阀装置、处理装置、以及控制方法与流程

本公开的各种方面和实施方式涉及一种阀装置、处理装置、以及控制方法。

背景技术：

作为对半导体晶圆(以下，记载为晶圆)进行成膜的方法，公知有cvd(化学气相沉积，chemicalvapordeposition)法、ald(原子层沉积，atomiclayerdeposition)法等。在cvd法、ald法中，使用作为要层叠的膜的原料的气体，在原料中具有在常温下处于固体、液体的状态的原料。这样的原料通过加热而气化后向晶圆供给。在该情况下，在气化后的原料的供给路径所包含的配管、阀等中，也为了维持气体的状态而被加热成预定温度。

另外，若在处理容器内对晶圆进行处理，则反应副生成物(所谓的沉积物)被生成，有时附着于处理容器的内壁等。若附着到处理容器的内壁等的沉积物的量变多，则沉积物从处理容器的内壁等剥离而成为颗粒向处理容器内分散。若飞散到处理容器内的颗粒附着于晶圆，则存在成为晶圆的不良的原因的情况。因此，定期地进行用于去除处理容器内的沉积物的清洁。在清洁中，大多使用含氟气体作为清洁气体。

另外，在晶圆的处理中大多使用多个气体，针对各气体设置控制供给量的阀等装置。多个阀大多以小型化等为目的而构成为作为1个单元的阀装置。在为了维持原料的气化而气体的供给路径被加热的情况下，阀装置整体被加热器等加热。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-23324号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

本公开提供能够缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一方面是阀装置，其具备多个阀、壳体、热扩散部、加热部、供给部、以及控制部。多个阀控制向处理容器供给的多个处理气体的流通。壳体形成供处理气体流通的多个第1流路。热扩散部覆盖壳体，使壳体的热扩散。加热部覆盖由热扩散部覆盖着的壳体，隔着热扩散部对壳体进行加热。供给部向在壳体与热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂。控制部在对处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制加热部，以便将壳体加热成第1温度。另外，控制部在开始处理容器的清洁之前停止加热部对壳体的加热，控制供给部，以便向第2流路供给制冷剂。

发明的效果

根据本公开的各种方面和实施方式，能够缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间。

附图说明

图1是表示本公开的一实施方式中的处理装置的一个例子的概略图。

图2是表示阀主体的一个例子的立体图。

图3是表示安装于阀主体的热扩散套的一个例子的分解立体图。

图4是表示向安装有热扩散套的阀主体安装的加热套的一个例子的分解立体图。

图5是表示阀装置的一个例子的侧视图。

图6是表示阀装置的一个例子的a-a剖视图。

图7是表示空气的供给量与阀主体的壳体的温度之间的关系的一个例子的图。

图8是表示成膜处理的一个例子的流程图。

图9是表示各阀的状态和加热器的设定温度的一个例子的时序图。

附图标记说明

v1～v6、阀；v1a～v5a、致动器；w、晶圆；10、处理装置；11、处理容器；20a～20d、气体供给部；21a～21d、流量控制器；22a～22d、配管；23a～23b、配管；25、阀装置；30、阀主体；31～32、节流件；33、壳体；34、温度传感器；35、电缆；40、热扩散套；40a～40h、零件；41a～41b、42a、43e、44f、45g～45h、凹部；50、加热套；50a～50b、零件；60、压缩机；61、流量控制器；62、配管；63、流路。

具体实施方式

以下，基于附图详细地说明所公开的阀装置、处理装置、以及控制方法的实施方式。此外，所公开的阀装置、处理装置、以及控制方法并不被以下的实施方式限定。

不过，出于耐腐蚀性、加工的容易性等观点考虑，气体的供给路径所包含的阀等构件大多使用不锈钢。若不锈钢在高温时暴露于含氟气体，则腐蚀。因此，在为了维持原料的气化而气体的供给路径被加热的装置中，需要在进行清洁之前将配管、阀等的温度冷却到不会被清洁气体腐蚀的温度。

不过，在多个阀构成为1个单元的阀装置中，构成阀装置的金属构件的体积较大，因此，热容量较大。因此，为了将被加热器加热后的阀装置冷却到不会被清洁气体腐蚀的温度花费时间。因此，在开始清洁之前花费时间，处理装置的停止时间变长。

因此，本公开提供一种能够缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间的技术。

[处理装置的机构]

