技术总结
本发明公开了一种III族氮化物衬底的制备方法，包括：选用碳化硅衬底作为基体，在一定真空度下，通过RF射频将SiC衬底加热至1400～1650℃，在外延热分解过程中通入Ar/H2混合气作为载气，在SiC衬底的碳面或硅面外延生长多层石墨烯层；在多层石墨烯层表面沉积生长III族氮化物成核层；在III族氮化物成核层的表面生长厚层III族氮化物；通过机械剥离法剥离SiC基体，对剥离掉SiC基体的III族氮化物薄片的表面进行研磨抛光，获得III族氮化物衬底。可以在SiC衬底的碳面或硅面外延生长大面积、高质量的多层石墨烯层，生长高质量的III族氮化物成核层。得到氮化物衬底片应力小、缺陷密度低、晶体质量高。
技术研发人员：王峰
受保护的技术使用者：苏州瑞而美光电科技有限公司
文档号码：201710030646
技术研发日：2017.01.17
技术公布日：2017.06.13