度Θ3的范围内进行基于正转反转的研磨，能够对圆形晶片W5的OF的两端部进行研磨，但由于通过所选择的按压力F和研磨垫12的弹性来维持研磨面S与晶片W或者W5的周缘相抵接的状态(研磨面S不会间歇性地与晶片W或者W5的周缘相抵接)，因此能够不会使圆度降低地形成圆形晶片W5。
[0094]确认了通过本发明所涉及的圆形晶片的制造方法和比较例所涉及的方法，对具有OF的四英寸的单晶Si晶片的周缘进行研磨而形成的晶片的圆度。
[0095]在图5A中示出了使用圆度测定机Rondcom 43C(东京精密公司制)测定的、从被圆柱磨削后的结晶块切出的Si晶片的外径的形状和圆度。圆度通过使用了低通滤波器(2RC)的MZC中心法在箭头的范围内测定(0F从计算中排除)。使用研磨带对周缘进行研磨加工之前的Si晶片的圆度为3.798 μm?
[0096]比较例
[0097]使配置于晶片台的Si晶片的周缘与研磨体(配置于研磨垫的研磨带)相抵接，使晶片台向固定方向(CW)旋转(lOOOrpm、三分钟)，由此进行了晶片周缘的研磨。如图5B所示，在该研磨方法中，晶片的外径形状较大地变化，特别是，OF的一端部(肩部)的磨损显著。由于平台向固定方向旋转，所以在Si晶片的OF与研磨体相对的位置上晶片与研磨体的抵接被解除之后，研磨体与OF的一端部强力抵接，之后，由于研磨垫的弹性等在圆弧状的周缘上抵接减弱等，从而接触强度不均变大。这样，研磨体不追随晶片的周缘而是间歇性地抵接，其结果是，圆度明显变差到51.563 μπι。
[0098]实施例
[0099]使配置于晶片台的Si晶片的周缘与研磨体(配置于研磨垫的研磨带)相抵接，以使晶片的圆弧状的外周部的一部分形成为直线状的方式确定晶片台的旋转角度(参照图4Α)，在该旋转角度内使晶片台连续地正转、反转(3000rpm)，由此进行了晶片周缘的研磨。如图5C所示，外径的形状变化小，圆度为21.318 μ m，充分满足了加工标准。之后，进一步对OF进行研磨而去除OF两端部附近的凸部，从而制造出圆形晶片。
[0100]在不脱离本发明的思想和方式的范围内能够进行各种修改，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，毫无疑问本发明的方式只不过是例示，并不限定本发明的范围。
[0101]附图标记说明
[0102]W:晶片 I
[0103]Wl:晶片 2
[0104]wr:所设定的圆弧
[0105]O:晶片的中心
[0106]0F:定向平面
[0107]E、E’:晶片W的OF上的两个点
[0108]R:基准线
[0109]P、P’:外周部的部分
[0110]rl:所设定的半径
[0111]Ar:半径差
[0112]Θ:正转反转的旋转角度
[0113]ΘΡ、ΘΡ’:与外周部的部分对应的角度
【主权项】
1.一种圆形晶片的制造方法，其通过使用研磨带对由晶体材料构成且具有定向平面和外周部的圆板状的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片，该制造方法包括以下工序: 一次研磨工序，一边使在具有铅垂的旋转轴的水平的晶片台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接一边使所述晶片台旋转，由此对所述外周部进行研磨； 沿着外周部测定所述一次研磨后的晶片的半径，设定该测定的半径中的最小半径以下的半径，沿着所述外周部确定该设定的半径与所述测定的晶片的半径的差即的工序； 确定所述Ar比规定值大的所述一次研磨后的晶片的外周部的部分的工序；以及 二次研磨工序，使所述一次研磨后的晶片的外周部与所述研磨体抵接，使所述晶片台在规定的旋转角度的范围内绕所述旋转轴进行正转及反转，由此对所述一次研磨后的晶片的外周部进行研磨， 所述研磨体包括研磨带而构成，该研磨带通过配置于平坦的研磨垫而划分出平坦的研磨面， 在所述二次研磨工序中，以所述定向平面与所述研磨面不会变为平行的方式，使所述晶片台和所述研磨面沿着水平轴线相对摆动，使所述晶片台的所述正转或者所述反转的速度在与所述确定的晶片的外周部的部分对应的旋转角度的范围内降低。
2.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法，其特征在于， 在所述二次研磨工序中，使所述晶片台在如下范围内进行正转及反转，即，所述晶片的圆弧状的外周部的一部分被直线状地研磨的旋转角度的范围内。
3.根据权利要求2所述的圆形晶片的制造方法，其特征在于， 还包括以下工序:使所述定向平面与所述研磨面抵接并沿着水平轴线直线地相对摆动，由此对所述定向平面进行研磨。
4.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法，其特征在于， 在所述二次研磨工序中，使所述晶片台在如下范围内进行正转及反转，即，所述晶片的圆弧状的外周部整体被圆弧状地研磨的旋转角度的范围内。