图1是表示本公开的一实施方式中的处理装置10的一个例子的概略图。本实施方式中的处理装置10是使用ald法而在作为被处理体的一个例子的晶圆w对预定的膜(例如钨膜)进行成膜的装置。处理装置10被设置于例如洁净室内。

例如，如图1所示，处理装置10具备处理容器11。在处理容器11内设置有用于载置成膜对象的晶圆w的载置台12。在处理容器11的侧壁形成有用于输入和输出晶圆w的开口17，开口17被闸阀18开闭。另外，在处理容器11的上部设置有用于向处理容器11内供给气体的供给管13a和供给管13b。另外，在处理容器11的侧壁形成有排气口14，在排气口14经由排气管15连接有排气装置16。通过处理容器11内的气体被排气装置16排气，处理容器11内被维持在预定的真空度。

另外，处理装置10具有气体供给部20a、气体供给部20b、气体供给部20c、以及气体供给部20d。气体供给部20a是前体气体的供给源。在本实施方式中，前体气体是例如六氯化钨(wcl6)气体。从气体供给部20a供给来的wcl6气体经由mfc(质量流量控制器，massflowcontroller)等流量控制器21a和配管22a向阀装置25供给。

此外，wcl6在常温下是固体，因此，气体供给部20a将wcl6加热成200℃以上(例如200℃)而将气化后的wcl6向流量控制器21a供给。另外，为了维持气体的状态的wcl6，流量控制器21a和配管22a也被未图示的加热机构加热成200℃以上(例如200℃)。

气体供给部20b是非活性气体的供给源。在本实施方式中，非活性气体是例如氮(n2)气。从气体供给部20b供给来的n2气体经由流量控制器21b和配管22b向阀装置25供给。

气体供给部20c是反应气体的供给源。在本实施方式中，反应气体是例如氢(h2)气。从气体供给部20c供给来的h2气体经由流量控制器21c和配管22c向阀装置25供给。前体气体、非活性气体、以及反应气体是处理气体的一个例子。

气体供给部20d是用于对附着到处理容器11内的沉积物进行去除的清洁气体的供给源。在本实施方式中，清洁气体是含氟气体，例如是三氟化氯(clf3)气体。从气体供给部20d供给来的clf3气体经由流量控制器21d和配管22d向阀装置25供给。此外，清洁气体只要是含氟气体，就也可以是氟化氢(hf)气体等。

处理装置10具有阀装置25。阀装置25具有阀主体30、热扩散套40、加热套50、以及阀v6。阀主体30具有阀v1～v5、节流件31～32、壳体33、以及温度传感器34。阀v1～v5分别具有设置到气体的流路的阀芯和驱动该阀芯的致动器。

阀v1的上游侧与配管22b连接，阀v1的下游侧与阀v3、节流件31、以及节流件32的上游侧连接。阀v3和节流件31的下游侧与配管23a连接。配管23a与供给管13a连接。节流件32的下游侧与配管23b连接，配管23b与供给管13b连接。

阀v2的上游侧与配管22a连接，阀v2的下游侧与配管23a连接。阀v4的上游侧与配管22c连接，阀v4的下游侧与配管23b连接。阀v5的上游侧与配管22d连接，阀v5的下游侧与配管23b连接。

阀主体30内的气体的流路形成于壳体33内，该壳体33由金属形成。在本实施方式中，壳体33由例如不锈钢(例如sus316)一体地形成。此外，壳体33也可以通过形成有气体的流路的多个块被连结而构成。壳体33内的流路是第1流路的一个例子。

温度传感器34设置于例如壳体33的外侧面，测定壳体33的温度。温度传感器34是例如热电偶。由温度传感器34测定到的温度的信息向随后论述的控制装置100输出。

阀主体30被由例如铝等形成的热扩散套40覆盖。热扩散套40是热扩散部的一个例子。由热扩散套40覆盖着的阀主体30还被罩式加热器等加热套50覆盖。加热套50是加热部的一个例子。加热套50例如包括由玻璃纤维等构成的绝热材料和埋入到该绝热材料的内部的加热器。加热套50隔着热扩散套40对阀主体30进行加热。热扩散套40使从加热套50传递来的热扩散而向阀主体30传递。由此，阀主体30中的热的分布被均匀化。加热套50内的加热器由随后论述的控制装置100控制。

