掩膜板及其制作方法、OLED显示基板的制作方法与流程

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板及其制作方法、oled显示基板的制作方法。

背景技术：

在有机发光二极管(oled)制作工艺中，高精细金属掩膜板(fmm)由于能够有效地保证红、绿、蓝(r、g、b)有机发光材料蒸镀到oled显示基板的阳极表面，避免亚像素混色，从而得到广泛的采用。oled显示基板的阳极上面会设置用来支撑fmm的支撑图形(ps)，该支撑图形导致fmm和阳极之间始终保持一定的间隙。在蒸镀过程中，由于蒸镀角度并不是90°，因而蒸镀的有机发光材料会通过该间隙渗透到fmm上的蒸镀孔以外的区域，在oled显示基板上形成较大的蒸镀阴影(shadow)。该蒸镀阴影会造成r，g，b亚像素之间的交叉污染，导致混色。

一种避免蒸镀阴影所引起的混色的方案是增大oled显示基板上的亚像素之间的距离，但是该方案会使得oled显示基板的分辨率降低，不便制造高分辨率的oled显示基板。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种掩膜板及其制作方法、oled显示基板的制作方法，用于解决现有的有机发光材料蒸镀工艺中由于掩膜板与显示基板之间存在间隙，导致形成蒸镀阴影的问题。

为了解决上述技术问题，本发明是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种掩膜板，包括：

掩膜板本体，所述掩膜板本体上开设有多个蒸镀孔；

多个阻挡环，设置于所述掩膜板本体上，与所述多个蒸镀孔一一对应，围设在对应的所述蒸镀孔的周围。

可选的，所述阻挡环的内边缘在所述掩膜板本体上的正投影与对应的所述蒸镀孔的边缘重叠。

可选的，所述掩膜板本体和所述阻挡环采用相同的材料；所述掩膜板还包括：多个刻蚀阻挡层图形，与所述多个阻挡环一一对应，设置于对应的所述阻挡环与所述掩膜板本体之间，所述刻蚀阻挡层图形在所述掩膜板本体上的正投影与对应的所述阻挡环在所述掩膜板本体上的正投影重叠。

可选的，所述掩膜板本体和所述阻挡环采用第一材料，所述刻蚀阻挡层图形采用第二材料，所述第二材料在第一刻蚀液中的刻蚀速率小于所述第一材料在所述第一刻蚀液中的刻蚀速率，所述第一材料在第二刻蚀液中的刻蚀速率小于所述第二材料在所述第二刻蚀液中的刻蚀速率，所述第一刻蚀液为制作所述掩膜板本体和所述阻挡环的过程中采用的刻蚀液，所述第二刻蚀液为制作所述刻蚀阻挡层图形的过程中采用的刻蚀液。

可选的，所述第一材料为因瓦合金，所述第二材料为钛合金，所述第一刻蚀液为酸性溶液，所述第二刻蚀液为alcl3溶液。

第二方面，本发明实施例提供了一种掩膜板的制作方法，包括：

形成掩膜板本体和设置于所述掩膜板本体上的多个阻挡环，所述掩膜板本体上形成有多个蒸镀孔，所述多个阻挡环与所述多个蒸镀孔一一对应，围设在对应的所述蒸镀孔的周围。

可选的，所述形成掩膜板本体和设置于所述掩膜板本体上的多个阻挡环包括：

提供第一膜材、第二膜材和第三膜材，其中，所述第一膜材和所述第三膜材采用第一材料，所述第二膜材采用第二材料，所述第二材料在第一刻蚀液中的刻蚀速率小于所述第一材料，所述第一材料在第二刻蚀液中的刻蚀速率小于所述第二材料；

将叠加设置的所述第一膜材、第二膜材和第三膜材压合；

在所述第一膜材的表面涂敷第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行曝光并显影，形成第一光刻胶去除区和第一光刻胶保留区，所述第一光刻胶保留区与所述阻挡环所在区域对应；采用所述第一刻蚀液对所述第一光刻胶去除区的所述第一膜材进行刻蚀，形成所述阻挡环；

在所述第三膜材的表面涂敷第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行曝光并显影，形成第二光刻胶去除区和第二光刻胶保留区，所述第二光刻胶去除区与所述蒸镀孔所在区域对应；采用第一刻蚀液对所述第二光刻胶去除区的所述第三膜材进行刻蚀，形成贯通所述第三膜材的蒸镀孔；

