技术总结
本实用新型公开了一种射频等离子体氧化氮化设备，包括射频离子源、真空腔体、气路系统、水路系统和电控系统，所述射频离子源固定在真空腔体一端，射频离子源上设置进气口、进水口和出水口，射频离子源上设置射频线圈和磁场线圈。本设备通过以腔体为中心将各个分系统的组合连接以及腔体的设计，便于参数的控制，便于放置待处理零部件，能够用于若干个零部件的同时处理，便于操作。通过射频电感耦合所产生的高密度低能量的射频等离子体，能够在低温低压环境下稳定维持其放电状态，产生的等离子体全方位地渗透入待处理零部件上以实现均匀的氧化或氮化。
技术研发人员：吴鑫龙;殷冀平;蔺增;刘兴龙
受保护的技术使用者：泰安东大新材表面技术有限公司;东北大学
技术研发日：2019.05.20
技术公布日：2020.02.14