在阀主体30的壳体33与热扩散套40之间形成有供常温的空气流通的流路，在该流路连接有配管62。在配管62连接有阀v6、流量控制器61、以及压缩机60。压缩机60引进处理装置10的外部(即，洁净室内)的常温的空气，使引进来的空气压缩。流量控制器61调整被压缩机60引进来的空气的流量。流量调整后的空气经由阀v6和配管62向壳体33与热扩散套40之间的流路供给。向阀主体30的壳体33与热扩散套40之间供给的空气是制冷剂的一个例子。阀v6是供给部的一个例子。

处理装置10具有控制装置100。控制装置100包括存储器、处理器、以及输入输出接口。在存储器中储存有由处理器执行的程序、和包括各处理的条件的制程等。处理器执行从存储器读出来的程序，基于存储到存储器内的制程经由输入输出接口控制处理装置10的各部。具体而言，控制装置100通过执行从存储器读出来的程序，控制阀v1～v6、流量控制器21a～21d、流量控制器61、排气装置16、以及加热套50内的加热器等。控制装置100是控制部的一个例子。

[阀装置25的构造]

图2是表示阀主体30的一个例子的立体图。例如，如图2所示，阀主体30具有大致长方体状的壳体33。配管22a～22d设置于壳体33的侧面，配管23a和配管23b设置于壳体33的底面。阀v1的致动器v1a、阀v2的致动器v2a、阀v3的致动器v3a、阀v4的致动器v4a、以及阀v5的致动器v5a分别从壳体33上表面向壳体33的外部突出。另外，在壳体33的上表面设置有温度传感器34，温度传感器34经由电缆35与控制装置100连接。

图3是表示向阀主体30安装的热扩散套40的一个例子的分解立体图。热扩散套40包括多个零件40a～40h。零件40a～40b配置于壳体33的上表面。零件40c～40f配置于壳体33的侧面。零件40g～40h配置于壳体33的底面。

在零件40a形成有与各阀的致动器v1a～v5a的形状相仿的凹部41a和配置与温度传感器34连接起来的电缆35的凹部42a。在零件40b形成有与各阀的致动器的形状相仿的凹部41b。在零件40d连接有配管62。在零件40e的靠壳体33侧的面形成有沿着壳体33的长度方向延伸的凹部43e。在零件40f形成有配置配管22a～22d的凹部44f。在零件40g形成有与配管23a～23b的形状相仿的凹部45g。在零件40h形成有与配管23a～23b的形状相仿的凹部45h。

图4是表示向安装有热扩散套40的阀主体30安装的加热套50的一个例子的分解立体图。加热套50具有零件50a和零件50b。零件50a和零件50b由例如玻璃纤维形成，内置有加热器。加热器利用未图示的电缆与控制装置100连接。

图5是表示阀装置25的一个例子的侧视图。图5的a-a截面成为例如图6那样。图6是表示阀装置25的一个例子的a-a剖视图。例如，如图6所示，在热扩散套40的零件40e形成有凹部43e，在阀主体30的壳体33的侧面与凹部43e之间形成有用于供空气流动的流路63。流路63与配管62连通，该配管62与热扩散套40的零件40d连接起来。经由配管62供给到流路63内的空气在流路63内流动。流路63是第2流路的一个例子。

另外，在壳体33与热扩散套40的各零件40a～40h之间、以及在零件40a～40h之间存在基于尺寸公差等的间隙。因此，供给到流路63内的空气经由这些间隙向热扩散套40的外部流出。流出到热扩散套40的外部的空气在加热套50的由玻璃纤维等形成的绝热材料之间通过而向加热套50的外部流出。

在此，在本实施方式中，阀主体30的壳体33由例如不锈钢(例如sus316)一体地形成。形成壳体33的金属的体积比供气体流动的其他构件(例如金属配管)的体积大，因此，壳体33的热容量比其他构件的热容量大。因此，壳体33难以变热，难以变冷。另外，为了抑制由不锈钢形成的壳体33的腐蚀，使用了含氟气体的清洁需要以壳体33的温度成为预定温度(例如90℃)以下的状态进行。

由于加热套50的绝热材料的作用，壳体33和热扩散套40的热难以向加热套50的外部逸出。因此，例如，在进行了成膜处理之后，即使将加热套50的加热器的设定温度设为预定温度以下，也存在需要几小时以将在成膜处理中被加热成例如200℃的壳体33冷却到预定温度以下的情况。由此，在清洁开始之前的等待时间变长，处理装置的停止时间变长。因此，难以提高工艺整体的生产率。