采用所述第二刻蚀液对未被所述第一膜材覆盖的所述第二膜材进行刻蚀，形成刻蚀阻挡层图形。

可选的，通过热压方式将叠加设置的所述第一膜材、第二膜材和第三膜材压合。

第三方面，本发明实施例提供了一种oled显示基板的制作方法，包括：

提供待蒸镀基板；

提供上述掩膜板；

将所述待蒸镀基板与所述掩膜板对位，使所述掩膜板上的阻挡环朝向所述待蒸镀基板，所述掩膜板上的蒸镀孔在所述待蒸镀基板上的正投影与所述待蒸镀基板上的像素区重合；

采用所述掩膜板在所述待蒸镀基板上蒸镀形成有机发光层。

可选的，所述待蒸镀基板上包括用于支撑所述掩膜板的支撑图形，所述支撑图形的高度大于所述阻挡环的高度，所述待蒸镀基板与所述掩膜板对位后，所述支撑图形与所述掩膜板接触。

本发明实施例具有以下有益效果：

当采用本发明的掩膜板向待蒸镀基板蒸镀有机发光材料时，在蒸镀过程中，从蒸镀孔内通过的有机发光材料会被阻挡环阻挡，减少或者避免有机发光材料向蒸镀孔正对区域以外的区域扩散，减少了蒸镀阴影的面积，从而可避免相邻的不同颜色的有机发光层交叉污染。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为相关技术中的掩膜板的使用方法示意图；

图2为本发明一实施例的掩膜板的剖面示意图；

图3为本发明一实施例的掩膜板的平面示意图；

图4为本发明一实施例的掩膜板的使用方法示意图；

图5为本发明另一实施例的掩膜板的剖面示意图；

图6为本发明一实施例的掩膜板的制作方法示意图；

图7a-图7e为本发明另一实施例的掩膜板的制作方法示意图；

图8为本发明实施例的oled显示基板的制作方法示意图。

具体实施方式

请参考图1，图1为相关技术中的oled显示基板的制作方法的示意图，图1中，采用掩膜板10向oled显示基板20上蒸镀形成有机发光层，掩膜板10包括掩膜板本体11和开设在掩膜板本体11上的蒸镀孔12，oled显示基板包括：衬底基板21和设置在衬底基板21上的像素定义层22、阳极23和支撑图形24，当该支撑图形24导致掩膜板10和阳极23之间始终保持一定的间隙。在蒸镀过程中，由于蒸镀角度并不是90°，因而蒸镀的有机发光材料会通过该间隙渗透到蒸镀孔12以外的区域，在oled显示基板上形成较大的蒸镀阴影(shadow)。该蒸镀阴影会造成r，g，b亚像素之间的交叉污染，导致混色。

为解决上述问题，请参考图2和图3，本发明实施例提供了一种掩膜板100，包括：

掩膜板本体101，所述掩膜板本体101上开设有多个蒸镀孔102；

多个阻挡环103，设置于所述掩膜板本体102上，与所述多个蒸镀孔102一一对应，围设在对应的所述蒸镀孔102的周围。

请参考图4，当采用本发明实施例的掩膜板100向待蒸镀基板200蒸镀有机发光材料时，在蒸镀过程中，从蒸镀孔102内通过的有机发光材料会被阻挡环103阻挡，减少或者避免有机发光材料向蒸镀孔102正对区域以外的区域扩散，减少了蒸镀阴影的面积，从而可避免相邻的不同颜色的有机发光层交叉污染。从图4中可以看出，采用本发明实施例的掩膜板100时，形成的蒸镀阴影的宽度远小于采用相关技术中的掩膜板10时形成的蒸镀阴影的宽度，从而可避免相邻的不同颜色的有机发光层交叉污染。

本发明实施例中，可选的，所述阻挡环103的内边缘在所述掩膜板本体101上的正投影与对应的所述蒸镀孔102的边缘重叠，请参考图3，所述阻挡环103的内边缘与对应的所述蒸镀孔102的边缘重叠的线为l。该种结构下，由于阻挡环103紧靠蒸镀孔102设置，可以使得蒸镀阴影的宽度最小化。

本发明实施例中，可选的，所述掩膜板本体102和所述阻挡环103采用相同的材料；请参考图5，掩膜板100还包括：多个刻蚀阻挡层图形104，与所述多个阻挡环103一一对应，设置于对应的所述阻挡环103与所述掩膜板本体102之间，所述刻蚀阻挡层图形104在所述掩膜板本体102上的正投影与对应的所述阻挡环103在所述掩膜板本体102上的正投影重叠。由于掩膜板本体102和阻挡环103采用相同的材料，因而在进行构图工艺中的刻蚀工艺时，难以控制刻蚀的深度和均匀性，通过设置刻蚀阻挡层，可有效控制刻蚀的深度和均匀性。

本发明实施例中，可选的，所述掩膜板本体102和所述阻挡环103采用第一材料，所述刻蚀阻挡层图形104采用第二材料，所述第二材料在第一刻蚀液中的刻蚀速率小于所述第一材料在所述第一刻蚀液中的刻蚀速率，所述第一材料在第二刻蚀液中的刻蚀速率小于所述第二材料在所述第二刻蚀液中的刻蚀速率，所述第一刻蚀液为制作所述掩膜板本体102和所述阻挡环103的过程中采用的刻蚀液，所述第二刻蚀液为制作所述刻蚀阻挡层图形104的过程中采用的刻蚀液。

