薄膜沉积设备及薄膜沉积方法与流程

文档序号:24160464发布日期:2021-03-05 16:07阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种薄膜沉积设备,其特征在于,包括:一腔体,包括一容置空间;至少一进气口,流体连接该腔体的该容置空间,并用以将一制程气体输送至该容置空间;一载台,位于该容置空间内,并用以承载至少一基板;一支撑件,连接该载台;至少一冷却气体输入管线,位于该载台内,并将一冷却气体输送至该载台与该基板之间,使得该冷却气体接触该基板,以降低该基板的温度;至少一挡件,位于该腔体的该容置空间内;及一升降装置,连接该支撑件,并经由该支撑件带动该载台及该挡件相对位移,以调整该载台及该挡件之间的间距,其中该升降装置驱动该载台靠近该挡件,使得该挡件接触该载台上的该基板,以将该基板固定该载台上,并通过该冷却气体输入管线将该冷却气体输送至该载台与该基板之间,其中该冷却气体输入管线停止输送该冷却气体,该升降装置带动该载台离开该挡件,使得该挡件与该载台上的该基板存在一间隙,并在该基板的表面进行一沉积步骤。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备,其特征在于,包括至少一冷却循环通道接触该挡件,该冷却循环通道用以输送一冷却流体,以降低该挡件的温度。3.一种薄膜沉积设备,其特征在于,包括:一腔体,包括一容置空间;至少一进气口,流体连接该腔体的该容置空间,并用以将一制程气体输送至该容置空间;一载台,位于该容置空间内,并用以承载至少一基板;一支撑件,连接该载台;至少一冷却气体输入管线,位于该载台内,并将一冷却气体输送至该载台与该基板之间,使得该冷却气体接触该基板,以降低该基板的温度;至少一挡件,位于该腔体的该容置空间内,其中该挡件的一端具有一环形凸缘;一盖环,设置在该挡件的该环形凸缘上;及一升降装置,连接该支撑件,并经由该支撑件带动该载台相对于该挡件上的该盖环位移,以调整该载台及该挡件上的该盖环之间的间距,其中该升降装置驱动该载台靠近该盖环,使得该挡件上的该盖环接触该载台上的该基板,以将该基板固定该载台上,并通过该冷却气体输入管线将该冷却气体输送至该载台与该基板之间,其中该冷却气体输入管线停止输送该冷却气体,该升降装置带动该载台离开该盖环,使得该挡件上的该盖环与该载台上的该基板存在一间隙,并在该基板的表面进行一沉积步骤。4.根据权利要求3所述的薄膜沉积设备,其特征在于,包括一环状构造设置在该载台上,并环绕设置在该基板的周围,其中该环状构造包括至少一凹槽,而该盖环则包括至少一凸出部,当该挡件接触该基板时,该挡件的该凸出部会位于该凹槽内。5.根据权利要求4所述的薄膜沉积设备,其特征在于,其中该环状构造包括复数个凹槽,且最靠近该载台中心的该凹槽的深度大于其他的该凹槽,而该盖环则包括复数个凸出部,且最靠近该载台中心的该凸出部的长度大于其他的该凸出部。
6.根据权利要求5所述的薄膜沉积设备,其特征在于,其中在该基板的表面进行该沉积步骤时,最靠近该载台中心的该凸出部部分位于最靠近该载台中心的该凹槽内。7.根据权利要求3所述的薄膜沉积设备,其特征在于,包括至少一冷却循环通道接触该挡件,该冷却循环通道用以输送一冷却流体,以降低该挡件及该盖环的温度。8.一种薄膜沉积方法,其特征在于,包括:传输一制程气体至一腔体的一容置空间,其中该腔体内的一挡件未接触一载台上的至少一基板,并对位于该载台上的该基板进行一沉积步骤;停止该沉积步骤,驱动该载台靠近该挡件,使得该挡件接触该载台上的该基板;传输一冷却气体至该载台与该基板之间,使得该冷却气体接触该基板,以降低该基板的温度;及停止传输该冷却气体,驱动该载台离开该挡件,使得该挡件不接触该基板。9.一种薄膜沉积方法,其特征在于,包括:传输一制程气体至一腔体的一容置空间,其中该腔体内的一挡件上的一盖环不接触一载台上的至少一基板,并对位于该载台上的该基板进行一沉积步骤;停止该沉积步骤,驱动该载台靠近该挡件上的该盖环,使得该盖环接触该载台承载的该基板;传输一冷却气体至该载台与该基板之间,使得该冷却气体接触该基板,以降低该基板的温度;及停止传输该冷却气体,驱动该载台离开该挡件上的该盖环,使得该盖环不接触该基板。10.根据权利要求9所述的沉积方法,其特征在于,其中该挡件上的该盖环不接触该载台上的该基板,并进行该沉积步骤时,该盖环上的至少一凸出部部分位于设置在该载台周围的一环状构造的至少一凹槽内。
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