相对于此，在本实施方式中，在进行了成膜处理之后，将加热套50的加热器的设定温度设为预定温度以下，并且，经由配管62向流路63内供给空气。由此，存在于壳体33与热扩散套40的各零件40a～40h之间、以及零件40a～40h之间等的空气被供给到流路63内的空气向加热套50的外部挤出。由此，存在于壳体33与加热套50之间的变热后的空气被迅速地向加热套50的外部排出，促进壳体33的冷却。

另外，经由配管62供给到流路63内的空气在流路63、以及壳体33与各零件40a～40h之间等通过之际从壳体33吸热。由此，壳体33被迅速地冷却。因此，能够缩短在清洁开始之前的等待时间，能够使工艺整体的生产率提高。

图7是表示空气的供给量与阀主体30的壳体33的温度之间的关系的一个例子的图。在未向流路63供给空气的情况下，例如，如图7所示，为了使得加热到200℃的壳体33的温度成为90℃以下，花费3小时以上。

相对于此，在空气以50slm供给到流路63的情况下，例如，如图7所示，加热到200℃的壳体33的温度约以70分钟成为90℃以下。此外，控制装置100控制加热套50内的加热器，以使壳体33的温度成为80℃，因此，在图7中，壳体33的温度未降低到80℃以下。

而且，在空气以100slm供给到流路63的情况下，例如，如图7所示，被加热成200℃的壳体33的温度以约36分钟成为90℃以下。预想到：通过使向流路63供给的空气的流量进一步增加，壳体33的温度从200℃到成为90℃以下为止的时间被进一步缩短。如此，通过控制向流路63流动的空气的流量，能够控制壳体33的冷却时间。

此外，在本实施方式中，在存在于供清洁气体流动的流路的各构件中，除了壳体33以外的构件以约40分钟左右被冷却成90℃以下。因此，仅壳体33以小于40分钟的时间被冷却，在其他构件被冷却成90℃以下之前也不会开始清洁。因此，优选的是，对向流路63供给的空气的流量进行调整，以使壳体33的温度从200℃成为90℃以下所需的时间成为与直到其他构件成为90℃以下为止的时间相同的程度。由此，能够抑制压缩机60的电力消耗。

[成膜处理]

图8是表示成膜处理的一个例子的流程图。图8的流程图所示的处理通过控制装置100控制处理装置10的各部来实施。图9是表示各阀的状态和加热器的设定温度的一个例子的时序图。

首先，控制装置100在例如图9所示的时刻t0将在作为前体气体的wcl6气体的供给路径内的各构件设置的加热器的温度设定成第1温度(例如200℃)(s100)。在步骤s100中，控制装置100将加热套50内的加热器的温度也设定成第1温度。步骤s100是加热工序的一个例子。

接着，控制装置100对wcl6气体的供给路径的各构件的温度是否达到第1温度进行判定(s101)。在wcl6气体的供给路径的各构件的温度未达到第1温度的情况(s101：否)下，再次执行步骤s101所示的处理。在wcl6气体的供给路径的各构件设置有温度传感器，控制装置100对由温度传感器测定到的温度是否达到第1温度进行判定。例如，控制装置100对由设置到壳体33的温度传感器34测定到的温度是否达到第1温度进行判定。

在wcl6气体的供给路径的各构件的温度达到第1温度的情况(例如图9的时刻t1)(s101：是)下，控制装置100使闸阀18打开。并且，控制装置100控制未图示的输送机构而经由开口17将晶圆w向处理容器11内输入，将晶圆w载置于载置台12上(s102)。然后，控制装置100使输送机构从处理容器11退出，使闸阀18关闭。

接着，控制装置100使排气装置16运转，对处理容器11内的气体进行排气直到预定的真空度为止。然后，控制装置100使阀v1打开(s103)。由此，n2气体经由节流件31向配管23a内流动，n2气体经由节流件32向配管23b内流动。由此，抑制供给到处理容器11内的气体向配管23a或配管23b倒流的情况。

接着，控制装置100在例如图9所示的时刻t2使阀v2打开，从而将作为前体气体的wcl6气体向处理容器11内供给预定时间(s104)。由此，前体气体的分子吸附于晶圆w的表面。

接着，控制装置100在例如图9所示的时刻t3使阀v2关闭，从而停止前体气体的供给。然后，控制装置100通过使阀v3打开，从而将作为非活性气体的n2气体向处理容器11内供给预定时间(s105)。由此，过量地吸附到晶圆w的表面的前体气体的分子被吹扫。

