本发明涉及食用菌栽培技术领域，具体涉及一种双孢菇覆土。
背景技术：
覆土是双孢蘑菇由营养生长转向生殖生长的必要条件。至今为止，世界上最先进的双孢蘑菇生产工艺技术仍需采用覆土技术。不同的覆土材料直接影响到双孢蘑菇的产量。
目前国内工厂化种植模式大都是用的草炭土，产业化自然菇棚用的大部分是当地的泥土，消毒方式都是用化学农药及杀菌药物堆闷一段时间,这种覆土制备方法，容易产生农药残留，残留的农药在双孢菇的生产中容易被双孢菇吸收，影响双孢菇的质量和口感，进而影响双孢菇的销售，另外，太过单一，只能起到如下两方面的作用：1、提供保护层，使菌床温度变化和水分蒸发量小，菌丝不会因失水而干枯，或因直接遇水而萎缩；2、对菌丝产生重力压迫和刺激，菌丝原来生长在丰富的营养环境中，覆土后营养环境明显变“瘦”，加之覆土层中二氧化碳浓度急剧升高，迫使菌丝变粗，并扭结成子实体原基。
技术实现要素：
本发明提供了一种双孢菇覆土，使用本发明覆土的双孢菇的产量明显高于同等投入的其他土质，每平米产量高1-2公斤，且转潮期期短、产菇单体菇重量大，菇体色泽洁白、干净，伞面直径大。
为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案是这样的，一种双孢菇覆土，由如下重量百分数的原料制成：草炭土50-65份，石灰粉1.5-3份，土壤保水剂 0.5-1份，菜籽粕20-30份，食用菌菌糠10-30份，发菌后的培养基料10-20份； 所述的茶籽粕中含粗蛋白10-12%、粗脂肪3-5％、糖类40-45%，皂甙10-14%，单宁2-3%，咖啡碱0.9-0.1%；所述的发菌后的培养基料为将双孢菇菌种接种至培养基料中后混匀，在密闭的条件下发菌培养14-21天所得。
双孢菇覆土优选由如下重量百分数的原料制成：草炭土55-60份，石灰粉2-2.5份，土壤保水剂 0.5-0.8份，菜籽粕20-25份，食用菌菌糠10-15份，发菌培养后的菌料10-15份。
优选地，所述的培养基料的制备方法为将玉米秸秆70～80份，麦秸草100～120份，鸡粪160～220份和石膏2～5份，经备料、混料、一次发酵和二次发酵制备而成。
发菌后的培养基料中含水量为65-70wt％，含氮量为2 .2-2 .4wt％，灰分含量为28-33wt％,总糖含量为10～18wt％，还原糖含量为0.3～0.9wt％, pH为6-7，手捻可散可断。
有益效果：1、本发明在覆土原料中加入茶籽粕，其中所含有蛋白，糖类和其他无机营养元素，对双孢菇菌丝体生长和子实体分化有促进作用，而含有的其成分皂甙、单宁和咖啡碱减少杂菌的危害。
2、在覆土加入发菌后的培养基料能够大大增加覆土中菌丝点的量，然后菌丝会在覆土中以网状形式连起来，与菌料中生长的菌丝相结合，快速扭结成子实体，双孢菇菌丝爬土快，转潮期短，产菇量高。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
以下实施例中的茶籽粕中含粗蛋白10-12%、粗脂肪3-5%、糖类40-45%，皂甙10-14%，单宁2-3%，咖啡碱0.9-0.1%；
发菌后的培养基料的制备方法如下：
1）制备培养基料：将玉米秸秆80份，麦秸草100，鸡粪200份和石膏3份，经备料、混料、一次发酵和二次发酵制备而成；
2）将双孢菇菌种接种至培养基料中后混匀，在密闭的条件下发菌培养14-21天，得发菌后的培养基料，所得发菌后的培养基料中含水量为65-70wt％，含氮量为2 .2-2 .4wt％，灰分含量为28-33wt％,总糖含量为10～18wt％，还原糖含量为0.3～0.9wt％, pH为6-7，手捻可散可断。
实施例1
一种双孢菇覆土，由如下重量百分数的原料制成：草炭土60份，石灰粉2份，土壤保水剂 0.8份，菜籽粕25份，食用菌菌糠20份，发菌后的培养基料15份。
实施例2
一种双孢菇覆土，由如下重量百分数的原料制成：草炭土50份，石灰粉1.5份，土壤保水剂 0.5份，菜籽粕30份，食用菌菌糠30份，发菌后的培养基料20份。
实施例3
一种双孢菇覆土，由如下重量百分数的原料制成：草炭土65份，石灰粉3份，土壤保水剂1份，菜籽粕20份，食用菌菌糠10份，发菌后的培养基料10份。
上述实施1-3所述的双孢菇覆土用于双孢菇栽培的具体方法，包括如下步骤：将所述的发菌后的培养基料按100kg/m2平铺在菇架上，然后分别将上述实施1-3所述的双孢菇覆土均匀覆盖在发菌后的培养基料上面，控制覆土的厚度为5 -6cm；蘑菇房温度保持32-35℃，湿度保持70-80%，栽培15-20天后出菇。
使用本发明覆土的双孢菇的产量明显高于同等投入的其他土质，每平米产量高1-2公斤，且转潮期期短、产菇单体菇重量大，菇体色泽洁白、干净，伞面直径大。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。