半导体钨化硅装置覆盖环部件洗净喷砂专用保护治具的制作方法

本实用新型涉及洗净喷砂保护技术领域，具体涉及一种半导体钨化硅装置覆盖环部件洗净喷砂专用保护治具。

背景技术：

因对覆盖环部件表面有粗糙度要求，需要对覆盖环部件表面进行喷砂处理，目前对部件喷砂时，一般是先用高温胶带粘贴在覆盖环部件的非喷砂区域，起到遮挡作用，然后使用喷砂枪对覆盖环部件需要喷砂的区域进行喷砂，喷砂完成后，再将高温胶带撕去。但是此种方法存在很多弊端，高温胶带较软，不容易定位，易出现移位或贴偏的现象，在裁剪粘贴过程为人工操作，增加了人工成本，撕去高温胶带时，容易在非喷砂区域出现残胶现象，且高温胶带贴在覆盖环部件的非喷砂区域时，不能完全贴紧，容易出现被喷砂枪吹起而发生溢砂到非喷砂区域的问题，再加上高温胶带使用后不可重复使用，废胶带对环境也会造成一定的影响。

技术实现要素：

为解决现有技术中存在的缺陷，本实用新型提供一种导体钨化硅装置覆盖环部件洗净喷砂专用保护治具，定位准确，不易松动，提高喷砂范围的精度，且不会在部件表面留下残胶，污垢等副产物，治具可以重复使用。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体钨化硅装置覆盖环部件洗净喷砂专用保护治具，包括治具本体，所述治具本体为圆环状结构，其结构包括外保护层和内保护层，所述外保护层和内保护层相连接，且外保护层高于内保护层；所述外保护层包括相连接的外覆盖层和外环绕圈，所述内保护层包括相连接的中间层和内环绕圈，所述内环绕圈底部设置有内覆盖层；所述外环绕圈与中间层连接；所述外环绕圈、中间层、内环绕圈之间围成一定位凹槽，其中外环绕圈的最低平面低于中间层的最低平面。

进一步的，所述外环绕圈与中间层垂直连接，所述内环绕圈内、外表面倾斜。

进一步的，所述内环绕圈的内表面下端连接有内环绕层，所述内环绕圈的内表面和内环绕层不在同一平面，且内环绕层和内覆盖层垂直连接。

进一步的，所述外环绕圈的最低平面高于内覆盖层。

进一步的，所述治具本体为不锈钢材质。

本实用新型的有益效果是：本申请相对于手工胶带保护能够大幅度提高喷砂范围的精度，对于部件的非喷砂区域表面不会留下残胶，污垢等副产物，本申请所述治具与部件卡接，防止治具本身松动，有效避免了喷砂区域错位的现象，具有使用方便、精度高、可重复使用并且节省人力、物料成本的优点。

附图说明

图1为本实用新型的俯视图；

图2为本实用新型的部分结构示意图；

图3为本实用新型图2的局部剖视图；

图4为本实用新型与待洗净喷砂部件连接的局部剖视图；

图5为本实用新型与待洗净喷砂部件连接的局部剖视放大图。

图中附图标记如下：1、外覆盖层，2、外环绕圈，3、中间层，4、内环绕圈，5、内覆盖层，6、内环绕层，7、定位凹槽，8、待洗净喷砂部件，9、卡槽，10、卡件。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述。

实施例1

一种半导体钨化硅装置覆盖环部件洗净喷砂专用保护治具，包括治具本体，治具本体为圆环状结构，其结构包括相连接的外保护层和内保护层，且外保护层高于内保护层；所述外保护层包括相连接的外覆盖层1和外环绕圈2，所述内保护层包括相连接的中间层3和内环绕圈4，在内环绕圈4底部设置有内覆盖层5；所述外环绕圈2与中间层3垂直连接；所述内环绕圈4内、外表面倾斜；内环绕圈4的内表面下端连接有内环绕层6，所述内环绕圈4的内表面和内环绕层6不在同一平面，且内环绕层6和内覆盖层5相互垂直连接。所述外环绕圈2、中间层3、内环绕圈4之间形成定位凹槽7，其中外环绕圈2的最低平面低于中间层3的最低平面，且高于内覆盖层5；治具本体为不锈钢材质。

本实用新型的工作原理：将待洗净喷砂部件8放平，将本申请治具置于待洗净喷砂部件8上，外环绕圈2卡接在待洗净喷砂部件8的卡槽9中，待洗净喷砂部件8的卡件10置于定位凹槽7中，防止治具随意活动；外保护层和内保护层覆盖待洗净喷砂部件8的非喷砂区域，露出需要洗净喷砂的区域。洗净喷砂结束后，将本申请治具取下，可重复使用。

本治具是专门为英特尔公司提供的半导体设备钨化硅装置覆盖环部件洗净喷砂的专用保护治具。

以上所述，仅为本实用新型创造较佳的具体实施方式，但本实用新型创造的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型创造披露的技术范围内，根据本实用新型创造的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型创造的保护范围之内。