1.一种III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）选用碳化硅（SiC）衬底作为基体，在10-6～10-8Torr真空度下，通过RF射频将SiC衬底加热至850～1650℃，在外延热分解过程中通入惰性气体或惰性气体与H2混合气作为载气，在SiC衬底的碳面或硅面外延生长多层石墨烯层；
（2）在多层石墨烯层表面沉积生长III族氮化物成核层；
（3）在III族氮化物成核层的表面生长厚层III族氮化物；
（4）通过机械剥离法剥离SiC基体，对剥离掉SiC基体的III族氮化物薄片的表面进行研磨抛光，获得III族氮化物衬底。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，在SiC衬底的表面进行外延生长石墨烯层前，首先在SiC衬底的表面进行H2刻蚀，获得高质量的外延台阶，所述H2刻蚀步骤如下：若在Si面外延生长，将温度加热至1400～1600℃时，通H2，流量为90～130L/min，压力为80～100mbar，时间为90～120min；若是在C面外延生长，将温度加热至1400～1600℃时，通H2，流量为60～90L/min，压力为900～1100mbar，时间为60～80min。
3.根据权利要求2所述的III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述H2刻蚀之后，将温度从1400～1600℃降至850～900℃，氢气流量变为1～3L/min，用时15～30min；
在850～900℃时，通SiH4，流量为0.5～1mL/min，用时10～15min。
4.根据权利要求3所述的III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，在通SiH4之后通入惰性气体或惰性气体与H2混合气，流量为8～15L/min，压力为800～1000mbar，通过阶梯加温至石墨烯生长温度区间1400～1650℃。
5.根据权利要求4所述的III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述阶梯加温为将温度加热至850～900℃维持10～15min，1000～1050℃维持5～10min，1100～1150℃维持5～10min，1250～1300℃维持10～15min，然后加温至石墨烯生长温度区间1400～1650℃。
6.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述SiC衬底材料晶体结构为4H-SiC、6H-SiC或者3C-SiC晶体结构，所述SiC衬底导电类型为半绝缘型或N-type导电型。
7.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述石墨烯层的石墨烯层数为3-9。
8.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中III族氮化物成核层的厚度为5～20nm。