一种防腐太阳能矩阵支架及其制备工艺的制作方法_3

文档序号:9271210阅读:来源:国知局
中进行烘干,然后用毛刷对制作好的铸型表面进行清理去除落砂,并在铸型内涂覆一层涂料,自然晾干待用;
(2)将防腐太阳能矩阵支架的型材原料各组分加入电阻炉中进行熔炼,熔炼温度为730°C,直至型材原料各组分全部熔化,然后再加入LF精炼炉进行精炼及采用六氯乙烷脱气工作,精炼温度为760°C,精炼时间为2得到原料液,然后将得到的原料液静置12min,并在原料液上表面撒布珍珠岩造渣以净化原料液并立刻扒渣;
(3)向静置后的原料液中加入覆盖剂膨胀珍珠岩或膨胀石墨并搅拌6min,在765°C下出炉,通过中间浇包转移至池式保温炉中,然后将池式保温炉中的原料液注入制作好的铸型中,浇注时间为9min,浇注温度为750V ;
(4)将铸型连同铸坯保温20min,然后自然冷却后得到防腐太阳能矩阵支架型材的铸坯,对得到的铸坯采用砂轮进行清洗表面去除毛刺,然后用浸过硝酸溶液的纱布擦拭表面,最后用清水冲洗干净,并自然晾干;
(5)对铸还进行热处理,具体操作为:
退火:将铸坯炉热至550°C时保温14min,然后炉冷却至250°C,随后打开炉门继续缓冷至100°C出炉空冷至室温;
淬火:将退火后的铸坯缓慢炉热至400°C并保温30min,再次炉热至540°C后用水喷淋铸坯快速降温;
回火:将经淬火后的铸坯在室温下再次入炉并炉热至235°C后出炉经冷却工序冷却至室温;
冷却工序采用水冷与空冷结合,先采用水冷以2°C /s的速度冷却铸坯水冷至150°C,然后空冷至140°C,再采用水冷以6°C /s的冷却速率将铸坯水冷至90°C,最后空冷至室温;
然后待热处理后的铸坯冷却至室温后先经机械去磷设备去除表面氧化皮,然后依次进入清洗槽清洗,用浓度在12%的盐酸进行酸洗8min,高压水冲洗,进磷化设备中进行磷化处理磷化在温度为48°C时磷化15min,再进清水池水洗,然后皂化,最后进入用热风进行烘干,得到经过表面处理的铸坯;
(6)将经表面处理的铸坯加热至150°C,然后自然冷却至45°C立即浸入到镀锌槽中进行表面镀锌,浸锌7s,浸锌温度控制在350°C,然后晾干待用;
(7)将镀锌后的铸坯进行拉伸矫直,然后进行超声波检测,检测合格的即为防腐太阳能矩阵支架型材,然后将型材进行组装得到防腐太阳能矩阵支架。
[0029]除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围。
【主权项】
1.一种防腐太阳能矩阵支架,其特征在于:制作该防腐太阳能矩阵支架的型材按质量百分比计包括以下组分:Si:l-3%, Fe:0.2-0.5%,Zn:0.05-0.09%,Zr:0.05-0.15%,Cu:0.02-0.05%,C:0.01-0.02%,Mg:0.4-0.7%, Ni:0.05-0.07%,Mn:0.05-0.09%, Cr:0.1-0.3%, B:0.01-0.03%,Ti:0.08-0.10%,W:0.2-0.5%,Mo:0.1-0.3%,P:0.02-0.03%, S:0.01-0.03%, O:0.01-0.02%,N:0.015-0.020%,稀土元素:0.3-0.8%,其余为不可避免的杂质及Al ; 所述的稀土元素按质量百分比计包括以下组分:铈:3-6%,钬:5-9%,镨:9-11%,饵:6-8%,铽:9-11%,钕:1-3%,铕:2-5%,镥:5_9%,镝:4_7%,镱:10_12%,余量为镧系元素。2.根据权利要求1所述的防腐太阳能矩阵支架,其特征在于:制作该防腐太阳能矩阵支架的型材按质量百分比计包括以下组分:S1:1%,Fe:0.3%,Zn:0.09%,Zr:0.08%,Cu:0.03%,C:0.015%,Mg:0.7%,Ni:0.06%,Mn:0.05%,Cr:0.2%,B:0.01%,T1:0.09%,W:0.2%,Mo:0.1%,P:0.03%,S:0.02%,O:0.01%,N:0.018%,稀土元素:0.8%,其余为不可避免的杂质及Al ; 所述的稀土元素按质量百分比计包括以下组分:铈:4%,钬:9%,镨:10%,饵:7%,铽:9%,钕:2%,铕:3%,镥:5%,镝:5%,镱:11%,余量为镧系元素。3.根据权利要求1所述的防腐太阳能矩阵支架,其特征在于:制作该防腐太阳能矩阵支架的型材按质量百分比计包括以下组分:S1:3%,Fe:0.2%,Zn:0.05%,Zr:0.15%,Cu:0.02%,C:0.01%,Mg:0.4%,Ni: 0.07%,Mn:0.09%,Cr:0.1%,B:0.03%,T1:0.08%,W:0.5%,Mo:0.1%,P:0.02%,S:0.01%,O:0.02%,N:0.020%,稀土元素:0.5%,其余为不可避免的杂质及Al ; 所述的稀土元素按质量百分比计包括以下组分:铈:6%,钬:5%,镨:9%,饵:6%,铽:11%,钕:1%,铕:5%,镥:9%,镝:7%,镱:12%,余量为镧系元素。