用了相同的材料(即，42合金)。然而，本发明不限于这样的布置，并且具有不同刻蚀特性的磁性材料可以被用于气相沉积掩模的外部层。
注意，在此情况下，依据被用作前侧层和后侧层的材料，可能不需要诸如Ti层的充当刻蚀停止层的中间层。
并且，在上述的实施例中，气相沉积掩模被布置成三层层叠结构。然而，本发明不限于这样的层叠金属布置。而是，气相沉积掩模也可以由单一的金属材料制成。
例如，可以在单个金属材料板的两侧上都刻蚀期望的图案，并且各侧的刻蚀图案相交或交叉的部分可以被布置成对应于通孔。在这样的情况下，在单个金属板的各侧上的图案可以在独立的工艺中被刻蚀，并且可以通过控制刻蚀速率和刻蚀时间来调节刻蚀深度，以形成通孔。
注意，即使利用单个金属材料板，金属板的前侧和后侧上的图案的刻蚀也仍然可以同时进行以形成通孔。
并且，在上述的实施例中，气相沉积掩模的主要部分由42合金制成。然而，气相沉积掩模也可以由具有某些其他组成的合金制成，此外，气相沉积掩模也可以由其他类型的磁性金属材料制成。
并且，在上述的实施例中，磁体被用于固定气相沉积掩模，因此，气相沉积掩模的主要部分由磁性材料制成。然而，气相沉积掩模也可以通过诸如机械接合的其他非磁性手段进行固定，在这样的情况下，气相沉积掩模的材料不必是磁性材料，也可以是非磁性金属材料或者诸如陶瓷材料之类的非金属材料。
并且，在本发明的第二实施例中，玻璃被用于密封板。然而，密封板的材料不限于玻璃，并且可以代替地使用例如金属密封板或者塑料密封板。
并且，在第二实施例中，UV固化胶粘剂被用于粘合密封板，以便防止由胶粘剂固化导致元件劣化。然而，本发明不限于使用这样的胶粘剂，例如，也可以使用常规的热固性胶粘剂。
并且，根据上述实施例的气相沉积掩模被描述为适用于形成有机EL层。然而，本发明不限于有机EL层的形成，本发明可以适于其中使用复杂矩形图案的其他各种气相沉积工艺。例如，本发明也可以用于通过气相沉积来形成液晶显示设备的彩色过滤器。
并且，在上述的实施例中，交替形成具有三种不同颜色(即颜色R、G和B)的发光层，以产生全色显示。然而，本发明不限于全色显示，本发明例如还可以用于产生拥有具有两种不同颜色的发光层的显示设备。
并且注意，对于第二实施例所提及的孔转移层、发光材料和电极材料仅仅是作为示例被表述的，也可以使用其他各种类型的孔转移层、发光材料和电极材料。
本申请基于2004年2月2递交的日本专利申请No.2004-025596，且要求其较早申请日的优先权，并通过应用将其全部内容包含于此。
权利要求
1.一种气相沉积掩模，包括板构件；第一凹入图案，设置在所述板构件的第一表面处；第二凹入图案，设置在所述板构件的在所述板构件相对侧上的第二表面处；和通孔图案，设置在所述第一凹入图案与所述第二凹入图案的相交部分处；其中所述通孔图案的形状被布置成不同于所述第一凹入图案的形状和所述第二凹入图案的形状。
2.根据权利要求1所述的气相沉积掩模，其中，所述第一凹入图案和所述第二凹入图案中的至少一个对应于条纹图案。
3.根据权利要求1所述的气相沉积掩模，其中，所述板构件由被布置成层叠结构的具有不同刻蚀特性的至少两种不同类型的材料形成。
4.根据权利要求1所述的气相沉积掩模，其中，所述板构件包括第一板，所述第一凹入图案设置在所述第一板处；第二板，所述第二凹入图案设置在所述第二板处；和第三板，所述第三板设置在所述第一板和所述第二板之间，并且具有与所述第一板的刻蚀特性和所述第二板的刻蚀特性不同的刻蚀特性。
5.根据权利要求1所述的气相沉积掩模，其中所述第二表面对应于与沉积表面相对的表面，所述沉积表面是气相沉积材料沉积于其上的沉积表面；并且所述第二凹入图案的深度被布置成浅于所述第一凹入图案的深度。
6.一种有机电致发光显示设备制造方法，包括如下步骤形成一组电极图案，用于在衬底的沉积表面上提供多个像素；以及利用气相沉积掩模，形成与所述一组电极图案中的电极相对应的有机发光层，其中所述气相沉积掩模包括板构件、设置在所述板构件的第一表面处的第一凹入图案、设置在所述板构件的在所述板构件相对侧上的第二表面处的第二凹入图案以及设置在所述第一凹入图案与所述第二凹入图案的相交部分处的通孔图案，其中，所述通孔图案的形状被布置成不同于所述第一凹入图案的形状和所述第二凹入图案的形状。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示设备制造方法，还包括将所述气相沉积掩模的分隔所述第二凹入图案的区域布置成与所述衬底的所述气相沉积表面在像素之间或者在所述沉积表面的相邻同色像素之间的区域相接触。
8.一种制作气相沉积掩模的方法，包括在板构件的相对的两侧形成第一和第二凹入图案；在所述第一和第二凹入图案的相交部分形成通孔，所述通孔图案具有与所述第一和第二凹入图案的形状不同的形状。
全文摘要
本发明提供了一种气相沉积掩模和有机电致发光显示设备制造方法。实现了一种特别是在气相沉积开口处具有高图案精度的气相沉积掩模，而无需改变衬底结构。该气相沉积掩模包括板构件、设置在板构件的第一表面处的第一凹入图案、设置在板构件的在该板构件相对侧上的第二表面处的第二凹入图案以及设置在第一凹入图案和第二凹入图案的交叉部分处的通孔图案。该通孔图案的形状被布置成既不同于第一凹入图案的形状也不同于第二凹入图案的形状。
文档编号H05B33/10GK1652650SQ20041009168
公开日2005年8月10日 申请日期2004年11月30日 优先权日2004年2月2日
发明者坂本义明 申请人:富士通株式会社