本发明涉及一种铜加工工艺技术领域，特别是一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺。
背景技术：
单晶导电铜材是相对于多晶导电铜材而言的一种新型导体材料，由于在金属微观结构中取消了横向晶界，从而可以显著地提高导电铜材的导电性以及信号传递的保真性。单晶导电铜材的生产在工艺上主要采用定向凝固技术和连续铸造技术相结合的方法；现有技术中单晶导电铜材主要通过水平连铸工艺进行加工生产，水平连铸工艺获得的铸坯中氧含量不易控制，生产的铸坯的合格率较低；且经水平连铸工艺生产的铸坯后续还需要经过轧制才能够获得成品。
铜材连续挤压成型技术是以连续挤压技术为基础而发展起来的连续挤压复合、连续铸挤技术，常规的多晶导电铜材挤压成型作业过程为：首先将铜材上引连铸机利用电解铜连续熔铸生产不同规格的长度光亮的无氧铜杆开卷矫直，然后送入挤压成型机头中通过挤压加工成特定规格和形状的大长度光亮的无氧铜型材，然后通过卷绕设备卷绕成卷打包摆放；或者通过铜材挤压成型同步切断装置将挤压成型后的无氧铜型材切割成标准长度的杆材，然后成捆地打包装运储藏。为了避免破坏单晶导电铜材的内在金相结构，对于适用于常规的多晶导电铜材的挤压成型工艺需要作出进一步地改进。
技术实现要素：
为了克服现有技术的不足，本发明提供了一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，能够满足实际生产要求。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，包括以下步骤：
步骤一、将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼，熔炼温度为1100～1200摄氏度，当电解铜完全熔融后，继续熔炼15～20分钟；然后向熔融的铜液中投入微量添加组分；
步骤二、在封闭混合熔料炉的底部设置通气进口，在封闭混合熔料炉的顶部设置通气出口，将加入了微量添加组分的熔融铜液保持在1080～1100摄氏度，熔炼40～50分钟；
步骤三、通过通气进口向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体，氮气和一氧化碳的混合气体中一氧化碳与氮气的混合体积比为1/9；混合气体再由通气出口排出；
步骤四、将封闭混合熔料炉中的熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中，上引连铸熔料炉的加热温度为1080～1100摄氏度；然后通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中，在上引连铸结晶器中通过冷却水系统进行冷却结晶，冷却水系统的进水温度不大于30摄氏度，冷却水系统的出水温度不大于45摄氏度；
步骤五、通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出，并以每分钟100～120毫米的速度引拉导电铜杆制成单晶导电铜杆；
步骤六、在单晶导电铜杆的表面均匀涂布抗氧化油脂，然后将涂布了抗氧化油脂的单晶导电铜杆送入到预热腔内，以每秒不大于20摄氏度的升温速率加热至350～380摄氏度；
步骤七、将预热后的单晶导电铜杆输送至连续挤压成型机头中，通过连续挤压成型机头中的挤压轮挤压推送单晶导电铜杆，单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中摩擦受热提高流动性，然后使单晶导电铜杆通过连续挤压成型模具从而塑形制得单晶导电铜母排；
步骤八、将连续挤压成型的单晶导电铜母排浸入到步骤六中的抗氧化油脂，直至冷却至40摄氏度以下，然后将单晶导电铜母排表面的抗氧化油脂擦拭除去，再用少量工业酒精擦拭单晶导电铜母排的表面即可。
作为上述技术方案的进一步改进，在步骤三中，检测通气出口排出的混合气体中一氧化碳的浓度，当通气出口排出的混合气体中一氧化碳的体积为10%时，即可停止步骤三的操作而进行步骤四的操作。
作为上述技术方案的进一步改进，在步骤四中，上引连铸熔料炉中熔融混合物的深度为80～100厘米，上引连铸结晶器的下端与上引连铸熔料炉底部之间的间距为20～30厘米。
作为上述技术方案的进一步改进，在步骤七中，控制单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中的最高温度不大于610摄氏度。
作为上述技术方案的进一步改进，在步骤八中，用于冷却单晶导电铜母排的抗氧化油脂中设置有若干冷却铜管，冷却水流经若干冷却铜管从而间接对抗氧化油脂进行冷却。
与现有技术相比较，本发明的有益效果是：
本发明所提供的一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，具有产品质量好、单位能耗低、生产品种及规格灵活多样、适应性强、没有三废污染、等优点；且本发明的生产过程连续性好、生产效率高；不会破坏单晶导电铜材的内在金相结构，适用于通过挤压成型工艺加工单晶导电铜母排，可以广泛应用于音像设备、高清晰度电视等电子信息相关领域。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来进一步详细说明本发明的技术内容。
本实施例所提供的一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，包括以下步骤：
步骤一、将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼，熔炼温度为1100～1200摄氏度，当电解铜完全熔融后，继续熔炼15～20分钟；然后向熔融的铜液中投入微量添加组分。
步骤二、在封闭混合熔料炉的底部设置通气进口，在封闭混合熔料炉的顶部设置通气出口，将加入了微量添加组分的熔融铜液保持在1080～1100摄氏度，熔炼40～50分钟。
步骤三、通过通气进口向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体，氮气和一氧化碳的混合气体中一氧化碳与氮气的混合体积比为1/9；混合气体再由通气出口排出；检测通气出口排出的混合气体中一氧化碳的浓度，当通气出口排出的混合气体中一氧化碳的体积为10%时，即可停止步骤三的操作而进行步骤四的操作。
步骤四、将封闭混合熔料炉中的熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中，上引连铸熔料炉的加热温度为1080～1100摄氏度；然后通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中，在上引连铸结晶器中通过冷却水系统进行冷却结晶，冷却水系统的进水温度不大于30摄氏度，冷却水系统的出水温度不大于45摄氏度；上引连铸熔料炉中熔融混合物的深度为80～100厘米，上引连铸结晶器的下端与上引连铸熔料炉底部之间的间距为20～30厘米。
步骤五、通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出，并以每分钟100～120毫米的速度引拉导电铜杆制成单晶导电铜杆。
步骤六、在单晶导电铜杆的表面均匀涂布抗氧化油脂，然后将涂布了抗氧化油脂的单晶导电铜杆送入到预热腔内，以每秒不大于20摄氏度的升温速率加热至350～380摄氏度。
步骤七、将预热后的单晶导电铜杆输送至连续挤压成型机头中，通过连续挤压成型机头中的挤压轮挤压推送单晶导电铜杆，单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中摩擦受热提高流动性，然后使单晶导电铜杆通过连续挤压成型模具从而塑形制得单晶导电铜母排；控制单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中的最高温度不大于610摄氏度。
步骤八、将连续挤压成型的单晶导电铜母排浸入到步骤六中的抗氧化油脂，直至冷却至40摄氏度以下，然后将单晶导电铜母排表面的抗氧化油脂擦拭除去，再用少量工业酒精擦拭单晶导电铜母排的表面即可；用于冷却单晶导电铜母排的抗氧化油脂中设置有若干冷却铜管，冷却水流经若干冷却铜管从而间接对抗氧化油脂进行冷却。
以上对本发明的较佳实施进行了具体说明，当然，本发明还可以采用与上述实施方式不同的形式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下所作的等同的变换或相应的改动，都应该属于本发明的保护范围内。