专利名称：一种确保电极和硅芯载体良好接触的石墨卡瓣的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种石墨卡瓣，具体是一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣。
背景技术：
作为半导体材料的高纯度多晶硅的制造方法，公知的有西门子法。该西门子法是这样的由氯硅烷和氢气的混合气体构成的原料气体接触加热了的硅芯棒，在其表面上进行热分解和氢还原反应，由此析出多晶硅。作为实施制造方法的装置，使用时在反应炉中设立多个硅芯棒的多晶硅。在西门子法中，反应析出多晶硅要求硅芯表面温度必须达到反应温度，硅芯载体的热能是由电能转化而来的，每生产一炉多晶硅必须先将硅芯载体与反应炉内的电极连接，形成电气回路。目前，普遍选用石墨组件作为硅芯载体与电极的连接载体。常用的石墨组件包括石墨卡瓣、石墨短环，现有的石墨卡瓣主要为圆柱形结构，这种圆柱形结构在启炉时硅芯载体容易发生倒棒。反应炉运行时若硅芯载体发生倒棒，轻则损失一炉硅芯，重则砸伤反应炉炉壁、底盘及仪表，对电器设备也有很大影响，给取出生产多晶硅的操作员带来很大的难度，也很容易沾污多晶硅硅芯载体，使其纯度下降。石墨卡瓣的这种圆柱形结构在多晶硅反应过程中，由于圆柱形结构与硅芯载体之间的接触不够稳定，达不到高压击穿硅芯载体的作用，容易出现硅芯载体通电后产生在该部分的拉弧，出现无法正常启动的现象，甚至是损伤电器设备的事故。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是，提供了能防止硅芯载体在高压条件下产生局部拉弧，避免出现在启动时出现硅芯载体熔断倒炉现象的一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣。本实用新型为解决技术问题主要通过以下技术方案实现一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣，包括圆柱形的石墨底座以及设置在石墨底座上的圆锥体，所述石墨底座的中部向内凹陷形成圆环形的沟槽，圆锥体的中心轴线上设有贯穿于圆锥体的插孔。石墨底座固定在电极上，进而为硅芯载体通电升温。所述圆锥体上还设有以插孔为中心的十字形的开口，开口贯穿于圆锥体。开口将整个圆锥体平均分成四瓣。所述石墨底座的中心线与圆锥体的中心线重合。所述石墨底座的横截面与圆锥体的底面大小相等。所述插孔的横截面形状为圆形。本实用新型与现有技术相比具有以下优点和有益效果( 1)本实用新型将插孔设计成圆柱形通孔，同时设计一个十字形开口，有利于硅芯载体与石墨卡瓣在高压起炉时保持良好的接触，防止硅芯载体局部高温熔断造成倒炉事故的发生，同时本实用新型还增加了其底部的圆形面积，扩大其与电极的接触面积，增加后期硅棒直径增大后的稳定性，避免生产中途期间出现倒炉，影响生产；同时石墨卡瓣的卡槽直径和深度均增加，更加有利于调节装炉过程中硅芯载体长度，保证每对硅棒上部横梁高度一致。(2)本实用新型结构简单，有效地降低了使用成本，操作方便，实用性较强。
图1为本实用新型的主视图；图2为本实用新型的俯视图。附图中所对应的附图标记为1、石墨底座，2、圆锥体，3、开口，4、沟槽，5、插孔。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。实施例如图1及图2所示，本实用新型包括圆柱形的石墨底座1以及设置在石墨底座1 上的圆锥体2，石墨底座1的中部向内凹陷形成圆环形的沟槽4，圆锥体2的中心轴线上设有贯穿于圆锥体2的插孔5，插孔5的横截面形状为圆形。本实施例的圆锥体2上还设有以插孔5为中心的十字形的开口 3，开口 3贯穿于圆锥体2，开口 3将整个圆锥体2平均分成四瓣。本实施例的石墨底座1的中心线与圆锥体2的中心线重合，且石墨底座1的横截面与圆锥体2的底面大小相等。本实用新型的工作原理为首先，将本实用新型的石墨底座1固定在电极上，然后将硅芯载体插入到插孔5中，调节插孔5与硅芯载体间的松紧度，使每一组多晶硅反应的硅芯载体的总高度保持一致。如上所述，则能很好地实现本实用新型。
权利要求1.一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣，包括圆柱形的石墨底座(1)以及设置在石墨底座(1)上的圆锥体(2)，其特征在于所述石墨底座(1)的中部向内凹陷形成圆环形的沟槽(4)，圆锥体(2)的中心轴线上设有贯穿于圆锥体(2)的插孔(5)。
2.根据权利要求1所述的一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣，其特征在于所述圆锥体(2)上还设有以插孔(5)为中心的十字形的开口(3)，开口(3)贯穿于圆锥体⑵。
3.根据权利要求1所述的一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣，其特征在于所述石墨底座(1)的中心线与圆锥体(2)的中心线重合。
4.根据权利要求1所述的一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣，其特征在于所述石墨底座(1)的横截面与圆锥体(2)的底面大小相等。
5.根据权利要求1所述的一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣，其特征在于所述插孔(5)的横截面形状为圆形。
专利摘要本实用新型公开了一种确保电极与硅芯载体良好接触的石墨卡瓣，包括圆柱形的石墨底座(1)以及设置在石墨底座(1)上的圆锥体(2)，石墨底座(1)的中部向内凹陷形成圆环形的沟槽(4)，圆锥体(2)的中心轴线上设有贯穿于圆锥体(2)的插孔(5)。本实用新型采用上述结构，能防止硅芯载体产生局部拉弧，避免硅芯载体在高压下熔断而出现倒炉现象，同时能保证电极与硅芯载体良好接触。
文档编号C01B33/03GK202152280SQ20112030534
公开日2012年2月29日 申请日期2011年8月22日 优先权日2011年8月22日
发明者何明才, 余波, 刘思才, 刘群, 文剑 申请人:雅安永旺硅业有限公司