本发明实施例中，可选的，所述第一材料为因瓦合金，所述第二材料为钛合金。

因瓦合金可以被酸性溶液腐蚀，而钛合金具有一定的抗酸性，因而，所述第一刻蚀液可以为酸性刻蚀液，所述第二刻蚀液为alcl3(氯化铝)溶液。

请参考图6，本发明实施例还提供一种掩膜板的制作方法，包括：

步骤61：形成掩膜板本体和设置于所述掩膜板本体上的多个阻挡环，所述掩膜板本体上形成有多个蒸镀孔，所述多个阻挡环与所述多个蒸镀孔一一对应，围设在对应的所述蒸镀孔的周围。

在本发明的一些实施例中，请参考图7a-图7e，所述形成掩膜板本体和设置于所述掩膜板本体上的多个阻挡环包括：

步骤71：请参考图7a，提供第一膜材103’、第二膜材104’和第三膜材101’，其中，所述第一膜材103’和所述第三膜材101’采用第一材料，所述第二膜材104’采用第二材料，所述第二材料104’在第一刻蚀液中的刻蚀速率小于所述第一材料103’，所述第一材料103’在第二刻蚀液中的刻蚀速率小于所述第二材料104’；

步骤72：请参考图7b，将叠加设置的所述第一膜材103’、第二膜材104’和第三膜材101’压合；

可选的，通过热压方式将叠加设置的所述第一膜材103’、第二膜材104’和第三膜材101’压合。

步骤73：请参考图7c，在所述第一膜材103’的表面涂敷第一光刻胶层(图未示出)；对所述第一光刻胶层进行曝光并显影，形成第一光刻胶去除区和第一光刻胶保留区，所述第一光刻胶保留区与所述阻挡环所在区域对应；采用所述第一刻蚀液对所述第一光刻胶去除区的所述第一膜材103’进行刻蚀，形成所述阻挡环103；

本步骤中，在采用所述第一刻蚀液对所述第一光刻胶去除区的所述第一膜材103’进行刻蚀时，第二膜层104’可以有效控制刻蚀的深度和均匀性，减少第一刻蚀液对第三膜材101’的刻蚀。

步骤74：请参考图7d，在所述第三膜材101’的表面涂敷第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行曝光并显影，形成第二光刻胶去除区和第二光刻胶保留区，所述第二光刻胶去除区与所述蒸镀孔所在区域对应；采用第一刻蚀液对所述第二光刻胶去除区的所述第三膜材101’进行刻蚀，形成贯通所述第三膜材101’的蒸镀孔102；

本步骤中，通过控制刻蚀时间，可控制蒸镀孔102的直径和坡度角的大小，同样的，第二膜材104’可以有效控制刻蚀的深度和均匀性，保证阻挡环不被第一刻蚀液破坏。

步骤75：请参考图7e，采用所述第二刻蚀液对未被所述第一膜材103’覆盖的所述第二膜材104’进行刻蚀，形成刻蚀阻挡层图形104。

请参考图8，本发明实施例还提供一种oled显示基板的制作方法，包括：

步骤81：提供待蒸镀基板；

步骤82：提供掩膜板，所述掩膜板的结构请参见上述实施例中的描述；

步骤83：将所述待蒸镀基板与所述掩膜板对位，使所述掩膜板上的阻挡环朝向所述待蒸镀基板，所述掩膜板上的蒸镀孔在所述待蒸镀基板上的正投影与所述待蒸镀基板上的像素区重合；

步骤84：采用所述掩膜板在所述待蒸镀基板上蒸镀形成有机发光层。

本发明实施例中，在蒸镀过程中，掩膜板上的阻挡环可以减少或者避免有机发光材料向蒸镀孔102正对区域以外的区域扩散，减少了蒸镀阴影的面积，从而可避免相邻的不同颜色的有机发光层交叉污染。因而，不需要增大待蒸镀基板上的亚像素之间的距离，能够形成高分辨率的oled显示基板。

在本发明的一些实施例中，可选的，所述待蒸镀基板上包括用于支撑所述掩膜板的支撑图形，所述支撑图形的高度大于所述阻挡环的高度(避免阻挡环划伤待蒸镀基板)，所述待蒸镀基板与所述掩膜板对位后，所述支撑图形与所述掩膜板接触；本发明实施例中，无需降低待蒸镀基板上的支撑图形的厚度，以用于减少了蒸镀阴影的面积，可以保证待蒸镀基板与掩膜板之间保证一定的间隙，不对待蒸镀基板上的膜层造成损伤。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。