1.一种堇青石烧结体，其在X射线衍射图中，除了堇青石成分以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于堇青石的(110)面的峰顶强度的比为0.0025以下。
2.根据权利要求1所述的堇青石烧结体，MgO/Al2O3的摩尔比为0.96～1.04，SiO2/Al2O3的摩尔比为2.46～2.54。
3.根据权利要求1或2所述的堇青石烧结体，MgO、Al2O3以及SiO2这3种成分在整体中所占的比例为99.9质量％以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的堇青石烧结体，堇青石烧结颗粒的平均粒径为1μm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的堇青石烧结体，对波长550nm的光的全透光率为60％以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的堇青石烧结体，对波长550nm的光的直线透过率为50％以上。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的堇青石烧结体，具有研磨精加工成镜面状的表面。
8.根据权利要求7所述的堇青石烧结体，所述表面中，10μm见方的测定范围中的中心线平均表面粗糙度Ra为1nm以下。
9.根据权利要求7或8所述的堇青石烧结体，所述表面中，70μm见方的测定范围中的最大峰高Rp为30nm以下。
10.一种堇青石烧结体的制法，是通过在非活性气氛下，利用热压法对包含MgO成分、Al2O3成分以及SiO2成分的堇青石原料粉末进行烧结而制造堇青石烧结体的方法，
所述堇青石原料粉末中，MgO/Al2O3的摩尔比为0.96～1.04，SiO2/Al2O3的摩尔比为2.46～2.54，MgO、SiO2以及Al2O3这3种成分在整体中所占的比例为99.9质量％以上，所述堇青石原料粉末的平均粒径D50为1μm以下，
利用所述热压法进行烧结时的条件是，冲压压力为20～300kgf/cm2，烧成温度为1410～1450℃。
11.根据权利要求10所述的堇青石烧结体的制法，所述堇青石烧结体为权利要求1～9中任一项所述的堇青石烧结体。
12.一种复合基板，是将功能性基板与堇青石烧结体制的支持基板接合而得到的复合基板，接合界面中实际上相接合的面积的比例即接合面积比例为80％以上。
13.根据权利要求12所述的复合基板，所述堇青石烧结体为权利要求7～9中任一项所述的堇青石烧结体。
14.根据权利要求12或13所述的复合基板，所述接合为直接接合。
15.一种电子器件，利用了权利要求12～14中任一项所述的复合基板。