1.一种在基材上制造石墨烯层的方法，其包括：
提供设置在第一基材上的石墨烯层；
将金属层施加到所述石墨烯层，以形成金属化的石墨烯层；
使所述金属化的石墨烯层从所述第一基材剥落；和
将所述金属化的石墨烯层层压到第二基材。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一基材包括铜、镍、或其合金。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯层是石墨烯单层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯层包括两层以上的石墨烯层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层包括金、镍、钴、铁、银、铜、锡、钯、铂、或其合金。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属层包括镍或钴。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层包括过渡金属或其合金。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属层包括两层以上的顺序沉积的金属层，其中每层包括过渡金属或其合金。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述两层以上的顺序沉积的金属层各自具有约1至约1000纳米(nm)，约20nm至约1000nm，约50nm至约750nm，约100nm至约500nm，约125nm至约250nm，或约150nm至约200nm的厚度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中使用真空金属化方法或电化学金属化方法将所述金属层施加到所述石墨烯层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述真空金属化方法选自由电子束蒸镀、热蒸镀和溅射组成的组。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述电化学金属化方法选自由电镀工艺、无电沉积和原子层沉积组成的组。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层具有约1至约1000纳米(nm)，约20nm至约1000nm，约50nm至约750nm，约100nm至约500nm，约125nm至约250nm，或约150nm至约200nm的厚度。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层具有约75nm，约100nm，约125nm，约150nm，约175nm或约200nm的厚度。
15.根据权利要求1所述的方法，其中提供设置在第一基材上的石墨烯层包括：
提供所述第一基材；
使用化学气相沉积方法在所述第一基材层上生长所述石墨烯层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一基材包括铜或镍、或其合金。
17.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述石墨烯层层压到所述第二基材之后，从所述石墨烯层移除所述金属层。
18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二基材是柔性的、坚固的、刚性的或脆性的基材。
19.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二基材是选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、弹性体聚合物、热塑性聚合物、化学气相沉积(CVD)沉积的聚合物(例如：聚对二甲苯-C或D或N)及它们的组合组成的组的柔性基材。
20.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二基材是透明的。
21.一种将石墨烯层转移到柔性基材的方法，其包括：
提供石墨烯层；
将金属层施加到所述石墨烯层，以形成金属化的石墨烯层；和
将金属化的石墨烯层层压到所述柔性基材。
22.根据权利要求19所述的方法，还包括在将所述金属化的层层压到所述柔性基材之后，从所述石墨烯层移除所述金属层。
23.根据权利要求1所述的方法，其中使所述金属化的石墨烯层从所述第一基材剥落包括，
将中间基材粘附到所述金属层；
向所述中间基材施加足以克服所述第一基材与石墨烯层之间的相互作用的力，以从所述第一基材移除所述金属化的石墨烯层。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述中间基材是热剥离粘合胶带。
25.根据权利要求24所述的方法，还包括在从所述第一基材移除所述金属化的石墨烯之后，移除所述热剥离粘合胶带。
26.根据权利要求24所述的方法，其中使用辊将所述热剥离粘合胶带施加到所述金属层，以将所述热剥离粘合胶带从所述金属层的一个边缘施加到所述金属层的相对边缘。
27.根据权利要求23所述的方法，其中所述粘附步骤和所述移除步骤同时进行。
28.根据权利要求23所述的方法，其中使用范德华力、磁力、压差、静电力或它们的任意组合将所述中间基材粘附到所述金属层。
29.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述金属化的石墨烯层上蚀刻图案。