接着，控制装置100在例如图9所示的时刻t4使阀v3关闭，从而停止用于吹扫晶圆w的表面的非活性气体的供给。然后，控制装置100通过使阀v4打开，将作为反应气体的h2气体向处理容器11内供给预定时间(s106)。由此，吸附到晶圆w的表面的前体气体的分子与反应气体的分子反应，在晶圆w表面形成预定的膜(在本实施方式中，钨膜)。

接着，控制装置100在例如图9所示的时刻t5使阀v4关闭，从而停止反应气体的供给。然后，控制装置100通过再次使阀v3打开，将作为非活性气体的n2气体向处理容器11内供给预定时间(s107)。由此，过量地形成于晶圆w的表面的预定的膜的分子被吹扫。

接着，控制装置100在例如图9所示的时刻t6使阀v3关闭，从而停止用于吹扫晶圆w的表面的非活性气体的供给。并且，控制装置100判定步骤s104～s107的处理是否反复进行了预定次数(s108)。在步骤s104～s107的处理未反复进行预定次数的情况(s108：否)下，再次执行步骤s104所示的处理。

另一方面，在步骤s104～s107的处理反复进行了预定次数的情况(s108：是)下，控制装置100使闸阀18打开，控制未图示的输送机构而将晶圆w从处理容器11内输出(s109)。

接着，控制装置100对是否执行清洁进行判定(s110)。在控制装置100判定为不执行清洁的情况(s110：否)下，再次执行步骤s102所示的处理。控制装置100在例如预定数量的晶圆w的成膜结束了的情况下判定为执行清洁。

控制装置100在判定为执行清洁的情况(例如图9的时刻t7)(s110：是)下，将在作为清洁气体的clf3气体所接触的各构件设置的加热器的温度设定成第2温度(例如80℃)(s111)。在步骤s111中，控制装置100将加热套50内的加热器的温度设定成第2温度。此外，即使是清洁气体所接触的构件，对于由铝等除了不锈钢以外的金属形成的构件，也被从温度的管理对象排除。

另外，在步骤s111中，向设置到各构件的加热器的电源供给被停止，直到清洁气体所接触的各构件的温度成为第2温度为止。不过，在各构件的温度成为第2温度以下的情况下，设置到清洁气体所接触的各构件的加热器被投入电源，将各构件的温度维持在第2温度。由此，于在清洁后再次进行成膜处理的情况下，能够使在成膜处理中需要加热的气体的路径更迅速地升温。

接着，控制装置100开始预定的流量的空气向在阀主体30的壳体33与热扩散套40之间设置的流路63内的供给(s112)。在步骤s112中，控制装置100使阀v6打开，控制流量控制器61，从而经由配管62向流路63内供给预定的流量的空气。步骤s111和s112是冷却工序的一个例子。

接着，控制装置100对清洁气体所接触的构件的温度是否成为第2温度以下进行判定(s113)。在清洁气体所接触的构件的温度比第2温度高的情况(s113：否)下，再次执行步骤s113所示的处理被。例如，控制装置100对由设置到壳体33的温度传感器34测定到的温度是否成为第2温度以下进行判定。

在清洁气体所接触的构件的温度成为第2温度以下的情况(例如图9的时刻t8)(s113：是)下，控制装置100使阀v6关闭。由此，停止空气向在阀主体30的壳体33与热扩散套40之间设置的流路63内的供给(s114)。此外，也可以是，控制装置100在进行着清洁的期间内继续空气向流路63的供给。

接着，控制装置100使阀v5打开，向处理容器11内供给清洁气体，从而执行处理容器11内的清洁(s115)。

接着，控制装置100对是否结束工艺进行判定(s116)。在例如针对预先设定好的数量的晶圆w的成膜结束了的情况下，控制装置100判定为结束工艺。控制装置100在判定为未结束工艺的情况(例如图9的时刻t9)(s116：否)下，使阀v5关闭，再次执行步骤s100所示的处理。另一方面，控制装置100在判定为结束工艺的情况(s116：是)下，使阀v1和阀v5关闭，结束本流程图所示的处理。

