本发明公开一种氧化锆种植体的表面处理方法，属于缺失牙修复用的种植体加工技术领域。
背景技术：
在种植体使用中，特别要注意种植体与牙床骨的相结合。在种植初期要优先考虑牙床骨与种植体之间骨结合过程要短，骨结合要稳妥牢固。在种植后的使用过程中，要求种植体在牙床骨中要长期稳定，就是说种植体与牙床骨之间骨结合要长期稳定。
在已有技术中，最常见的是纯钛或医用钛合金制作的种植体。在纯钛种植体表面处理的方法中，最常见的是喷丸酸腐蚀处理，就是先用纯钛制成种植体尺寸，然后进行喷丸处理，使纯钛种植体表面产生凹凸状坑，再进行酸腐蚀处理，期望达到纯钛种植体与牙床骨之间优良的骨结合过程和效果。
由于氧化锆具有良好的生物相容性与化学稳定性，因此，出现了氧化锆种植体。氧化锆种植体表面处理方法包括喷砂、酸蚀、喷砂酸蚀、激光酸腐蚀等等。其中的喷砂及喷砂酸蚀方法，在处理过程中存在一个问题，氧化锆种植体在烧结后，就变成坚硬稳定的氧化锆陶瓷结晶体，致使喷丸效果差，因为喷丸的丸本身就是锆珠，用锆珠去喷射氧化锆陶瓷产品，打不出明显的凹凸状坑。基于此，申请人认为该现有的氧化锆种植体表面处理方法还有待改进，本案由此产生。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种喷丸打坑效果好的氧化锆种植体的表面处理方法。
为达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：
一种氧化锆种植体的表面处理方法，在成形的氧化锆种植体坯料烧结以前，先对成形的氧化锆种植体坯料表面进行喷丸处理，以便在成形的氧化锆种植体坯料表面形成凹凸状坑，然后进行烧结，形成表面带有坑状结构的氧化锆种植体，最后进行酸腐蚀处理或其他方式的表面处理，以便于骨生长，使牙床骨组织与种植体的骨结合更好。
作为上述方案的进一步设置，所述成形的氧化锆种植体坯料是注射成形的氧化锆种植体坯料。
所述成形的氧化锆种植体坯料是经机械切削加工成形的氧化锆种植体坯料。
所述喷丸处理采用球粒状的丸进行。
所述丸是锆球或氧化铝球。
所述喷丸处理采用喷丸机进行，喷丸机的喷气压力是可调节的，喷丸机的喷咀与成形的氧化锆种植体坯料之间的距离h是可调节的。
所述喷丸机的喷气压力为0.8±0.4mpa，喷咀与成形的氧化锆种植体坯料之间的距离h为8±3mm。
所述球粒状的丸的粒度为φ0.15±0.08mm。
所述成形的氧化锆种植体坯料是成形的氧化锆复合种植体外壳坯料，或者是成形的整体氧化锆种植体坯料。
所述最后进行酸腐蚀处理或其他方式的表面处理，包括激光酸腐蚀处理或微弧氧化酸腐蚀处理或紫外线照射处理，或表面涂层处理等表面处理方式。
本发明一种氧化锆种植体的表面处理方法喷丸打坑效果好。本发明在已成形的氧化锆种植体烧结以前的坯料状态中（因为尚未烧结成坚硬的氧化锆陶瓷产品前，坯料还比较能通过喷丸打击出明显的凹凸坑），对其进行喷丸处理，使已成形的氧化锆种植体坯料表面产生凹凸状坑，再去烧结，使最终烧结成形后的氧化锆种植体表面具有明显的凹凸状坑，最后进行酸腐蚀处理或其他方式的表面处理。
以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
附图说明
图1为本发明中喷丸机对成形的氧化锆种植体坯料表面进行喷丸处理时的工作状态示意图。
具体实施方式
结合图1所示，本发明一种氧化锆种植体的表面处理方法为：在成形的氧化锆种植体坯料1烧结以前，先对成形的氧化锆种植体坯料1表面进行喷丸处理，以便在成形的氧化锆种植体坯料1表面形成凹凸状坑，然后进行烧结，形成表面带有坑状结构的氧化锆种植体，最后进行酸腐蚀处理或其他方式的表面处理，以便于骨生长，使牙床骨组织与种植体的骨结合更好。
为优化本发明的技术方案，成形的氧化锆种植体坯料1可以是注射成形的氧化锆种植体坯料1，也可以是经机械切削加工成形的氧化锆种植体坯料1。
本发明中，喷丸处理优选采用球粒状的丸2进行。其中，丸2可以是锆球，也可以是氧化铝球。作为优选，球粒状的丸2的粒度为φ0.15±0.08mm。
本发明中，喷丸处理采用喷丸机4进行，喷丸机4的喷气压力是可调节的，喷丸机4的喷咀3与成形的氧化锆种植体坯料1之间的距离h也是可调节的。作为优选，喷丸机4的喷气压力为0.8±0.4mpa，喷咀3与成形的氧化锆种植体坯料1之间的距离h为8±3mm。
本发明中，成形的氧化锆种植体坯料1可以是成形的氧化锆复合种植体外壳坯料，也可以是成形的整体氧化锆种植体坯料。
本发明中，最后进行酸腐蚀处理或其他方式的表面处理，包括激光酸腐蚀处理或微弧氧化酸腐蚀处理或紫外线照射处理，或表面涂层处理等表面处理方式。
本发明中，喷丸机4对成形的氧化锆种植体坯料1表面进行喷丸处理时的工作原理如下：
已成形的氧化锆种植体坯料1在喷丸机4喷出的丸2打击的同时自身旋转，以便环周都能被喷出的丸2击打；喷丸机4沿已成形的氧化锆种植体坯料1的轴线上下移动，致使喷丸从上到下，从下到上往复运动，使喷出的丸2能全覆盖地打击已成形的氧化锆种植体坯料1，并形成凹凸状坑。
以上实例仅作为对本发明的进一步说明，本发明的技术方案在权利要求中已有描述，在不改变本发明基本工艺原理的前提下所作出的变更和改进，均在本发明的保护范围之内。