5.根据权利要求1所述的圆形晶片的制造方法，其特征在于， 所述晶片为半导体晶片。
6.一种圆形晶片的制造方法，其通过使用研磨带对由晶体材料构成且具有定向平面和外周部的圆板状的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片， 该制造方法包括以下进行研磨的工序:使在具有铅垂的旋转轴的水平的晶片台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接，使所述晶片台在规定的旋转角度的范围内绕所述旋转轴进行正转及反转，由此对晶片的外周部进行研磨， 所述研磨体包括研磨带而构成，该研磨带通过配置于平坦的研磨垫而划分出平坦的研磨面， 在所述进行研磨的工序中，以所述定向平面与所述研磨面不会变为平行的方式，使所述晶片台和所述研磨面沿着水平轴线相对摆动，使所述晶片台的所述正转或者所述反转的速度在与所述晶片的预先确定的外周部的部分对应的旋转角度的范围内降低。
7.一种圆形晶片的制造方法，其通过使用研磨带对由晶体材料构成的圆板状的晶片的圆弧状的周缘进行研磨来制造圆形晶片，该制造方法包括以下工序: 沿着圆弧状的周缘测定晶片的半径，设定该测定的半径中的最小半径以下的半径，沿着所述圆弧状的周缘确定该设定的半径与所述测定的晶片的半径的差即的工序； 确定所述Ar比规定值大的所述晶片的周缘部分的工序；以及 研磨工序，使在具有铅垂的旋转轴的水平的晶片台上进行定心而配置的所述晶片的所述周缘部分与研磨体抵接，使所述晶片台在与所述周缘部分对应的旋转角度的范围内绕所述旋转轴进行正转及反转，由此对所述周缘部分进行研磨，该研磨工序是所述研磨体包括研磨带而构成的情况下进行研磨的工序，其中该研磨带通过配置于平坦的研磨垫而划分出平坦的研磨面。
8.一种圆形晶片的制造方法，其通过使用研磨带对由晶体材料构成且具有定向平面和外周部的圆板状的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片， 该制造方法包括以下进行研磨的工序：一边使在具有铅垂的旋转轴的水平的晶片台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接一边使所述晶片台在规定的旋转角度的范围内进行正转及反转，由此对晶片的外周部进行研磨， 所述研磨体包括研磨带而构成，该研磨带通过配置于平坦的研磨垫而划分出平坦的研磨面， 在所述进行研磨的工序中，所述晶片的定向平面与所述研磨面不会变为平行。
9.根据权利要求8所述的圆形晶片的制造方法，其特征在于， 在所述进行研磨的工序中，使所述晶片台在如下范围内进行正转及反转，即，所述晶片的圆弧状的外周部的一部分被直线状地研磨的旋转角度的范围内。
10.根据权利要求9所述的圆形晶片的制造方法，其特征在于， 还包括以下工序：使所述定向平面与所述研磨面抵接并沿着水平轴线直线地相对摆动，由此对所述定向平面进行研磨。
11.根据权利要求8所述的圆形晶片的制造方法，其特征在于， 在所述进行研磨的工序中，使所述晶片台在如下范围内进行正转及反转，即，所述晶片的圆弧状的外周部整体被圆弧状地研磨的旋转角度的范围内。
12.根据权利要求11所述的圆形晶片的制造方法，其特征在于， 在所述进行研磨的工序中，所述研磨面经由具有弹性的研磨垫被按压于所述晶片的外周部，所述研磨面不会从所述晶片的周缘分离。
【专利摘要】提供使用研磨带对由晶体材料构成的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片的方法。包括以下工序：一次研磨工序，使在具有铅垂旋转轴的水平平台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接，并使平台旋转而研磨外周部；测定晶片的半径并设定所测定的最小半径以下的半径，沿外周部确定设定半径与所测定的晶片半径的差Δr的工序；确定Δr大于规定值的外周部的部分的工序；及二次研磨工序，使外周部与研磨体抵接，使平台在规定旋转角度范围内正转反转而研磨外周部，研磨体包括配置于平坦的研磨垫而划分出平坦研磨面的研磨带，在二次研磨工序中使平台与研磨面沿水平轴线相对摆动，使平台的正转反转速度在与所确定的外周部的部分对应的旋转角度的范围内降低。
【IPC分类】B24B21-16, B24B9-00, H01L21-304
【公开号】CN104812527
【申请号】CN201480003185
【发明人】山口直宏
【申请人】米波克斯株式会社
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年1月8日
【公告号】WO2014125844A1