4.根据权利要求1所述的防腐太阳能矩阵支架,其特征在于:制作该防腐太阳能矩阵支架的型材按质量百分比计包括以下组分:S1:2%,Fe:0.5%,Zn:0.07%,Zr:0.05%,Cu:0.05%,C:0.02%,Mg:0.6%,N1:0.05%,Mn:0.07%,Cr:0.3%,B:0.02%,T1:0.10%,W:0.3%,Mo:0.2%,P:0.025%,S:0.03%,O:0.015%,N:0.015%,稀土元素:0.3%,其余为不可避免的杂质及Al ; 所述的稀土元素按质量百分比计包括以下组分:铈:3%,钬:7%,镨:11%,饵:8%,铽:10%,钕:3%,铕:2%,镥:7%,镝:4%,镱:10%,余量为镧系元素。5.如权利要求1-4中任一权利要求所述的防腐太阳能矩阵支架的制备工艺,其特征在于,该制备工艺具体包括以下步骤: (1)根据防腐太阳能矩阵支架的形状以型砂和芯砂为造型材料制成相应的铸型,在制作铸型前,先将造型材料中的型砂置于烘炉中进行烘干,然后用毛刷对制作好的铸型表面进行清理去除落砂,并在铸型内涂覆一层涂料,自然晾干待用; (2)将防腐太阳能矩阵支架的型材原料各组分加入电阻炉中进行熔炼,熔炼温度为700-7500C,直至型材原料各组分全部熔化,然后再加入LF精炼炉进行精炼及脱气工作,精炼温度为750-780°C,精炼时间为l_2h得到原料液,然后将得到的原料液静置10_15min,并在原料液上表面撒布珍珠岩造渣以净化原料液并立刻扒渣; (3)向静置后的原料液中加入覆盖剂并搅拌5-8min,在750-800°C下出炉,通过中间浇包转移至池式保温炉中,然后将池式保温炉中的原料液注入制作好的铸型中,浇注时间为8-llmin,浇注温度为 740_780°C ; (4)将铸型连同铸坯保温10-20min,然后自然冷却后得到防腐太阳能矩阵支架型材的铸坯,对得到的铸坯采用砂轮进行清洗表面去除毛刺,然后用浸过硝酸溶液的纱布擦拭表面,最后用清水冲洗干净,并自然瞭干; (5)对铸坯进行热处理,然后待热处理后的铸坯冷却至室温后先经机械去磷设备去除表面氧化皮,然后依次进入清洗槽清洗,用浓度在10-13%的盐酸进行酸洗6-8min,高压水冲洗,进磷化设备中进行磷化处理磷化在温度为45-50°C时磷化10-15min,再进清水池水洗,然后皂化,最后进入用热风进行烘干,得到经过表面处理的铸坯; (6)将经表面处理的铸坯加热至100-150°C,然后自然冷却至40-50°C立即浸入到镀锌槽中进行表面镀锌,浸锌5-8s,浸锌温度控制在300-380°C,然后晾干待用; (7)将镀锌后的铸坯进行拉伸矫直,然后进行超声波检测,检测合格的即为防腐太阳能矩阵支架型材,然后将型材进行组装得到防腐太阳能矩阵支架。6.根据权利要求5所述的防腐太阳能矩阵支架的制备工艺,其特征在于:向原料液中加入的覆盖剂为膨胀珍珠岩或膨胀石墨。7.根据权利要求5所述的防腐太阳能矩阵支架的制备工艺,其特征在于:所述防腐太阳能矩阵支架的型材原料在进入LF精炼炉进行脱气工作时采用通入六氯乙烷进行除气工作。8.根据权利要求5所述的防腐太阳能矩阵支架的制备工艺,其特征在于:所述的热处理具体操作为: 退火:将铸坯炉热至500-580°C时保温13-16min,然后炉冷却至250-300°C,随后打开炉门继续缓冷至100-180°C出炉空冷至室温; 淬火:将退火后的铸坯缓慢炉热至375-450°C并保温20-30min,再次炉热至500_580°C后用水喷淋铸坯快速降温; 回火:将经淬火后的铸坯在室温下再次入炉并炉热至220-250°C后出炉经冷却工序冷却至室温; 所述的冷却工序采用水冷与空冷结合,先采用水冷以1_3°C /s的速度冷却铸坯水冷至150-175°C,然后空冷至125-140°C,再采用水冷以4_6°C /s的冷却速率将铸坯水冷至86-95 0C,最后空冷至室温。
【专利摘要】本发明公开了一种防腐太阳能矩阵支架,制作该防腐太阳能矩阵支架的型材包括以下组分:Si,Fe,Zn,Zr,Cu,C,Mg,Ni,Mn,Cr,B,Ti,W,Mo,P,S,O,N,稀土元素,其余为不可避免的杂质及Al;稀土元素包括以下组分:铈,钬,镨,饵,铽,钕,铕,镥,镝,镱,余量为镧系元素;本发明还设计一种防腐太阳能矩阵支架的制备工艺,该制备工艺简单易行,制作成本低廉,制备出来的防腐太阳能矩阵支架结构简单,耐腐蚀性好,耐磨,强度高能很好的抗风,使用寿命长。
【IPC分类】C22C21/02, C22F1/043, C22C1/02
【公开号】CN104988364
【申请号】CN201510291248
【发明人】朱冬宏, 钱纪明
【申请人】金海新源电气江苏有限公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年6月1日
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