以上，对处理装置10的一实施方式进行了说明。本实施方式中的处理装置10具备：处理容器11，其用于收容晶圆w；和阀装置25，其控制向处理容器11供给的处理气体。阀装置25具备多个阀v1～v5、壳体33、热扩散套40、加热套50、阀v6、以及控制装置100。多个阀v1～v5控制向处理容器11供给的多个处理气体的流通。壳体33形成供处理气体流通的多个流路。热扩散套40覆盖壳体33，使壳体33的热扩散。加热套50覆盖由热扩散套40覆盖着的壳体33，隔着热扩散套40对壳体33进行加热。阀v6向在壳体33与热扩散套40之间形成的流路63供给制冷剂。控制装置100在对处理容器11内的晶圆w进行预定的处理之际控制加热套50，以便将壳体33加热成第1温度。另外，控制装置100在开始处理容器11的清洁之前停止加热套50对壳体的加热，控制阀v6，以便向流路63供给制冷剂。由此，能够缩短在清洁开始之前的等待时间，能够使工艺整体的生产率提高。

另外，在本实施方式的处理装置10中，向流路63供给的制冷剂是常温的空气。由此，能够以低成本冷却壳体33。

另外，在本实施方式中，在处理容器11的清洁中，清洁气体经由壳体33内的任一个流路向处理容器11内供给，处理容器11的清洁在壳体33的温度成为比第1温度低的第2温度以下之后被执行。在本实施方式中，能够缩短在清洁开始之前的等待时间，因此，能够使工艺整体的生产率提高。

另外，在本实施方式中，清洁气体是clf3气体等含氟气体，因此，为了抑制由清洁气体导致的腐蚀，因此，在与清洁气体接触的壳体33成为第2温度以下之后开始清洁气体的供给。不过，在本实施方式中，通过向在阀主体30的壳体33与热扩散套40之间形成的流路63供给制冷剂，壳体33被迅速地冷却。因此，能够缩短在清洁开始之前的等待时间，能够使工艺整体的生产率提高。

另外，在本实施方式中，控制装置100在壳体33的温度成为第2温度以下的情况下控制加热套50，以便将壳体33的温度维持在第2温度。由此，于在清洁后再次进行成膜处理的情况下，能够使壳体33更迅速地升温。

另外，在本实施方式中，控制装置100在壳体33的温度成为第2温度以下的情况下控制阀v6，以停止制冷剂向流路63的供给。由此，能够削减制冷剂的消耗量。

[其他]

此外，本申请所公开的技术并不限定于上述的实施方式，可在其主旨的范围内进行各种变形。

例如，在上述的实施方式中，使用了wcl6作为钨膜的成膜所使用的前体的一个例子，但公开的技术并不限于此，作为前体，也可以使用wcl5。wcl5在常温下也是固体，因此，包括阀主体30的壳体33的前体气体的供给路径被加热成例如190℃，以使前体能够维持气体的状态。

另外，在上述的实施方式中，以向晶圆w层叠的膜是钨膜的情况为例进行了说明，但公开的技术并不限于此，在使tin等其他膜向晶圆w层叠的情况下，也能够适用公开的技术。例如，在使tin膜向晶圆w上层叠的情况下，例如ticl4气体被用作前体气体，例如nh3气体被用作反应气体。ticl4在常温下是液体，因此，包括阀主体30的壳体33的前体气体的供给路径被加热成例如120℃，以使前体能够维持气体的状态。

另外，在上述的实施方式中，在成膜处理以外阀v3被关闭，但公开的技术并不限于此。例如，也可以是，在判定为执行清洁的情况(例如图9的时刻t7)下，阀v3被打开，预定流量的非活性气体向壳体33内的流路供给，直到阀主体30的壳体33的温度成为第2温度以下为止。即，也可以是，控制装置100在开始处理容器11的清洁之前控制多个阀v1～v5的至少任一个，以使温度比第1温度低的低温的气体向壳体33内的各流路流动。由此，也从壳体33内的气体的流路侧冷却壳体33，因此，能够使壳体33的温度更迅速地降低。

另外，在上述的实施方式中，使用了洁净室内的空气作为制冷剂，但公开的技术并不限于此。例如，也可以使用向洁净室供给的干燥空气作为制冷剂。另外，也可以是，在用于冷却晶圆w的制冷剂向载置台12内的流路流动的情况下，使该制冷剂向阀主体30的壳体33与热扩散套40之间的流路63流动。

此外，应该认为此次所公开的实施方式在全部的点都是例示，并非限制性的。实际上，上述的实施方式能以多样的形态具体化。另外，上述的实施方式也可以不脱离所附的权利要求书及其主旨，以各种形态被省略、置换、变更。