1.一种用于抛光衬底的具有正ζ电势的化学机械抛光(cmp)垫，所述衬底选自以下项中的至少一种：存储器、硅盘、玻璃、以及半导体衬底，所述抛光垫包括具有组合物和抛光表面的抛光层，其中所述组合物是包括以下项的成分的反应产物：
(a)具有平均至少两个未反应的异氰酸酯(nco)基团/分子的多官能异氰酸酯；
(b)由羟基取代的季铵组成的第一固化剂；
(c)第二固化剂，其中所述第二固化剂不含季铵；以及
(d)任选地，多个微元件；
其中，所述第一固化剂以基于所述第一固化剂和所述第二固化剂的总摩尔量等于或大于50mol％存在，并且其中在(b)和(c)的所述固化剂中的组合的反应性氢基团与在(a)的所述多官能异氰酸酯中的所述至少两个未反应的异氰酸酯(nco)基团的化学计量比是0.8至1.1；并且
其中，所述正ζ电势在整个抛光垫的表面上是一致的，并且与在2至12的ph范围内的ph无关，使用硝酸或氢氧化钾来调节去离子水的ph。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中，所述第一固化剂含有至少两个羟基基团/分子。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光垫，其中，所述第一固化剂含有至少三个羟基基团/分子。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中，所述第二固化剂包含胺。
5.如权利要求4所述的化学机械抛光垫，其中，所述第二固化剂含有小于0.1wt％的叔胺。
6.如权利要求4所述的化学机械抛光垫，其中，所述胺是芳族胺。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光垫，其中，所述芳族胺是4,4'-亚甲基双(2-氯苯胺)(mboca)。
8.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中，所述季铵是三(2-羟乙基)甲基甲硫酸铵。
9.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中，所述季铵是(2,3-二羟丙基)三甲基氯化铵。
10.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中，所述ζ电势是+90至+160mv。