急冷制粉装置的制作方法

文档序号:3390658阅读:291来源:国知局
专利名称:急冷制粉装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种制备急冷金属粉末的装置,尤其是制备非晶、准晶和微晶粉未的装置。
急冷制粉设备是随急冷金属的发展而出现的。在这类设备中,为追求高冷却速率,一般均采用两级淬火而获得急冷粉未,实际上是高压气体雾化和离心旋转盘雾化的结合体。CN88204942U公开了一种喷雾制粉装置,它由漏包、雾化喷咀、旋转圆盘、雾化筒(室)、冷却水管和调速电机等组成,其特征是雾化作用由环缝式喷咀和旋转圆盘二级雾化完成。该专利主要目的是追求细粉率,圆盘结构简单,雾化后的金属颗粒与圆盘接触时间短,对提高冷却速率不利。CN2030117U公开了又一个急冷制粉装置,其基本结构与上述CN88204942U相似,其主要改进在于在冷却圆锥下面有一个开有若干引流孔的冷却圆盘,以增加金属颗粒同固体接触的时间,从而提高冷却速率。但其冷却圆盘的结构复杂,对提高冷却速度没有很明显的作用,且喷咀喷出的金属颗粒直接冲击冷却圆锥顶部,制备的粉未球形度也较差。此外,上述两项专利装置的雾化室均系非密封结构,因此生产出来的金属粉未含氧量较高,而且,其旋转冷却盘(或锥体)表面均系外凸型曲面,金属液滴喷射在上面后接触时间短,从而冷却效率低。
本实用新型的目的在于克服现有急冷制粉装置的缺点,提供一种结构简单、冷却速率高、制得的粉未粒度细、球形度好、含氧量低的急冷制粉装置。
本实用新型的技术解决方案是,改变冷却锥体的表面几何形状,并改变雾化室的结构。
本实用新型结构如


图1所示。该装置有一个雾化室2,其顶盖上装有环缝式高压喷咀1和漏包5,雾化室2的中部有一可高速旋转的冷却锥体3(驱动电机未画出),其底径为300~500mm,从雾化室2的顶盖上还插入一根冷却介质管6,雾化室2的下部为粉未收集筒7。本实用新型的特征是(A)雾化室2为一静密封结构,其其壁上还有一根抽气一充气管8,(B)冷却锥体3的表面呈凹形曲面,其曲率半径为0.3~1.5米。
本实用新型的工作过程如下先通过抽气一充气管8对雾化室2抽真空,然后再充以惰性气体。待漏包5中之金属熔化后,打开高压喷咀1的喷射口和出料口。熔融金属流4经环缝式喷咀雾化成液滴后,再喷射到高速旋转的,并为冷却介质(常用水)冷却的冷却锥体3上。由于锥体3表面呈具有一定曲率半径的凹形曲面,因此,未完全凝固的粒子在锥体3的表面第二次粉碎后,受离心力作用沿凹形曲面滚动下滑一段路程,之后弹落到粉未收集筒7中。这一过程增加了粒子与冷却锥体表面的接触时间,提高了冷却速率,同时,沿凹形曲面滚下的粒子固化后球形度也较好。喷射气体也采用惰性气体,所以整个雾化过程是在惰性气氛中进行的,因而制得的粉未含氧量很低。喷雾过程中,经冷却介质管6有冷水或其他冷却介质喷洒在高速旋转的冷却锥体3上。
本实用新型在制粉过程中所采用的其它参数为喷咀气体喷射压力>10kgf/cm2
液流直径2~ mm喷射角(相对于液流)30~120°冷却锥体的转速1000~10000转/分用本实用新型制得的粉未平均粒度<5~15μm,含氧量低于0.1%,粉未形状基本为球形,日产量可达100kg以上。本实用新型制粉过程的冷却速率用A1-Cm合金的二次枝晶间距进行间接测量,计算结果冷却速率为105-10 K/s。

图1是本实用新型的正视示意图。
下面对附图也是本实用新型的实施例进行说明。
实施例1该装置由环缝式喷咀1、雾化室2、冷却锥体3、漏包5、冷却介质管6、粉未收集筒7和抽气一充气管8组成。雾化室2为静密封结构,其室壁由不锈钢制成。冷却锥体3由紫铜制成,其表面为凹形曲面,曲率半径0.5米,其底径320mm。
实施例2装置结构基本与实施例1相同,但冷却锥体3的表面曲率半径为1.0米,其底径为500mm。
权利要求1.一种急冷制粉装置,该装置有一个雾化室2,其顶盖上装有一个环缝式高压喷咀1和漏包5,雾化室2的中部有一个高速旋转的冷却锥体3,其底径为300~500mm,从雾化室2的顶盖上还插入一根冷却介质管6,雾化室2的下端为粉未收集筒7,本实用新型的特征是A、雾化室2为一静密封结构,在其壁上还有一根抽气一充气管8;B、冷却锥体3的表面呈凹形曲面。
2.根据权利要求1的制粉装置,其特征是所说的冷却锥体3的表面曲率半径为0.3~1.5米。
专利摘要一种急冷制粉装置,由环缝式喷嘴、雾化室、冷却锥体、漏包、粉末收集筒、抽气—充气管组成。其特征是雾化室为静密封结构,冷却锥体表面呈凹形曲面,曲率半径0.3~1.5米。该装置用于制备急冷金属粉末,特别是非晶、准晶、微晶粉末。该装置冷却速率高,制备的金属粉末细而均匀,粒度5~15μm,球形度好,含氧量低于0.1%,日产量可达100kg以上。
文档编号B22F9/08GK2091732SQ91209848
公开日1992年1月1日 申请日期1991年6月4日 优先权日1991年6月4日
发明者郑福前, 谢明, 李耀萱 申请人:中国有色金属工业总公司昆明贵金属研究所
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