技术总结
本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种优化碳化硅单晶生长的方法。包括以下步骤：（1）在石墨坩埚的侧壁上部钻取一个气孔；（2）将SiC原料置于石墨坩埚底部，将SiC籽晶置于与石墨坩埚上盖相连的石墨托盘上；（3）将石墨导管一端接入所述石墨坩埚侧壁上的气孔，另一端连接感应加热炉的硅烷管；（4）抽真空，保持真空状态，向生长室内通入置换气体，再间隔10‑40min后再次通入相同流量、相同时间的置换气体，周期性重复此过程；（5）对生长室加热；（6）向生长室内通入硅烷气体；（7）所示碳化硅晶体生长结束，逐渐降低生长室温度至室温。该方法抑制了SiC原料的石墨化，使升华的组分稳定地向生长区输运，优化生长过程，降低晶体中的缺陷。
技术研发人员：牛晓龙;杨昆;高宇;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
文档号码：201611126088
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.02.22