技术特征：
技术总结
本发明的课题在于得到高品质的包含III族氮化物结晶的III族氮化物半导体。所述III族氮化物半导体具有：包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板；在所述RAMO4基板上配置的III族氮化物结晶；和在所述RAMO4基板与所述III族氮化物结晶之间，由不同于所述RAMO4基板和所述III族氮化物结晶的材料构成，且具有多个开口的异种膜。
技术研发人员：石桥明彦;上田章雄
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：2017.02.13
技术公布日：2017.10.03